Патенты опубликованные 15.07.1992

Способ определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 1602291

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Миргородский, Винценц, Халилов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводника, дозы, имплантированных, ионов, поверхности

...оптическогои луч:.ния 3, систему зеркал 4,5,6,линзы 7 и 8, позиционно-чувствительньвт д 1 отоприемник 9, интегратор 10,днухкоординатный самописец 11 и исследуемый образец 12,Исследуемые образцы представлялисобой пластины СаЛз толщиной 4=250 мкм,выращенные по методу Чохральского,с имплантированными в них ионами 81 ф .Энергия ионов при имплантации поверхности (100) составляла 80 кэВ. Длинуволны 9 е = 1,06 мкм выбирали такимобразом, чтобы энергия квантов Ь 11, 17 эВ была меньше ширины запрещенной зоны Г СаАз (Е = 1,43 эВ) и со"2 Еответствовала условию - с Ь 1 с Е,3/В качестве источника возбуждающе- л 0 го оптического излучения 1 использовали лазер ОТИна алюмоиттриевомлгранате с длительностью ьсветовых импульсов 10с и частотой4...

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 1079079

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гриценко, Романов, Камбалин

МПК: G11C 17/00

Метки: постоянного, запоминающего, памяти, элемент, устройства

...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...

Свч-ферритовый материал

Загрузка...

Номер патента: 1031357

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Касаткина, Пухова

МПК: H01F 1/34, H01F 1/10

Метки: материал, свч-ферритовый

...иттрия Окись тербияШОкись гадолиния 0 Окись алюминия Окись индия 2 Окись железа л.т,О,С 1 сОВ 1, С.т9,10. 57 1 ОЕ 1 ОАЙ 07.10 в 28,88 12,05 26,66 32,07 32,67 26,13 23,52 37,5324,91 19,96 20,35 24,41 58 25 гз 16 49 20 ЕО 40 30 35 58 27 0 20 38 86 0,34 3,69О,З 4,63 0,10 43,63 0,13 43,48 0,05 39,41 0,23 0,20 О, 14 О,О О,6 300 /30 710 ЕОО 480 820 0,14 0,24 0,09 0,07 0,05 3,40 082 1,71 3,27 6,67 5,00 5,42 1,87 0,90 г,ч 5 2,45 Редактор О. 10 ркова Техред М,Морге 31 твл, Корректор Л. Лукач Заказ 2821 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открь 3 тиям при ГКНТ СССР 113035, москва, жРаушская нао. д. /1/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Угкгородв ул, Гагарина, 101 103Введение окиси тербия...

Ферритовый материал

Загрузка...

Номер патента: 670098

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Молчанова, Пухова

МПК: H01F 1/34, H01F 1/10

Метки: ферритовый, материал

...индия, о т л и ч а ю щ;-60 до +85 С на низкомуровнях мощности,Для создания термостабильныхустройств сантиметрового диапазонадлин волн низкого и высокого уровнямощности необходимы материалы, обладающие особым комплексом свойств.кроме малых магнитных (1 ыщ) и ди-.электрических (сей) потерь, узкойширины линии Ферромагнитного резо"нанса (4 Н), высокого порога неста"бильности спиновых волн (оН ) такиеФерриты прежде всего должны иметьотносительно высокое значение намагниченности насицения (4 Тр), которая.должна быть термостабильной в интервале температур от -60 до +85 оС,Известен Ферритовый материал дляСВЧ-диапазона, имеющий следующийсостав, вес.1: Окись иттрия 19,93-15,39Окись индия . 1,64-4,81Окись аломиния 0,60-2,94Окись гадолиния...

Способ формирования контактных отверстий к областям -типа интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1313257

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Титов, Эрмантраут, Верходанов

МПК: H01L 21/265

Метки: контактных, интегральных, областям, формирования, отверстий, схем, типа

...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...

Свч-ферритовый материал

Загрузка...

Номер патента: 1498295

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Сафантьевский, Писарева, Лазебная

МПК: C04B 35/26, H01F 1/34

Метки: свч-ферритовый, материал

...етли гистерезисаких диэлектрических оэрцтини ю с ньг ула из обре т о струкжелеВ ерритовьй материал со инели, содержащй ионь мута, лития, титана, и и кислорода, о т л и я тем, чтд, с ельи метров петли гис тере,075 турой шпза, нис ч аюл уч Рец а при марганц щ и й сния пар ГОСУДАРСТНЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГННТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(57) Изобретение относится к феррцтоним материалам, предназначецньм для тносцтся к ферритоньм назначенным для рабоПредложенный СВЧ ферритоный материал имеет следующий состав:Ь 1 0,5-0,5 Х + 0,5- 0, Ре 2,5-0,5 х" -1,5 с-у Т 1ЕпМп 0 + 1 В 10 где 0,05 с х с О,5, 0,025у с 0 0,20,5; 0,01 е 60,04;(1-1,5)5,; 0,0005р н 0,002.Состани предлженого материала приведены в табл.1,ати проведенных...

Генератор импульсов тока

Загрузка...

Номер патента: 1438573

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Верховский

МПК: H03K 3/53

Метки: импульсов, генератор

...в интервале времени С -С ток через нагрузку о протекает по новому колебательному контуру: дроссель У - конденсатбр 6 - нагрузка 8- вентиль 9 - дроссель 7. Конденсатор 6 разряжается (см, фиг. 2, с), ифор" мируется плоская (т,к. СС,)вер/ шина импульса тока в индуктивной нагрузке 8 (см. фиг. 2, а). Длитель- ность вершины может плавно регулироваться задержкой подачи управляю щих импульсов на вентили 2, 3 в мо-ментотносительно момента й;. В момент С йони замыкаются. Вслед ствие этого вентиль 9 закрываетсяприложенным к нему в обратном направлении напряжением конденсатора 5 (см. фиг. 2, в). Поэтому ток в интервале времени й; - 1 через нагрузку 8 протекает по колебательному контуру; конденсатор 5 - вентиль 3 "дроссель 7 - конденсатор б -...

Способ изготовления марганец-цинковых ферритов

Загрузка...

Номер патента: 741689

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Вакулова, Мосичкина, Пискарев, Сеничкина

МПК: H01F 1/34

Метки: ферритов, марганец-цинковых

...При этом кислород ди 1 ервнцирует из внутренних слоев спекаемыхизделий н поверхностные и выделяется н среду печи, В изделиях создается плавно понижаожегся содержаниекислорода в направлении от центрасечения иэделия к его поверхности.35На второй стадии охлаждения в инатервале температур от 1000-700 С до250:200 С происходит окисление меррита, При этом кислород диМундируетиз среды через поверхностные слоии далее вглубь спекаемых изделий.В результате полуцают изделия с заданным содержанием кислорода приравномерном его распределении в образ.45це,П р и и е р 1, Берут ферритовьесердецники состава, мол.ь ГеО 52,5;ИпО 21,1; 2 пО 23 1.Изготовление сердечников псонодятпо следую.ему режиму,оСердецники спекают при 100 С всреде воздуха. Изделия...

Способ изготовления интегральных схем памяти на основе мноп транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Верходанов

МПК: H01L 21/265

Метки: схем, транзисторов, мноп, памяти, интегральных, основе

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...

Ферритовый материал

Загрузка...

Номер патента: 459162

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Поляков, Берестовая

МПК: H01F 1/34

Метки: ферритовый, материал

...длин волн в шиператур до 125 ОСИзвестен джерридующего состава,Окись иттриОкись калияОкись алюмиДвуокись оОкись ванадОкись железЦелью изобршение магнитньтериала.Это достигаетсвведена окись индсоотношении компонОкись иттрияОкись кальцияОкись алюминияОкись индияДвуокись олова я 38 791-37 1014,817-5,608ния 2,189-2,185 лова 0,01-2,153 ия 3,906-3,898 а Остальноеетения является уменья потерь ерритового маОкись ванадияОкись железаПредлагаемым мат т следующим. образом.Компоненты шихты измельчают и пе" ремешивают со спиртом в мельнице 2 ч при соотношении материал:шары: :спирт = 1:1 О:1.- Затем шихту брикетируют при давлении 1000 кгс/см 2 и обжигают при температуре предварительного обжига 1050 2 С С о выдержкой при конечной температуре 4 ц....

Легкоплавкое стекло для магнитных головок

Загрузка...

Номер патента: 1441695

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Максимов, Михайлова, Соловьева

МПК: C03C 3/074

Метки: магнитных, легкоплавкое, головок, стекло

...в стеклянном зазоре спал, сйормироваетцого посредством предварительного цапланленця 30 ця пор ерхцо сти к ерамиеских материалов ца осттове титаетатов бария и кальция стеклоплецки толщиной 5-10 мкм при тем ер атур е Т и, методотрафарстттой печати и ттпследуюцсго припаинацтцл к ето 1111 теттттотт пттецке ферритовой цлясттИы, ; ,период времени до обтазот 1 ацттл матового палата продуктов нзаимодейтстттттт понерхности стетсол см растворов углекислого натрия,,10Отекл сттттеэттруЯтсЯ и платтновотигле прцОО" О,Бнедецие н состатз цэттестцого стекля Оксиден ттятрия р циркоцття и иттре 1 я и ьл н 1 п 10 ет е Ожт д ететттый положительный эттт;ге ст их соньесттого присутствия и указатом нетте соотцошеттци, ныраэцнн 1 ийся н э цачителеъиом...

Ферритовый материал

Загрузка...

Номер патента: 686533

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Пухова, Молчанова

МПК: H01F 1/34, H01F 1/10

Метки: ферритовый, материал

...который отлицается отизвестного тем, цто он содержит компоненты в следующем соотношении,вес,4:Окись иттрия 19,26-30,71Окись тербия 0,22-1,08Окись гадолиния 18,00-30,92Окись алюминия 0,61-3,00Окись индия 1,32-8,16Окись железа ОстальноеПредложенный ферритовый материалимеет следующие свойства; намагниценность насыщения термостабильная в+8 гдиапазоне температур -60 до +Вл С11"3 850-1300 гс, порог нестабильности спиновых волн, Ь Н 11-0 эширина линии ферромагнитного резо"нанса, Ь Н 25-80 э диэлектрическиепоте;,и, р 1 1.10-ф, магнитныеП р и 1 л е р 1, Полуцение ферритового материала согласно изобретениювес."ь:2 ЪтЬ.,л, О,22Ос 1 18,00А 1 г" з О, 6",32Исходные компоненты смешиваютмокрым способом, обжигают при температуре...

Взрывозащищенный электродвигатель

Загрузка...

Номер патента: 1093214

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Маликов, Ефременко, Разгильдеев

МПК: H02K 15/12, H02K 5/136

Метки: взрывозащищенный, электродвигатель

...другой лобовой частивыполнен по Форме контура ротора ивала со стороны другой лобовой части.На Фиг,1 изображен взрывоэащищенный электродвигатель; на Фиг.2 - про"цесс заливки обмоток изоляционнымматериалом; на Фиг.,3 - паз сердечника статора с уложенной обмоткой; наФиг.ч - изоляционный элемент.Вэрывозащищенный электродвигательфиг.1) вклюцает корпус 1, статор собмоткой 2, ротор 3, вал 1 подшипниковые щиты 5 и 6, коробку выводов7 с крышкой 8 и токовеЛущими элементами 9, изоляционный элемент 10, обмотки 2, залитые изоляционным мате"риалом 11, Белицина оставшегося внутреннего свободного объема определяет-,ся конструктивно-технологическим зазором 12 между статором и ротором.Изоляционный элемент 10 выполненпо Форме контура ротора 3 и валац со...

Способ управления оптическим излучением

Загрузка...

Номер патента: 1445433

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гришин, Антонов, Котов

МПК: G02F 1/33

Метки: оптическим, излучением

...гт т т.т гт В 11 и, ет т тт гв гт г тг 1 тт к т г я р Р Г П 1 О;Тят,1 т Г,тгйавангтг 1 К гКК., К;соот 1 тетственно. Угол мкйпдуК к и П, ОЯВЕИ и т 11 ДЯВЛзнил ЯкУГтиБЭческих Волн 2 " 6 совпадают с направЛЕ 1 ИЯ:11, ИСХО 1 в 1 Готе ИЭ ЦЕНТРЯ ПРЯВИЛЬного И-угольИха к его Вершинам (ВтЯ ип ат 1 1 г УтЯ Е : ) ),К У С Т ИЧ Е С К ИЕВЕ;1 т т , О.,., Ч а ССОВПЯДЯЮТтг И Вт 111 ГТСЛ ИХ ПРОДОЛЖЕНИЯМИСООТЯ - ТСЧВС 110 СВОРЙ НУМЕОЯЦИИ) о 1 ЯграВЛЕ 1 тя ВЕКТОООР Г, Выбря 11 Ы Тяк еЧтобю 1 а 1 ттватЛЕНЦ 2 - 6 ИСХОДИЛИ ИЗгч1 а Ц 1 СОЗ - (Х - 1) (т)1 где 1 - номер акустической волны, соответствующей направлениям распространения волн (ь 1, 2, 3, 4, 5). Величины оптических волновых векторов К; равны между собой, т,е,К,21 йпК= - агде и - пока" Ватель...

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства (его варианты)

Загрузка...

Номер патента: 1149789

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Гаштольд

МПК: G11C 11/40

Метки: постоянного, элемент, варианты, запоминающего, памяти, его, устройства

...подложкеодного тийа проводимости (55)иг.1)распопожены дигон,узионные области 2другого типа проводимости. ььа полупроводнь(ковОЙ подложкР с частичнымперекрытием одних краев областей 2рас.по 5 ьояен диэлектрическии слОи51 а ПОДЛОЖКЕ РаСГ 5 ОЛО 515 ЕНЬЬ ДИЭЛЕКтРИческий слой ьь с перекрытием краевОбластеи 2, а на нем - диэлектрический лОЙ 5. Оба этих слоя образуютзатворный диэлектрик, На затворномдиэлектрике находится проводящийэлеьтрод, состоящий из двух полупроводниковьх слоев 6 и 7, расположенных друг на друге и образующих р-г 5- переход Второй вариант (59 иг,2) отличдРтся От первого тРИ чтО полупроводниковые слои, образующие Р-л-переход, 1 ьасположены смежно Отььосительно друг друга.Рассмотрим .работу элемента памяти,огда...

Шихта для выращивания монокристаллов ферромагнитного материала на основе висмут-кальций-железо-ванадиевых гранатов общей формулы в с f v о

Загрузка...

Номер патента: 284778

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Петров, Титова

МПК: C30B 29/28, C01G 49/00

Метки: общей, монокристаллов, выращивания, ферромагнитного, основе, гранатов, шихта, формулы, висмут-кальций-железо-ванадиевых

...насыщения не превы шает 600 гс, а ширина линии Ферромагнитного резонанса не менее 1 э. Но известный материал обладает низ" ,кой намагниченностью и широкой линией Ферромагнитного резонанса,Для получения монокристаллицеских составов со значением Х, равным 1,38"1,46, увеличения намагниценнос ти и сужения линии Ферромагнитного резонанса, исходные компоненты берут в следующих соотношениях, вес.Ф: В 10 19,43-8,09СаСО 13,07-17,53Ре 0 34, 80-38,61Что з 5,95-8,79РЬО 26,75-26 98П р и м е р. Исходные компоненберут в соотношении, вес.4:В 1. 08,09, СаСО17,53, Рео з 38, 61;8,79, РЬ 0 26,98, Подвергают их випомолу и полученную смесь помещаюпечь для выращивания монокристаллПодъем температуры осуществляют сскоростью 150 С/ч до 1250 С/ч с...

Способ управления оптическим излучением

Загрузка...

Номер патента: 1329419

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Антонов

МПК: G02F 1/33

Метки: излучением, оптическим

...пьезопреобразавателей -. 2 :. ер на котоРые поцают УпРавлЯюЩийВысокочастотный сигнал одинаковоймощности, вазбуждарт сдвиговыеакустические Волны одинаковой амплитуды ня частоте 25 ИГц с поляризацией по 1.110 р распространяющиесяпараллельно в направлении 1101. Вячейку 1 направляют неполяризованное оптическое излучение 6 с длинойволны 3 =063 мкм. Любое неполяри- / 5)зованное излучение можно представитьв виде двух компонент с взаимно ортогоняльньее(и плосксстями поляризации,Для каждой из них существует свойуголБрэгга. Иаправление распространения оптического излучения ц акустие ееческой волны В каждой ячейке задаюттаким Образом, чтобы они 6 ыпи ориентцРОВаНЫ ОТНСЕГНТЕЛЬЦО ДРУГ ДРУГа ПОДодним из двух углов Брзггя. При дифракцци оптического...

Стекло для магнитных головок

Загрузка...

Номер патента: 1452052

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гуральник, Розанов, Максимов, Соловьева, Михайлова, Мосель

МПК: C03C 3/066, C03C 3/093

Метки: головок, стекло, магнитных

...неровностей высотой 0,1-0,2 мкм на поверхности Ферритовых магнитопроводов в рабочем с зазоре в процессе его формирования, мин, 20-30; скорость увеличения высоты неровностей микрорельефа поверхности магнитопроводов Ч 10 мкмlмин, С 6,67-10,00, 2 табл,ратуры начала размягчения Т и дефор мацни Т , микротвердость по Виккер су Н, температура растекания Т при которой краевой угол амачиванияосоставляет 15 С, продолжительность выдержкипри температуре растекания стекла до появления неровностей высотой 0,1"0,2 мкм на поверхности ферритовых магнитопроводов в рабочем зазоре в процессе его формирования; скорость У увеличения высоты неровностей микрорельефа поверхности магнитопровода. кла синтезируются в платиновомпри 300 С,а 10,т 30 6.,6730...

Термостабильный ферритовый материал на основе y g а g j граната

Загрузка...

Номер патента: 412748

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Пухова, Сочивко

МПК: C30B 29/28, C01G 49/00

Метки: термостабильный, граната, материал, основе, ферритовый

...с понидени ем температуры иэ-за приблидения к точкам компенсации.1(ель изобретения - сохранить намагниченность на уровне У-ГЙ резко снизить значение Ь Н, сместить точки компенсации в сторону низких температур и повысить термостабиль-; ность при низких температурах.Это достигается тем, что компонен ты шерритового материала берут в сле дуюцих соотношениях, мол.3: 5 О 412748 А 1 Н смешения точки торону низких температермостабильности при урах исходные компонено ующих соотношениях, мол. 4 1 251,25-6,25 58,75-3,75 го состава дает выиг льности Аплод в диг 5 . 100 д С до лю. 150- Н в том же диапазоП р и м е р. Синтез материала ведут по окнсной керамической технологии. В качестве исходных компонентов используют окислы т. Омарки "о",...

Способ определения температуропроводности металлов и полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 1570476

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Сизов, Винценц

МПК: G01N 25/18

Метки: полупроводников, металлов, температуропроводности

...образцаосуществляют вне нагреваемого участка, т,е, аг , где а - радиусгауссового распределения интенсив- ЗОности греющего луча, Расстояше ггыбирают иэ условия аг5 а. Внутрп этого интервала расстояний болеепредпочтительными являются значенияк о (1,5-3,0)а, посколькУ пРи мень 35ших значениях то начинает сказыватьсяконечная длительность импульса и конечный размер зондирующего пятна (ведет к потере точности определенияМ),а при больших расстояниях г значительно уменьшается максимум Фототермического смещения поверхности,образца, что приводит к уменьшению вы-ходного сигнала. В результате поглощения части импульсного излучения в 115нагреваемой области образца 13 происходит импульсное Фототермическоесмещение. поверхности с частотой повторения...

Ферритовый материал для акустоэлектронных устройств

Загрузка...

Номер патента: 1335026

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Харинская, Закгейм, Родионова, Михнович, Обухов, Андреева

МПК: C04B 35/26, H01F 1/34

Метки: материал, акустоэлектронных, устройств, ферритовый

...Ь./насф.а увеличение его выше 1,5 мол.7. - к1росту затухания.Уменьшение содержания СггО ниже0,5 мол.7- обуславливает ухудшение спекакия Феррита и снижение ТКЗ, а увеличение выше 5,0 мол,7, вызывает ростпроводимости Феррит, способствующей прямому прохождению сигнала в линиизадержки, и, следовательно, приводитк увеличению с 6 с ростом частоты,Вьгбранные пределы содержания окисижелеза обусловлены тем, что выше50 мол.7. в феррите будут присутствовать ионы двухвалентного железа ГегПоследние в присутствии ионов кобальта создают направленное упорядочениеионов гсе - Ге и ионов Со - Сог+ ччтд приводит к торможению движения доменных границ, а следовательно, и кснижению коэффициента .управленияа "/" насУменьшение содержания ТегО ниже45 мол.Е...

Способ отклонения оптического излучения

Загрузка...

Номер патента: 961468

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Проклов, Антонов, Миргородский

МПК: G02F 1/33

Метки: излучения, оптического, отклонения

...в ячейке, можно перестраивать угловое положение дифрагированного излучения, при этом рабочий интервал углов будет определяться рабочим диапазоном Ь Г изменения частоты акустических волн, а число И разрешенных состояний - соотношениеми = Ьг(2)где Ф - время пробега волны по апертуре 1 звукопровода.На фиг,1 б иллюстрируется способотклонения оптического излученияс помощью и акустооптических ячеек(для упрощения и = 2) 3 и 4, Акустооптические ячейки 3 и 4 имеютзвукопроводы из одного материалаи расположены в ряд так, что их оптические входы находятся в одной.плоскости. Длины 1 и 1, звукопроводов акустооптических ячеек 3 и 4,а также расстояние 1 между концомзвукопровода ячейки 3 и входнымторцом звукопровода ячейки 4 выбраны так, что 1...

Магнитооптический переключатель оптических каналов

Загрузка...

Номер патента: 1336765

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Котов, Лисовский, Антонов

МПК: G02F 1/09

Метки: переключатель, каналов, оптических, магнитооптический

...для пластин, вырезанных перпендикулярно оптической оси, угол 6 между ОЛН и поверхностью составляет - 40 . Для обеспе" чения поворота плоскости поляризации света на ф 45 толщина пластин согласно формуле (1) должна составлять1 мм. Иэ-эа большого поля одноосцой ацизотропии (Н 7 10 ) пластины ортоферритов обычно находятся в монодомеццом состоянии. Козрцитивную силу пластин выбирают в пределах Н,=10-20 3 и регулируют известными технологическими методами. Фиксированные ротаторы 3 и 5 могут быть выполнены в виде плоскопараллельиых пластин, аналогичных описанным выше пластинам, используемым в управляемых ротаторах 2 и б, за исключением того, что коэрццтивная сила материала, цэ которого оци изготовлены, должна по меньшей мере в десять раэ...

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 1159447

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Титов, Камбалин, Сайбель, Гладких

МПК: G11C 11/40

Метки: элемент, устройства, постоянного, памяти, запоминающего

...изобретения явпяе)слкение надеяности элемента пампт - ,сцет умень)ения колицеств:1 .ро 1при программированииЦель достигается тем, цто зле"мент памяти для постояннсго зас):ни .:ющего устройгтва, содер(аы Й по/ /г)(.ВОДНИКОВуО ПОдЛОжКу р-тИПа г р:. Во,) Иэ приповерхностнсм слое кото)О )гсГ)эло(ены три Области и-типаГ;ег) г)мост 4, на повер)п;Ости полу;)., "-л 4 КОВ)эк г)0/;.Г 30 к Расг)оло)4(ены,г 1 ЬЕ: Обестй П-тИПа Г)рОВОДИМОСт Г;( тЙ) диз пе кт рице сии Й слОЙ ра с, г,г , гЕ)Г)/у ГЕ ВОЙ и ТОРОЙ Обг)ВС,-г);с цг), гр) Оо.п;)ст 2,3 и- -,) ;г) -), 1,; ЛОЛУ и ровод"30.3-Г)жко Р:3 г).ГЭ)(Э ДИЗЛЕКтРИ, гЙ(. ЦастИЦНЫМ ПЕ 8 КРЬГГИ,) ЛП ( ".-:,.:, "г. р)Е)(Ду ОбЛа СТ яМИ 2-) 3 .)Еи 4( 441 ГРИ)гЕр, ИЗ ДВугз Н,4 П, НИ Грнда КРВМНИЛ р Дву"Си гзмн П...

Монокристаллический ферритовый материал

Загрузка...

Номер патента: 704373

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Петров, Галактионова, Шильников

МПК: H01F 1/34, H01F 1/10

Метки: монокристаллический, ферритовый, материал

...окись железа, окись висмута, окись кальция,Изобретение относится к монокристаллическим Ферритовым материалам,которые используются для разработкии создания твердотельных Ферритовыхприборов дециметрового и метрового.диапазона длин волн, в частностиФильтров. Йерритовые монокристаллы,применяемые в этой области, должныобладать следующими свойствами:мала величина намагниченности насыщения (4 йр 1,малое поле магнитной кристаллоузкая линия Фернанса ЬН)однородность линии Ферромагнитного резонанса в рабочем диапазоне частот (отсутствие паразитных резонансов, вызванных магнитной неоднородностью монокристаллических образцов).Известен Ферромагнитный материал,. ьиеющий следующий состав, вес.ь: окись ванадия ил и ч а ю щ и йцелью обеспеченинитных...

Способ измерения длины волны отсечки волоконного световода и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1279348

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Китаев, Пантин, Антонов, Ветошко

МПК: G02B 6/00, G01M 11/02

Метки: световода, волны, длины, отсечки, волоконного

...и съемный якорь 17, Панерхнасти прокладки 16и якоря 17, обращенные друг к другуе . выполнены шероховатыми.Данный способ осуществляют с помощью описанного устройства следующим образом, Оптическое излучение с перестранваемай дницой волны света в диапазоне отда 71 с выхода нсточ 1 2ника 1 с помощью модулятора 2 после 1279348довательно но времени прерывают счастотой Е,. С помощью оптическойсистемы Э это излучение вводят н отрезок исследуемого световода 4, который на некотором участке своейдлины помещен между прокладкой 16и якорем 17 блока. В обмотку 15 блока 6 от генератора синусоидальногонапряжения подают переменный ток счастотой Е /2. При этом осуществляется переменное во времени сданлинание участка световода 4 с частотойЕ,...

Устройство задержки сигнала

Загрузка...

Номер патента: 1279492

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Обухов, Меркулова, Елисеев, Андреева, Михнович

МПК: H03H 9/30

Метки: сигнала, задержки

...устройства по авт.св. Р 1194244,ЦельГо изобретения является повышение эФФективности работы устройстваИ ЕГО ГИНИатЮРЦЭа)ТИЯ,Ва Фиг, 1 изображен обший видОпись)ваемого устройства; на Фиг, 2показано распределение силовых линий магнитного поля в устройстве цамагнитоупругих поверхностных волнах. 1 дУстройство задержки сигнала намагнитоупругцх поверхностных волнахсостоит из двух параллельно расположенных магнитострикционных эвукопроводов 1 и 2, двух преобразователей 2 О3, 4 повевхностно-активных волн ме"андрового типа, нанесенных на одиниэ эвукогтроводов, и двух постоянныхПЛЕНО)ЛНЫХ МаГНИТОВ 5, 6, раСПОЛОжЕН 25ных в зоне преобразователя на нерабочих поверхностях звукопроводов симметрично Относцтельно преобразователей, Постоянные магниты...

Способ записи информации в запоминающий элемент на мдп структурах

Загрузка...

Номер патента: 1012701

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Кольдяев, Камбалин

МПК: G11C 7/00

Метки: запоминающий, записи, мдп, структурах, информации, элемент

...подложки. Поскольку растекание заояда в таких структурах происходит по направлениюк полевому электроду, то и время хракения его уменьшится пои повышении темпе ратуры, при которой прои сходит запись. Это является недостатком известного способа записи инФормации в запоминающий элемент на ИЛП-транзисторах.Целью изобретения является повышение надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной инФормации,Цель достигается тем, что в способе записи инФормации в запоминаю" щий элемент на ИЯП-структурах ос" нованном на инжекции основного заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИРП-транзистора, осуществляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИДП- транзистора, создающего заряд 1 О з =...

Способ создания разделительных областей в интегральных схемах

Загрузка...

Номер патента: 707446

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Калиников, Герасименко, Верходанов, Камбалин, Федченко

МПК: H01L 21/265

Метки: схемах, интегральных, разделительных, создания, областей

...между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные...

Устройство для управления последовательно соединенными тиристорами

Загрузка...

Номер патента: 1407373

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Верховский

МПК: H02M 1/08

Метки: тиристорами, последовательно, соединенными

...и удерживаютприложенное к ним напряжение. Еслигенератор 11 импульсов не генерируетцмпульсь, то напряжение Е распределяется между тиристараминеравномерВследствие разброса токов утечкитиристаровчасть их окажется подбольшим напряжением ,(фиг.- 2 а),а часть " под меньшим напряжениемьв ьь (Фиг 2 б)4 П 7873 Если приложенное к тиристору напряжение превышает максимально допустимый уровень, тиристор выйдет иэ строя. Во избежание этого производит(ся принудительное выравнивание напряжения между последовательно включенными тиристорами 1. Для этого в момент 1 генератор 11 импульсов .начинает генерировать импульсы с перно" дом следования С, причем момент 1, может и предшествовать моменту ,.После включения в моменттиристора 7 напряжение заряда...