H05K 3/06 — удаление токопроводящего материала химическим или электролитическим способом, например фототравлением

Номер патента: 356826

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Толмачев

МПК: H05K 3/06

Метки: коммутационной, многослойной, нлаты

...тем, что, с целью обеспечения высокой плотности размещения элементов коммутационной схемы и автоматизации процесса изготовления, а также снижения трудоемкости изготовления плат, отдельные слои с коммутационными элементами изготавливают из металлических заготовок, пробельные участки которых вытравливают с Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении многокристалльных интегральных схем.Известны способы изготовления многослойной коммутационной платы, включающие изготовление фотоэлектрохимическим методом отдельных слоев с элементами коммутационной схемы и слоев с элементами межслойных соединений с последующим соединением этих слоев в пакет.Однако эти способы сложны, трудоемки и не...

Номер патента: 387542

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дюн, Матусевич, Рец

МПК: C09K 13/06, H05K 3/06

Метки: грабитель, избирательного, олова, пленок, травления

...слоя полимера.Азотнокислый натрий, входящий в состав травителя, увеличивает устойчивость фоторе. зпста в процессе травления пленки олова без предварительной термической обработки (дубления) фоторезиста при высоких температурах. Соотношение кислот подобрано таким Образом, чтОбы получить высокие скороости травления (6000 Цмин при температуре 20 С) с минимальным боковым подтравливанием.Изобретение поясняется следующим примером,На ситалловую подложку напыляют слоионикеля толщиной 4000 - 6000 А, Затем методом фотолитографии изготавливают нижние обкладки кислотных конденсаторов, На нижние обкладки из никеля напыляют полимер на основе силикона в тлеющем разряде при полимеризации мономера гектаметилдисилоксаона толщиной 5000 А. Затем на...

Номер патента: 398916

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G03F 7/022, H05K 3/06

Метки: негативный, светочувствительный, состав

...свсточувсгвитсльцый негативный сосгдв олучдют следующим оордзом.Сначала готовят состав, содержащий по,шизопреновый эоксдировапцыи цклокаучук и диазид.Цклока к в когпссвс 50 г растворОтв 500 мл бензолд прц 80"С. постепенно прц бавляют в его 80 мл надуксусцой кислоты13 - 3,5%). Вылсржпвают прц это тсзпсратуре в течес 1 час ц медленно выливают реакционную массу в 1500 мл ацетона. Полимер выпддаст и вцдс тянущихся ци гс 1, с о 15 переносят в 200 мл этилового сирга ц растирают в ступке цли шаровой зсг нццс.Эпоксидцровдцп. ццклокаучук отфильтровывают цд воронке БОхнсрд, снова растворяют в безоле, обряодтывдют сначала в 20 1500 мл дцстонд, а потом в 150 мл эгдцолд,растирают в супке илц в шаговой зельницс, отфцл трв.ваОт ц сушат вначале цз...

Номер патента: 399089

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Карантиров

МПК: H05K 3/06

Метки: слособ, удаления, фоторезиста

...10 щелочных металлов, например калия, натрия и лития, и разрушение некоторых элементов микросхем, например алюминиевых контактов и проводников, в результате высокой концентрации ионов гидроксила щелочи. 15С целью устранения разрушения и загрязнения. элементов микросхемы по предлагаемому способу растворение фоторезиста осуществляют в водном растворе гидрата гидразина. 0об ос мости от материала подложки дубленности фоторезиста) . Рас дубленного слоя фоторезиста течение 2 - 5 яин, после чего извлекают, промывают деионизо и высушивают. Разбавление ги зина водой (регулируется водо затель раствора) производят н но перед удалением задубленно резиста. Выбор предлагаемого состава для удаления задубленного слоя фоторезиста обусловлен тем, что...

Номер патента: 370280

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C23F 1/26, H05K 3/06

Метки: травления, хрома

...пленок хрома в обьеме газовые пузырьки удаляют встряхиванием пластины. При использовании активатора - вод 0 ного раствора боргцдрцдев щелочных металлов и травителя на основе соляной кислоты обработкой в дцсперсцой среде с помощью форсунок происходит равномерное травление по всей поверхности, исключается образова 5 ние подтрава и отпадает необходимость удалять пузырьки воздуха, что обязательно при травлении в объеме.П р и м е р 1. Боргцдрида натрия (ХаВН) -2 г; воды - 100 л.г; время актнвпровацця - 30 2 чин370280 Составитель О. ОбуховаТехред Е. Борисова Корректоры: Л. Царьковаи Е. Талалаева Редактор Г. Полехова Заказ 675(7 Изд.278 Тираж 826 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж-З 5,...

Номер патента: 375821

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Позднее, Самарцева

МПК: H05K 3/06

Метки: 375821

...выполняют окна, площади которых меньше площадей контактных поверхностей. Затем, используя окна в качестве маски, производят травление нанесенного слоя диэлектрика на всю его глубину. Способ поясняется фиг. 1 - 5,Предложенный способ может быть осуществлен следующим образом.На фольгированной плате 1 фотохимиче ской обработкой фольги изготавливают контактные поверхности 2 (фиг. 1), Затем поверх контактных поверхностей наносят путем прессования слой фольгированного диэлектрика 3 (фиг. 2), в фольге 4 которого посред ством фотохимической обработки выполняютокна 5, площади которых меньше площадей контактных поверхностей 2 (фиг. 3). Через окна производят травление диэлектрика 3 до снабжения контактных поверхностей 2 15 (фиг. 4).После...

Номер патента: 412590

Опубликовано: 25.01.1974

Авторы: Всесоюзный, Институт, Магдинец, Маслюк, Проектный, Руднева, Тринд, Химической, Шепельска

МПК: G03C 1/72, G03F 7/00, G03F 7/12 ...

Метки: iсgt, еноеертов, композиция, фонд, фотополимеризующаяся

...и т, п.Известна фотополимеризующаяся композиция для изготовления копировальных слоев на основе эфиров акриловой кислоты в смеси с полиэтиленгликолями. Однако для нее характерна малая светочувствительность копировальных слоев, изготовленных на ее основе, а также низкая устойчивость к истиранию отвержденных слоев,Для повышения светочувствительности композиции и обеспечения износостойкости слоев, изготовленных на ее основе, в качестве фото- сшивающего соединения использован олигоуретанакрилат, а в качестве разбавителя - смесь спирта с ацетоном,Для приготовления светочувствительного копировального слоя в трехгорлый реактор с мешалкой загружают олигоурентанакрилат. Инициатор фотополимеризации растворяют в мономере, и полученный раствор...

Номер патента: 413224

Опубликовано: 30.01.1974

МПК: C23F 1/08, H05K 3/06

Метки: 413224

...роликами,нематическая сх для двусторон лей; на фиг. 2 д сбоку.меру травления 1, иковый транспортер збрызгивания рабоое устройство 6, выенных стяжками 7 На фиг. 1 изображена ки предлагаемой установки травления плоских дета прижимное устройство, ви Установка содержит ка камеру промывки 2, рол 3, устройства 4 и 5 для ра чих растворов и прижимн полненное в виде скреплпланок 8 с рядом отверстий, в которых свободно установлены оси 9 с прижимными роликами 10.Прижимное устройство б устанавливается5 на ролики транспортера 3 и ушками 11 фиксируется от горизонтального перемещения,Оси 9 с роликами 10 под действием собственного веса лежат на роликах транспортера12 и могут вертикально перемещаться в отвер 10 стиях планок 8 при прохождении...

Номер патента: 414330

Опубликовано: 05.02.1974

МПК: C09K 13/00, H05K 3/06

Метки: 414330

...для зравления пленок тантала иа диэлскрическои подложке, содср)каши 1 Ззонуо и фгорисуО кислоты.(.)днако и,)вес 1 иыи рзс ВОр рз )р) шзсДи э,1 ск)ри Оску)0 погьпкку, опа сзиовися ИСИРИГОДИОИ ДЛЯ ДЗГЬИЕИШСГО ИСПО,1 ЬЗОНЗПИЯ.Це;1 ь 1 зооре) сии)1 - сохранен)с диэлсктрическои подложки и повышение стаоильиосираствора.11 редлзгземы 5 растВор отличается ем, ЧТО В него дополни)ельно Введены уксуснз 51 кисло 13 и 230 нокислый из 1 ий при следуОщем соотношении исходных компонентов (вес. ч.):Азотная кислота, уд, вес 1,41 8 - 35 фтористоводородиая кислота 1 - 5 Уксусная кислота ледяная 10 - 40 Лзотнокислыи натрий 1 - 5.Уксусная кислота предохраняет диэлектрическуо подложку от разрушения, поскольку, вероятно, в,процессе травления на поверхнОсти...

Номер патента: 424333

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Гутров, Зелепухина, Изо, Полещук, Ревзин, Яровой

МПК: C23F 1/26, H05K 3/06

Метки: пленок, травления, хрома

...А, цацсгсшгую на керамическую подложку с 8 классом чистоты вакуумтермическим ггапылеогиезг, подвергают в,процессе фотолптографгпи ца гтадш дуоления фоторезиста нагревагцию на воздуе при 250 С в течение 0,5 час. Травление хрома производят в нагретом до 75 С 20%-ном растворе соляной кислоты, содержащем 60 г/л двухлористого олова.Время травлсния 15 сек. После раствсрегпия горсма ца незащищенныфоторезистом ъгаткагодложкъ промывагот Водои и Выс- шивают. В результате видимых следов ггестравленного рома на подложке под микро. скопом нс обнаружено.П р и м е р 2. На керазгггческуго подложку 7 класса чистоты наносят в вакууме двуглогное покрыт.ге из хрома (толщина 250 А) и меди (толщина 0,6 лгклг). После фотолитографии производилось...

Номер патента: 474960

Опубликовано: 25.06.1975

Автор: Лейзгольд

МПК: H05K 3/06

Метки: электрохимической

...и тет из 0 Устройствоботки деталей,дами, разделяюнии на ряд отдтем, что, с целвытравливаниятур, электродытуром ванны. та опубликования описания 12.01.76 Известно устройство для электрохимической обработки деталей, включающее ванну с электродами, разделяющими ее в поперечном сечении на ряд отдельных участков.Предлагаемое устройство отличается от известного тем, что электроды в ванне установлены без зазора с контуром ванны.Это обеспечивает равномерность вытравливания тонких металлических структур, например вольфрамовых сеток для ЭВП, масок для вакуумного напыления.На фиг, 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху,Устройство включает ванну 1 для электролита, внутри которой расположены фигурные катоды...

Номер патента: 474961

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Буравцев, Введенский, Ульянов

МПК: H05K 3/06

Метки: химической

...основания камеры выполнена с кольцевым пазом, а крышка установлена относительно основания с кольцевым капиллярным зазором.На чертеже приведена конструкция устройства.Устройство для химической обработки изделий содержит основание 1, крышку 2, центрифугу 8, эжекторы форсунок 4, мехаппзм 5 для отмь:вкп камеры, гермстпзирующпй узел подшипников 6.В основании 1 выпол;1 сн кольцевой паз 7,куда подается гермстпзпрующая жидкость.Жидкость с малой вязкостью может сливаться через каппллярцый зазор 8 в камеру. Во время обработки кольцевой паз 7 ззполцястся жидкостью, сила поверхностного натяжения которой такова, что зазор 8 прп низки.; О давлениях жидкости проявляст свойстьа ка.пилляра и удерживает ж 1 дкость, котора 51 предохраняет...

Номер патента: 481144

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Белевич, Шапкин, Шоршигин

МПК: H05K 3/06

Метки: заготовок, плоских, травления

...подаваемого из сопл.Ня чертеже показано описываемое устройство. Оно содержит камеру травления 1, в нижней части которой размещена направляющая 2, В пазу направляющей расположена кольцевая зубчатая кассета 3 с обрабатываемой заготовкой 4. В продольной плоскости кассеты смонтированы сопла 5 так, что их выходные отверстия расположены напротив уступов отдельных зубцов кассеты. Для циркуляции травителя в устройстве предусмотрен насос б с трубопроводом, расположенным в пазу направляющей. Прн включении насоса камера заполняетсятрявителем, после 1 СГО В нее зяГружяется кассета с обрабатываемой заготовкой (лист метялля нли фольГировяннОГО диэле 1 трикя с ня несе 1 гным защитным слоем фоторсзиста).В процсссе работы насоса травитель,...

Номер патента: 482032

Опубликовано: 25.08.1975

Автор: Богданов

МПК: H05K 3/06

Метки: печатных, плат

...и отверстий выполненывыступы, причем выступы под отверстиявыше. Прокладка может быть из различныхматериалов, например из резины, фибры,картона, линолеума. В процессе обжатиямедная фольга 1 плотно обжимает рельефматриц 3, при этом на выступах под проводники медь деформируется без разрывов,на выступах под отверстия фольга 1 вна- .чаде вытягивается, а затем вырубается,образуя воронку.После обжатия прессформу разнимаюти удаляют из нее прокладку, Вместе спрокладкой удаляются и вырубленные "кружки" фольги 1, а листы меди силами трения удерживают:я на матрицах 3,Вместо прокладки в пресс-форму закладывается диэлектрик 4 и при минимальномдавлении пакет нагревают. По достижениизаданной температуры диэлектрик 4 переходит в полужидкую фазу и...

Номер патента: 482927

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Коган, Сазонов, Смолянский, Файншмидт

МПК: H05K 3/06

Метки: печатных, схем

...со стали (железа) на медь, так как в железе выше концентрация свободных электронов, При этом 10 клише приобретает положительный заряд, амедная фольга - отрицательный, Так как клише принудительно углублено в материал фольги за счет сжатия, кристаллическая решетка меди по контуру выпуклостей клише 15 получает дополнительную энергию деформации, и атомы меди способны легче отдавать электроны в этом месте, чем в других местах металлического покрытия, Благодаря этому происходит преимущественное растворение 20 фольги по контуру матрицы с высаживаниемионов меди на всей оставшейся поверхности фольги.Эта стадия процесса заканчивается протравливанием металлического покрытия по кон туру выпуклости клише и потерей контактамежду участками...

Номер патента: 500608

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Гольцев, Ермаков

МПК: H05K 3/06

Метки: трафарета

...прочнос еиствию а, и ввл змож дыввют с воеской деформвн маски с послле заполнения око мас Для этого усилиеностью обеспечения ыбцра- мироввн ют так ллвсти ч вя ц о к дела уси 1 и всей соте я ло высо н и Ф орм изоб рет ен трефа чный разо ия усилц г мет лл.ет до прплоез; нв фиг, 2 пособ изготовления на креплении сетки е с окнами при по риала с приложе.че ю ш и й с я тем,трвфаретв, о к металличес ован ный же койего т ску 1 уюшег мвс маг щи связуюц мвсмате силин, о с целью Л Ц увеа ццц сетки зв пре дующим снятием сеткой окон мвск а фцг, 1 газо кении усилия, поп то жЕоПОСЛЕ ПРИЛ Трафарет соде ку 1 с окнами 2(61) Дополнительное к ав с присоединением заявк ллцческую мвску 1 с окнами 2,ую, например, фотолитогрвфиче-: ом,...

Номер патента: 508973

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Васильев, Гойденко, Дайнеко, Погоцкий

МПК: H01L 21/363, H05K 3/06

Метки: фотошаблон, эталонный

...шК-З 5, уи(с:,.5( ил . л. 4,. ПО исиоеССС Сл "(ио . Т(Л(Чф 5 1 ц"дъа должца бы) ь и,"Б( р:1 з,( Выше любОГО .1;1 кровыступа, цаход 1 цсгос 51 В зо;1 е (;)або 10) ф(1 Пи(1 б;10 иа, ч Г(н)ы искл(очить исиосрсдсВси. (ли жцтк Г жду рабОЯИ 1 И зц(1 м 5 ф 01(- шаблонов ири кот(1 к гной печати. Отс(ода И 1)сдъЯВл 5110 Гс 51 1 РСООВаии 51 и иод,Ожк 51 м, с"(еклОпластииа(1, примец 51 емьм при изГОтов,101 Пи фотошаблонов. Неровности подложки задаются, как ПЗВестцО, ее ГеплосОстиость 10 (Отк(10- цеиием От идеалы 101 11 лОскости 1,В результате, например, для изготовлсшя фотошаОлоцОВ с мииимальцьми размсрами элементов 5 - 8 мк Высоту опорных прсдохраиительцых плГщадок иеобходимО Выбрать О,б - 1,0 мк и использовать для изготовления фотошаблоцов...

Номер патента: 508974

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Корнюшин, Оренман, Фандеев

МПК: H01L 21/363, H05K 3/06

Метки: фотошаблон

...спектра, в которой производят совмещение, и непрозрачного для экспонирующего излучения.На чертеже изображена схема фотошаблона с базовыми метками.На нерабочей стороне фотошаблона 1 на ния.Совмещение полупроводниковой пластины,покрытой фоторезистом, с фотошаблоном производят по базовым меткам. Возможность сов мещения обеспечивается прозрачностью защитного покрытия в видимой области спектра.Затем полупроводниковую пластину вводят в контакт с фотошаблоном и экспонируют.Участки пластины, на которых расположены 15 базовые метки, остаются неэкспонированнымиблагодаря защитному покрытию и поэтому при проявлении и травлении они остаются покрытыми фоторезистом, то есть пригодными для следующей фотолитографии.20 Таким образом, неограниченное...

Номер патента: 516210

Опубликовано: 30.05.1976

Авторы: Васильев, Волков, Карантиров, Рюмшина, Хоперия, Шараев

МПК: H05K 3/06

Метки: фотошаблон

...Фотошаблон без каких-либо изменений выдерживает около 500 контактов, Сама же конструкция обеспечивает возможность изготовления на поверхности окнсленных пластинок кремния копий рисунка с пробельными участками шириной 2,5 мкм, с шириной штриха 2,5 мкм при неровности краев не свыше +0,3 мкм,На поверхность плоскопараллельной заготовки наносят термическим напылением пленку кремния. После этого последовательно обрабатывают металлизированную заготовку в растворе хромпика - 5 мин, дистиллированной воде - 5 мин, дистиллированной проточной воде - 10 мин и сушат с целью удаления следов азотной кислоты при 120 в 1 С в течение 15 мин.После подготовки подложка подвергается сенсибилизации, например, в растворе хлористого олова 40 г/л и НС 1 40 мл в...

Номер патента: 360009

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Костышин, Романенко, Цендровский

МПК: H05K 3/06

Метки: изображений, рельефных

...как при этом улучшается сцепление ,а границе слоев 2 и 3. Основной слой 2, например никель, лучше напылять на цодложо ку, чагретую до температуры 100 200 С, так как это улучшает адгезиь- слоя 2 с подложкой, После остывания подложки 1 наносят слой серебра 3 и слой сульфидмышьака 4. Толщины этих слоед подбирают таким образом, что в месте засвечнвания образца все серебро и сульфид мышьа 1 л всту-. пает в фотохимическую оеакцню между собой.360009 5 формула изобретения фиг. фц Составитель Г, ЧелейРедактор А. Морозова Техред Г. Родак Коррек Ковалева Тираж 1029 Подписное рственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий сква, Ж, Раушская наб., д. 4/5каз 4970/438ЦНИИПИ Госуда 113035,иал ППП Патент", г. Ужгород, ул....

Номер патента: 484816

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Боков, Гаденко, Гуржеев, Захаров, Иванов, Кандыба, Колесников, Корсаков, Лаврищев

МПК: H05K 3/06

Метки: фотошаблонов, цветных

...Корректоры: О. Тюрина и Т. Добровольская Редактор С. Хейфиц Изд.30 Тираж 1029 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное Заказ 82/3 Типография, пр. Сапунова, 2 чтобы перенести изображение эмульсионной маски на фоторезист. Последний проявляют в 2%-ном растворе тринатрийфосфата в течение 20 с при комнатной температуре. Участки фоторезиста, подверженные облучению, при проявлении удаляются. Фоторезист промывают водой и сушат ступенчато - сначала при 90 С в течение 15 мин, затем при 110 С в течение 20 - 25 мин.Подложку с изображением фотошаблона из фоторезиста помещают в катодную установку на водоохлаждаемый высокочастотный электрод. Из-под...

Номер патента: 553764

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Бабаков, Григорьева, Жучков, Зеленцов

МПК: H05K 3/06

Метки: контактов, многослойных, травления

...воспроизводимых результатов по номиналу,20 В травитель для никеля в качестве ингибитора вводят бихромат аммония (или калия) или сернокислую медь до насыщения. Бихромат создает на меди пассивную пленку, которая замедляет ее растворение при снятии слоя никеля. Насыщение травильного раствора сернокислой медью должно препятствовать новому поступлению ионов меди из напыленного слоя. Таким образом, и то, и лругое вещество играет роль ингибитора для меди. Оставшийся контактный слой меди травят в растворе с добавлением в качестве пнгибитора 5 - 15 г/л урогропина при комнатной температуре. Все это дает возможность избежать подтрава резистивного слоя и получить воспроизводимые номиналы.П р и м е р. В качестве многослойного контактного слоя...

Номер патента: 556570

Опубликовано: 30.04.1977

Авторы: Белевич, Самороднов, Шапкин, Шоршигин

МПК: H05K 3/06

Метки: кассет, кольцевых, между, перемещения, позициями, рабочими, травильной, установки

...на транзисторах 21 и 22, а их коллекторной нагрузкой являются электромагнитные реле 23 с магнитными пускателями 24.В автомате предусмотрено ручное управление освещением с помощью переключателя 25, имеющего три положения: Лвт., Выкл. и РучИсточником питания автомата служит какой-либо источник постоянного тока, например аккумулятор электрических часов.При установке автомата фоторезисторы, изолированные от попадания искусственного света и осадков, устанавливаются на место с беспрепятственным доступом естественного освещения, например на крыше здания, Ручка переключения 25 ставится в положение Авт Триггеры настраивают на разную чувствительность, т. е. потенциометрами 20 устанавливают напряжение, необходимое для перехода триггера из одного...

Номер патента: 556571

Опубликовано: 30.04.1977

Авторы: Белевич, Самороднов, Шапкин, Шоршигин

МПК: H05K 3/06

Метки: кассет, кольцевых, между, перемещения, позициями, рабочими, травильной, установки

...перекатывания кассет, между рабочими позициями направляющая выполнена ступенчатой.На фиг. 1 и 2 показаны принципиальнаясхема установки и разрез по А - А, где 1 - рабочая камера; 2 - туннельная камера; 3 - упор с приводом для кассеты; 4 - наклонные направляющие; 5 - кассета; 6 - обраоатываемая заготовка; 7 - уступы направляющих; 8 - форсунка; 9 - эксцентриковый привод кассет.Работает установка для двустороннего травления следующим образом.Загруженная в рабочую камеру 1 кассета 5с заготовкой 6 устанавливается на наклонные направляющие 4 или же передается по ним, 20 когда кассета с заготовкой попадает в однурабочую камеру из другой этой же установки.После установки на направляющих для вертикального поддержания кассета скатывается в рабочую...

Номер патента: 558431

Опубликовано: 15.05.1977

Авторы: Круглова, Лавин, Панина, Фадеев, Федоров, Федотова, Филатов, Шишков

МПК: H05K 3/06

Метки: двухсторонних, печатных, плат

...10 расходуется дороостоягцие серебро пли палладий, а в случае использования легкоплавкого припоя - очень большой расход припоя, так как облуживанпю подвергают поверхность всех проводников.15 Для повышения качества металлизации ог.верстий предлагается способ изготовления двусторонних печатных плат, согласно которому переходные отверстия выполняют и металлизируют до выполнения рисунка схемы, а 20 после металлпзацип отверстия заполняюттехнологическими проокап из легкоплавкого ПРПП 051.Пример. 11 асть заготовок для изготовленияпечатных схем размечают под отверстия лю бым извсстньм способом. Этп заготовки вдальнейшем явля,отея шаблонами разово: о и Ол ь 3 0 В а 11 я. С . а:к д ы .1 ш а Ол О но: с 0 О р а О Г пакет з...

Номер патента: 565419

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Бородин, Галактионов, Костромеев, Крук, Сапожков, Халанов

МПК: H05K 3/06

Метки: печатных, плат, травления

...8 травления в камере травления установлены на скобах 9 герметичные контейнеры 10 с размещенными в них источниками ультразвуковых колебаний, выполненными в виде пьезокерамических преобразователей 11, отделенных от травильного раствора 7 мембраной 12.Для концентрации ультразвуковых волн в рабочей зоне 8 травления и защиты стенок камеры 1 от воздействия активизированного ультразвуком травильного раствора, на контейнерах 10 установлены через звукоизолирующие фторопластовые прокладки 13 отражатели 14.Мембрана 12 и отражатели 14 выполнены из химически стойких материалов, Конвейер 4 механизма транспортировки проходит через камеры 1, 2 и 3, при этом нижняя ветвь 15 конвейера установлена выше уровня раствора 7 и ни один элемент конвейера не...

Номер патента: 626487

Опубликовано: 30.09.1978

Автор: Егоров

МПК: H05K 3/06

Метки: медной, печатной, платы, растворения, фольги

...для реализации предлагаемого способа приведена на чертеже.11 одлсжащую травлению плату 1 помещают между двумя сетчатыми анодамц 2 цз металла, устойчивого к действию трдвильцого раствора (нериявеющая сталь, никель и его сплавы). Прц пропусканиц тока через вспомогательные электроды кислород, выделяющийся цд сетчатом аноде, окисляет медь ца пробельных местах схемы. Окись меди растворяется в аммиачном растворс. На медшгх катодах 3 аммиачные комплсксы меди рязлаггцотся с выделением мсталлцческоц:,едц и свободного аммиак 1, т. е. происходит цспрсрывцдя рсгсцеряция травльпОГО 1 ясВора.р 1 м с р,ри про знодствс цсчдтцых плат цозитивнь 1 з способом ца заготовки из ДВУСТОРОЦНЕГО фОЛЬГИРОВЯННОГО СТЕКЛОПЛЯ- стцка наносят светочувствительный...

Номер патента: 745033

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Сергеев, Смоленская, Шагинов

МПК: H05K 3/06

Метки: печатных, плат

...для проводников;2 - фотореэистор; 3 - прозрачная пластина, которая плотно прижимается кзаготовке 4 - окрашенная жидкость,поглощающая свет 5 - кювета.,П р и м е р. На заготовке методом литья создают". рельефныйрисунок схемы. На станкес прог- ораммным управлением сверлят отверстия Для создания шероховатости осуществляют абразивнуюобработку поверхности платы и стенок отверстий и производят металлиэацию подложки методом химическогомеднения поверхности и стенок отвер- .стий,Покрывают заготовку слоей фоторе"виста ФПП окунанием и экспонируют26фоторезист и водном растворе чернойтуши.,Время экспонирования составляет10-15 мин, источником света КП,Проявление производят в 4-номрастворе питьевой соды, При этом 2фоторезист в углублениях и...

Номер патента: 790379

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Гусарь, Курбатова, Яковлев

МПК: H05K 3/06

Метки: раствор, удаления, фоторезиста

...фоторезиста к поверхности фольги и гальванического покрытия к фоторезисту затрудняют "набухание" и отслоение фоторезиста по краям проводников и контак тных площадок.Таким растворителем, обеспечиваю-. щим доступ раствора к краям провод790379 ю. О формула изобретения 15 20 25 5 - 92,2 - 40,1 - 0,2Остальное. ЗО 35 Составитель О. ПавловаРедактор Е. Лушникова Техред И,Асталош Корректор Е. Папп Заказ 9079/70 Тираж 885 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ников и контактных площадок, является этиленгликоль.Поскольку в растворе накапливаются ионы металлов, такие как свинецмедь, олово, в его состав...

Номер патента: 792615

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Богачева, Довженко, Сидоров

МПК: H05K 3/06

Метки: печатной, платы

...получитьпечатные проводники с повышенной плотностьюна печатных платах за счет проведения толькоодной фотолитографии. Вторая фотолитография,ограничивающая точность и плотность печатныхпроводников в данном случае заменена шлифовкой, при которой получают диэлектрическую маску, соответствующую рисунку первойфотолитографии, с исключительной точностью.На фиг. 1 - 6 приведена схема технологического процесса,На. обезжиренную поверхность заготовкипечатной платынаносят светочувствительный состав, экспонируют, проявляют и получают топологический рисунок схемы 2, вытравливают незащищенную медь 3, удаляютсветочувствительный состав и на всю платунаносят тонкий сплошной слой химическоймеди 4, Затем наносят диэлектрический материал 5 и...