Зелепухина
Способ выращивания облепихи
Номер патента: 1766321
Опубликовано: 07.10.1992
Авторы: Баран, Зелепухина
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, облепихи
...СВИДЕТЕЛЬСТ Изобретение относится к области сельского хозяйства, в частности садоводства, и может быть использовано на предприятиях и в хозяйствах, производящих сбор дикорастущей облепихи,Известен способ создания облепихи без колючек путем селекции. Однако такой способ является сложным и требует значительных затрат.Наиболее близким по технической сущности является способ выращивания, включающий заготовку одревесневших черенков для размножения облепихи. Но при таком способе выращивания у растений облепихи не отмечалась потеря наследственного признака - колючек (Мочалов В,В. Облепиха, - Новосибирск: Зап,-Сиб. кн. изд-во, 1972, 79 с.),Целью изобретения является снижение трудозатрат при сборе урожая за счет получения растений без...
Способ сушки изделий
Номер патента: 573687
Опубликовано: 25.09.1977
Авторы: Зелепухина, Музыкант
МПК: F26B 5/08
Метки: сушки
...процесс сушки. 25Целью изобретения является сокращение экспозиции сушки.Это достигается тем, что перед центрифугированием кассету встряхивают,придавая ей при движении сверху вниз 30 ускорение величин,.= котсрого равна 1,5-2 величинам ускорения свободного падения.На чертеже схематически изображена с"шклка для осуществления описываемого способа.Сувалка содержит кассету 1, закрепленную на валу 2 с возможностью вращения,:.т привод 3. Подлежащие высушиванию иэделия помещают в кассету 1. Затем с помощью привода 3, например диафрагменного пневматического типа, кассету 1 с изделиями встряхивают, поднимая на расстояние 6-10 мм и опуская с ускорением, величина. которого равна 1,5-2 величинам ускорения свободного падения.Применение механического...
Способ травления пленок хрома
Номер патента: 424333
Опубликовано: 15.04.1974
Авторы: Гутров, Зелепухина, Изо, Полещук, Ревзин, Яровой
Метки: пленок, травления, хрома
...А, цацсгсшгую на керамическую подложку с 8 классом чистоты вакуумтермическим ггапылеогиезг, подвергают в,процессе фотолптографгпи ца гтадш дуоления фоторезиста нагревагцию на воздуе при 250 С в течение 0,5 час. Травление хрома производят в нагретом до 75 С 20%-ном растворе соляной кислоты, содержащем 60 г/л двухлористого олова.Время травлсния 15 сек. После раствсрегпия горсма ца незащищенныфоторезистом ъгаткагодложкъ промывагот Водои и Выс- шивают. В результате видимых следов ггестравленного рома на подложке под микро. скопом нс обнаружено.П р и м е р 2. На керазгггческуго подложку 7 класса чистоты наносят в вакууме двуглогное покрыт.ге из хрома (толщина 250 А) и меди (толщина 0,6 лгклг). После фотолитографии производилось...