Способ получения рельефных изображений

(и) 36 ООО 9 ОП ИСАИИЕЙЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВМДИИЛЬСТВУ Своз Советсва Соцналистицесаа Уеспубпии(51) М. Кл. Н 05 К 3/06 с присоединением заявкиГосударственный квинтет 6 еввта Иннннтрвн СССР нн денни нэебретвннй н вткрнпнй(45) Дата опубликовании описания 27.10.76(71) Заявитель Институт полупроводников АН Украинской ССР(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ НА СЛОЯХ МЕТАЛЛОВ, СПЛАВОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ Изобретение относитса к технологии производства элементов радиоаппаратуры иможет быть исполь:.ювано в микроэлектронике, литографии и оптотехнике.Известны способы получения рельефных 5изображений на слоях металлов, сплавов,полупроводников и диэлектриков нанесениемэтих слоев на подложки с последующимобразованием на них системы полупроводник-металл, используемой в качестве фоторезиста, печатанием изображения и химическим травлением.Однако известные способы не позволяютполучить четкое рельефное изображение повсей толщине системы, состоящей из основного слоя, на котором получают:;:льеф, ислоев светочувствительной системы образуюп 1 их фоторезист, так как состав травителаи фоторезиста не известен,С целью получения четкого рельефного 29изображения по цредлагаемому способу травления фоторезиста и основного слоя осуществляют одним травлением, вкачестве травителя используют хлорное железо, легированноемедью. Кроме того, с целью улучшения за щитных свойств фоторезнста в качестве фоторезиста используют систему сульфид-мышьяка-серебро, толщиной, соответственно 150- 350 А и 600-1000 А.На фиг. 1-5 показана послеловатхгьность получении рельефных изображений, где: 1- подложка, 2 - основной слой, на ктором получают рельефное изображение, 3- слой серебра 4 - слой сульфид мышьяка, 5 - слой в месте засвечивания, состоящий из продуктэв фотохимической реакции.Слой 2,3 и 4 получают напылением г вакуумной установке, причем напыление желательно производить без наруден:.я вакуума, так как при этом улучшается сцепление ,а границе слоев 2 и 3. Основной слой 2, например никель, лучше напылять на цодложо ку, чагретую до температуры 100 200 С, так как это улучшает адгезиь- слоя 2 с подложкой, После остывания подложки 1 наносят слой серебра 3 и слой сульфидмышьака 4. Толщины этих слоед подбирают таким образом, что в месте засвечнвания образца все серебро и сульфид мышьа 1 л всту-. пает в фотохимическую оеакцню между собой.360009 5 формула изобретения фиг. фц Составитель Г, ЧелейРедактор А. Морозова Техред Г. Родак Коррек Ковалева Тираж 1029 Подписное рственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий сква, Ж, Раушская наб., д. 4/5каз 4970/438ЦНИИПИ Госуда 113035,иал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Эти толщины изменяют в зависимости от интенсивности засвечивания, но оптимальный эффект дает следующее соотношение слоев:осульфщ мышьяка 150-350 А, серебро 600- 1000 А.Затем проекционным или любым другим способом производят частичное засвечивание образца (фиг. 2) через трафарет. В местах засвечивания происходит фотохимическая реакция между серебром и сульфидом 10 мышьяка, и основной слой оказываетсяпокрыт продуктами фотохимической реакции,Засвеченный образец погружают в раствор Ма.СО(фиг. 3), в котором снимают слой полупроводника в незасвеченных местах, травят в концентрированном растворе хлорного железа, легированного медью. Этим травителем травят незасвеченные участки фоторезиста и основной слой и получают изображение, вытравленное до подложки (фиг. 4). М После травления образец моют и сушат при температуре 100-200 С.Если с основного слоя нужно убрать осгатки светочувствительной системы или вуаль с подложки в вытравленных местахтоВ высушенный образец на несколько минут опускают в концентрированную соляную кислоту,затем протирают спиртом и сушат, получаярельефное изображение прочно связанноесо стеклом ( фиг. 5). 1. Способ получения рельефных изображений на слоях металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков нанесением этих слоев на подложки с последующим нанесением на них системы полупроводник-металл, используемой в качестве фоторезиста, печатанием изображения и химическим травлением, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения четкого рельефного изображения, травление Ьоторезиста и основного слоя осуществляют одним травителем.2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что в качестве травителя используют хлорное железо, легированное медью,3. Способ по и. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения защитных свойств фоторезиста, в качестве фоторезиста используют систему сульфид мьппьяка-серебро, толщиной соответственно 150-350 А и 600- 1000 Х.