Патенты с меткой «слособ»

Номер патента: 255284

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аракел, Данг

МПК: C07D 201/08, C07D 211/40, C07D 211/56 ...

Метки: а-алкил-б-арокси-у-(ы-р-аминоэтил, валеролактамов, слособ

...количественный; т. пл. 122 С.Найдено, %: С 70,20; Н 8,63; гч 9,60.С ггНзеО 2%Вычислено, %: С 70,31; Н 8,96; гч 9,65.Т. пл. пикрата 218 С.Найдено, %: С 53,00; Н 5,34; гч 13,28.СНО,1,-.Вычислено, %: С 53,17; Н 5,58; И 13.48.Т. пл. бензоильного производного 168 С.Найдено, %: С 73,36; Н 7,33; М 6,61.С 24 НзООзгч 2.Вычислено, %: С 73,09; Н 7,61; И 7,10. 2П р и м е р 2. В колбу на 50 мл, снабженную водоотделителем с обратным холодильником, помещают 30 лгг абсолютного толуола,0,01 моль а-бутил-б- (а-нафтокси) -у-валеро 5 лактона и 0,02 могь безводного этилендиамина. Смесь кипятят до прекращения выделения воды. После отгонки толуола остаток закристаллизовывается. Полученные кристаллыперекристаллизовывают из толуола.10...

Номер патента: 399089

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Карантиров

МПК: H05K 3/06

Метки: слособ, удаления, фоторезиста

...10 щелочных металлов, например калия, натрия и лития, и разрушение некоторых элементов микросхем, например алюминиевых контактов и проводников, в результате высокой концентрации ионов гидроксила щелочи. 15С целью устранения разрушения и загрязнения. элементов микросхемы по предлагаемому способу растворение фоторезиста осуществляют в водном растворе гидрата гидразина. 0об ос мости от материала подложки дубленности фоторезиста) . Рас дубленного слоя фоторезиста течение 2 - 5 яин, после чего извлекают, промывают деионизо и высушивают. Разбавление ги зина водой (регулируется водо затель раствора) производят н но перед удалением задубленно резиста. Выбор предлагаемого состава для удаления задубленного слоя фоторезиста обусловлен тем, что...