Способ получения антимонида самария
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ГОСУДАРСТВЕННЫИ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Авторское свиде854881, кл. С 01 РМег А. а 1 а. Моп Ьгп 58 Ьд. - Ас 1 а Сг458 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИМОСАМАРИЯИзобретение относится к технологии ений редкоземельных элементов, тно к антимониду самария, и позвоовысить чистоту продукта. Металлисамарий прессуют с антимонидом з, нагревают до 270 в 3 до внедреамария в кристаллическую решетку , затем при 480 в 5 С до образова. вухфазного продукта, содерхкашего5 тфЬ, и далее при 7 о 0 - 850"Сания однофазного 5 гп,5 Ьз(54) НИДА (57) соедин конкре ляет п ческий Ягп 45 Ь ния с 5 гп 5 Ь ния д 5 гп,5 Ь до обр(З(,В. Ч)си и, ж,),(с(сии ( Й, .( - , )),( ) и ( , о ) ): ( ) ). ( ( ( ), .(с) ( ) ,(, и ( с, ( ск (,, (р о (. ки,Изобретение огцосит я к сос лццсцияч редкоземельных элементов с сурь)1031 и может цайти примецс)ие в электронной промышленности.Целью изобретен я п)ля.тся новы(пенис чистоты продукта.77)и,(ер . 5 г пс)роПка ангимонила с;1- мария 8 п(8 Ьсх(епРваюг с 02542 г стружки металлицеского самария 11 случеццуо смесь прессуют в т;блетку, коОрхк загружаот В Герметичный ЧО,Рбдецо 3:)Й ГиГель и ПО)1)- ЩаОГГ В ЭЛЕ;СГРОПЕЧи 3 КУЧМИРОВаННУК ЛС 1 О мм рт ст., и цагр ва(ст со скоросп ю 5 гралмин т ком(цст)ой с мпсратуры 0 270, Выдерживают цри эг;)й тспсратурс 2 ч, затсч до 520"С и вы;(сржццакт 3 далее ло 850 С Р Выл ржица от 2посзе цс(о образец ох. ажлают ло кочцнт.ной темпер 3(ры к сксоо( (,ю 5 грал чц7 ри,ге) 2 15 п(ошка 31 гимоц(ла самария 8 ш(8)Ь( с;сц цг(ю" с срун,(,й металлицсского снчарР я В коли с, гвс: 0,7626 г. Счс, ьрос(,(о В ао,стку и заг(у/ксОт ВсГ)метць(. ч 1 ( (,э из ) 0,1 ио,сца Нс 3 ГрСВ СЧССИ ОС Ь)1 (я(0 Г:3 Вс 3 КЧс с 1 С,О 1 О" хм рт сг (о ско;:сгВ 5 градчин ог комнатной Гсчпс р,)т ры ",0 10 С и Вь,сргкиБа 01 2 , Зс.Т(.с( О с 8(С Ц ВЬ,ЕРЖЦКЕК) 3 ц, лалсс лс 750 с, после цсп псчь охлнжЛаОТ Ло КО,1 Ц 31 НОИ ТС)П( 1 Р)1 Со (К(;ПО стью 5 грсл,мин..)С НО(п ВС Хс Ра КТС 1) 1,.Т 1 К И 1,1 с 3 Ц 0 антцмоццл самария ш),Ьс ссс;с кш с.Хиъ.ццсскцй солав. час. и: гсоРсгццсский,ш Г 7 3111, 8 Ь 32,69; эксцсричецг,льный 8 ш 67,35; 8 Ь;)2,511 Отцость рсцгсцовскся 8, 30 гсм 3, и кцомстрисски 5 8,230 г см . 1 хрцсталлохццческцс харак.ТГ)ИСТР(КЦ: Г(.КСс 1 ГОНПЛ ЬН а Я СЦ Ц (О(И Я, СТр КТу р 1 ЫЙ ТИ 31 М)8,3, 13 ро(Т 1)с НС ГВС(1(515Г)мппа5(, 1 с ч, .ара (с 11 ы )с ц(. тки. с 1 = 8,932 г., с = 6,381 .сФизНсскис с 30 йст 3 с,ьцос лск(р- со и ост ц 3; с ц Р(с О, 2)61 (ч (, ( а 1; цц (1 51 . ( о.- при Р м ц и 1 Ость 1691,сц. с к(фф ц (сц( Холла 1,9910,11 Сл, к(ффи,цс и тсрч цеского рсц ир(.ц,(Я 10Г. х;рак (ср - Гццескс 51 (с 1 цсра 1 );с 3,1 с( 51 16 с Ь Г(ч(, и) проволцол ь 3,6 11 т ч В. ) с рч: .9с.80 мкБ К .На и.рвои с"Гал 1 и син Ге:с,)п(;1)п.)и 300 ).30" С и выдержке 1,5- 2,0 и. Происходи( полное вцслрсцие свобо; но, о сач;3;)ия В кр( стсылицсскчк) рсцСтк:; гп (Ь и ст) яв,ясГС 51 необходимым условиеч для осуществления следукпсй стадии синтеза. Если время выдержки составляет менее 1,5 ч, то вследствие неполного прохождения реакции в продукте может остаться свободный самарий. На дацой стадии синтеза при чказанной гсм цературе выдерживать продукт более 2 ч цс имеет смь:сла, поскольку дальнейшее увсли )сцис времени вьЛержки до 10 ч и бо лес с оказывает влияния ца фазовый гол ав (родуктаНа второй стадии синтеза при 500(- +20"С и Выдержке 2 3 ч происходит образование,(вухфазного продукта, состояцео лько из 8 п(8 Ьи и 8 гпз 8 Ьз. Если время выдержкиц составляет менее 2 ч, то В продукте проявля( ся ецс и фаза 8 ш 8 Ь. Нежелательно увелицивагь время выдержки более , к 1;(к как:ри этол возможно образование фазы 8 пз 8)Ь которая препятствует п у пни(0 одцофазцого 8 шз 8 ЬВ, из-за боль- РО ц 010 давления паров 8 гпз 8 Ь; при указанцой тех 1:ср(туре возможно его испарение цз 3 цы реакции Г 1 а третьей лалии синтеза при лостц;к ции темпера гуры 800-+-50 С и выдержки 1,5 2,0 и происходит образование однофазцо 0 8 ъ,8 Ь и Г 1 и выдержке менее 1,5 ч Рс К(Ц 53 001 Я с ЦО ЦС ПРОИСХОДИТ ЛО КОН Ца И В П 1)0 кгс проявляется фаза 8 п;ЭЬз.5 ыл(сркц(ат( пролукт более 2 ч не имеет смысла, (нскольку после заверПения реак- ЗО(иц образования однофазного 8 гпв 8 Ь(3 дальцс ишсс увеличение времени Выдержки практи (сски цс оказывает Влияния на фазовый с ост а и цс л е (н го и роду кта. Способ:Олуцсния антимонила самария8 П(,:,8 Ь 3 Высокотемпсратурным взаимолейстВисч мстРг.(Р(цеского самария с сурьмо. Олс рж а ии ч ком поненто м, отл(гяиюгиийег ,(О г ч,го, с (п льо повышения чистоты проукга, В качелзс сурьмосодержащего ком- (С ц "с ИС ц(ЛЬЗХ ЮТ ацТИМОНИЛ )П 1)(ЬЬЬ,с,1(с с) оц ццуК) СМССЬ ИСХОЛНЫХ КОМПОНЕНТОВ цагрецанл (ри 270 - 330 С до внедрения си чари я В крил алли ческую решетку 8 гп,8 Ьь з,тем 1:ри 48 Г -520 С до образования,ш; хфаэцо 0 про,укта, содержащего )Гп)8 ЬВв,1( и при 750 - 850 сС до образованияоп оф;): (ого 8 и 8) Ь 3
СмотретьЗаявка
4059760, 17.04.1986
ИНСТИТУТ ХИМИИ ИМ. В. И. НИКИТИНА
АБУЛХАЕВ ВЛАДИМИР ДЖАЛОЛОВИЧ, ЧУЙКО АРТЕМ ГЕОРГИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C01F 17/00
Метки: антимонида, самария
Опубликовано: 23.05.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1397409-sposob-polucheniya-antimonida-samariya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения антимонида самария</a>
Предыдущий патент: Способ извлечения фосфата цинка из фосфатного шлама
Следующий патент: Способ переработки высококремнистого глиноземсодержащего сырья на глинозем
Случайный патент: Деформационный шов сборной облицовки каналов