H01J 27/00 — Приборы с ионным пучком

Номер патента: 48869

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Дубовский

МПК: H01J 27/00

Метки: ионный

...цилиндров (фиг. 2 - 4), где часть а разделяющих весь разрядный промежу-поверхности служит для у правления ток на ряд отдельных камер, В случае, разрядом, а другая часть б служит для если п лное напряжение включается увеличения емкости между управляюна все электроды последовательно ищими электродами и для распределераспределяется между ними равномерно,ления падения потенциала равномерно то между двумя соседними электродами; вдоль всего прибора по принципу емкогразность потенциалов оказывается не-стного потенциометра.достаточной для возникновения пробоя Электроды могут закрепляться на и, кроме того, наличие вспомогатель- стенках колбы, как показано нафиг.1,2 ных электродов уменьшает время деио- и 4, или же часть их крепится на...

Номер патента: 409126

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ленинградский

МПК: G01N 27/62, H01J 27/00

Метки: концентрации, объемной

...из дв к электродов:з внешнего цилиндрического электрода 4 ивцутрсицсго проволочного электрода 5; цзв 1 с 25 рите 1 иР 51 камера, состоящая из вцешнегоцилицдрического электрода 6, соединенного свкодом зарядочувствительного устройства, ивнутреннего заземленного металлического цилиндра 7.30 Пачки 8 заряжсннык аэрозольнык част)щ,409126 Составитель В, КимГскрсз Е. Борисова ректор Л. Царь кова рлова акРо о 1 зт Ъ 1118 Тирак 651 1 Государствсииого комитета Совсга Мииистрои ССС ио ислам изооретеиий и открытий Москва, Ж, Раушская иаб., а 4/5Полиииос формирующиеся в зарядной камере, проходят через отклоняющее устройство в измерительную камеру.Внешний (положительный) электрод 2 зарядной камеры установлен коаксиально с внутренним игольчатым...

Номер патента: 368674

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Комаров, Реута, Савельева

МПК: H01J 27/00

Метки: ионов, селектор

...пропускают ионы,находящиеся в определенном слое и обладающие определенной подвижностью,Работает селектор следующим образом.В момент поступления на вход селекторасгустка ионов на кольца 2 от формирователя 3 подается бегущая волна потенциалов р, например, в виде изображенного на фиг. 2 для фиксированного момента времени распределения ср по кольцам с номерами Л (верхняя часть) и соответствующего ему распределения напряженности электрического поля Е (нижняя часть), В этом распределении максимальная амплитуда напряженности поля ЗО Ез(Ез), созданная первой полуволной элект,о+ и омин - )Е,и - Оофмин -Еа и - оо Еа и - оо Еа 1 1 1 1 1111 1 1 9 и рических потенциалов, меньше максимальной амплитуды напряженности поля Е,(Е), созданной второй...

Номер патента: 382169

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Лазарев

МПК: H01J 27/00

Метки: заряженных, источник, частиц

...заряженных частиц. Поскольку основным физическим фактором в получении высоких концентраций заряженных частиц является двойной электрический слой, то, кроме положительных ионов, из источника можно отбирать отрицательные ионы.382169 3 Формула изобретения едактор Т. Кузнецова Техред И. Заболотнова Корректор С. Файн аказ 23/26 Изд.651 Тираж 784 Подписное ПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открыти 113035, Москва, )К, Раушскан наб., д. 4/5. Харьк. фил. пред. аПате На чертеже, изображен один из возмюжнь 1 х вариантов схемы источника.Схема включает Б себя катод 1, представляющий собой, например, никелевую проволоку диагметром 0,5 мм, покрытую оксидным составом (катод может быть любым из применяемых в газоразрядных...

Номер патента: 964786

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Кульварская, Мантрова, Яковлева

МПК: H01J 27/00

Метки: ионов, эмиссии

...начальный ток проводимости и, следовательно, начальный ток эмиссии, исходя из приведенных соотношений, имею =+так как б 2 - 1 и 2 кол 5 л 2 + йс й 2 то Е, уЦк лВ результате процесса миграционной поляризации и образования пространстО венного заряда ионов в слое у поверхности эмиттера, задерживающего движение ионов к поверхности слоя, напряженность поля в слое .со временем изменяется.по закону Е = Е е М 2, где- постоянная времени процесса пе рераспределения поля, уменьшение напряженности поля приводит к умень" шению тока проводимости и соответственно тока эмиссии ионов в вакуум. 2 ОПри включении источника отрицательно заряженных частиц, электрически соединенного с эмнттером ионов, на поверхности эмиттера ионов в силу ограниченной...

Номер патента: 1076982

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Демирханов, Днестровский, Костомаров, Сидоров, Стрижов, Хорасанов

МПК: H01J 27/00

Метки: ионов, многозарядных

...ионы, которые Осугцествляют следующим образуются в плазме в течение разряла, не накапливаются в центре шнура, а Лиффундируют наружу и достигают границы плазмы раньше, чем полностью рекомбинируют. Введение ионизируемого вещества в плазму можно осугцествить разными способами: нанося его на диафрагму, распыляя крупинки в разрядной камере вне объема плазмы или вводя их внутрь шнура.Если для источника ионов выбрать токамак средних масштабов с параметрамиа = 10 см, К = 50 см, Вт = 30 КГс, ц = Ъ (1) где а и К - малый и большой радиусы тора; Вт - тороила.чьное магнитное поле;соэффициент запаса устойчивости, то врея жизни ионов в объеме плазмы, Оцененое по известным скейлингам, оказывается5 15 20 25 30 35 40 45 50 55 пордка 1 = 1 5 мс . средней...

Номер патента: 1308091

Опубликовано: 07.06.1988

Автор: Колыгин

МПК: H01J 27/00

Метки: ионов, источник

...ионизатораОн содержит иониэатор 1, испари- потенциал и перекрытое сеткой отнерстель 2, шток 3, вакуумный шлюз 4, 15 тие, а также размещенного вслед эа катоды 5 нагрева иониэатора и испа- ним в определенном положении относирителя, тепловой экран 6, извлекаю" тельно нонна-оптической системы охщий электрод 7, отверстие 8, пере- лаждаемого и находящегося под потенкрытое сеткой, охлаждаемый отражаю- циалом иониэатора отражающего электщий электрод 9, коническое отверстие 20 рода предложенной формь, позноляет 10, теплообменник 11, ионна-оптичес- наиболее полно собрать образующиеся кую систему 12, вытягивающий элект- ионы пробы, снизить их разброс по род 3 ионна-оптической системы.энергиям до теплового, устранить наиУстройство работает...

Номер патента: 1603545

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Егоров, Иванов, Тараненко, Шулико

МПК: H01J 27/00, H05H 1/00

Метки: ионов, потока

...большейконцентрацией, чем в случае обычного(известного) пеннинговского разряда.Подвижность электронов поперек магнитного поля В сВязи с ВысОким урОВнем турбулентности плазмы при развитии пучково-плазменной неустойчивости значительно выше в предлагаемомспособе, чем в известном, Высокаяконцентрация плазмы в прианодном слоеи большая поперечная подвижность электронов слоя приводит к росту анодного тока и, соответственно, к увеличению потока ионов.На чертеже показана схема установ-,ки для реализации способа,Установка содержит электроннуюпушку 1, стеклянную рабочую камеру2, катушки 3 постоянного магнитногополя, медный полый цилиндр 4, диафрагмы 5 и цилиндр Фарадея 6.Способ осуществляется следующимобразом.Электронный пучок, сформированный...

Номер патента: 1463051

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Варенцов, Матышев

МПК: H01J 27/00

Метки: ионных, источник, пучков

...резервуар 6 с жидким .металлом подается напряжение порядка 3"1 О кВ отцосительно заземленного сверхзвукового сопла 1 и корпуса иоцизатора 4, Острие 7 является анодом, а отверстие 10 в торце корпуса ионизатора выполняет роль экстрактора ионов.Работает источник ионов следующим образом.При истечении нейтрального газа- носителя (водород, гелий, неон, азот, аргон, криптон, ксеноц, воздух) из камеры 2 цапуска через сверх звуковое сопло 1 в вакуум образуется сверхзвуковая струя газа, Сверхзвуковая струя гаэа-носителя обтекает корпус иоциэатора 4 и смыкается за его торцом, образуя в области зкстрактора разрежение. Таким образом реализуются условия, позволяющие поддерживать разность потенциалов между экстрактором и острием 7. Ионы рабочего...

Номер патента: 1561744

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Журавлев, Никитинский, Стогний

МПК: H01J 27/00

Метки: ионов, источник

...пучка плазменным электронам.Ионы плотной плазмы в контрагирующем отверстии 3, поступая на границу двойного слоя, ускоряются его полем и в виде расходящегося направленного потока движутся к границе отбора в пучок. Таким образом, происходит формирование в источнике ионов: предускоренной компоненты. Кроме нее в пучок отбираются ионы из плазмы в полом катоде и, в общей сложности, ток пучка ионов достигает 0,1 части тока разряда.Органиэация разряда в источнике ионов по двухкаскадной схеме, когда объемная генерация заряженных частиц происходит как в полом катоде электронами со стенок катодной полости, осциллирующими в ней после ускорения в слое катодного падения потенциала, так и при плазменно-пучковых взаимодействиях в контрагирующеМ...

Номер патента: 1698912

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Голованивский, Дугар-Жабон

МПК: H01J 27/00

Метки: генерации, ионов, многозарядных

...время пребывания в этой области(области, обдирки) на много порядковпревьпиает это же время в прототипе,увеличивая во столько же раз вероятность ионизующего столкновения, чтои обеспечивает низкую энергетическуюцену иона.Потери электронов иэ области удержания (магнитной ямы) компенсируютсянепрерывной инжекцией низкоэнергетического электронного пучка, Ионы,которые образуются в результате соударений атомов и ионов с высокоэнерге-тическими электронами, находятся вотрицательной потенциальной ямеэлектронной плазмы, чем и обеспечива-.ется тем более длительное их удержание, чем выше их заряд, В этих условиях поддержание несамостоятельногоразряда и процессы ионизации происходит при давлениях рабочего газаниже 1 10 торр.Устойчивость плазмы...

Номер патента: 1067972

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Лазарев

МПК: H01J 27/00

Метки: ионов, отрицательных

...атом присоединяетдополнительный электрон, который иобуславливает отрицателъееый заряд от -рицательцого иона исходного вещества.При преобразовании положительногоиона в отрицательный ион необходимопо крайней мере два электрона, одиниз которьгх необходим для рекомбинации, полохпетельного иона, а другойдля образования отрицательного иона. ОПричем в момент рекомбинации иона образуется возбужденный атом, которьпезахватывает второй электрон, если образованньпе при этом отрицательныйион будет находиться в возбужденном ,цквазистациоцарном состоянии с энер гией возбуждения, равной одному извозможных энергетических уровней возбуждения, Поскольку указанный процесспроисходит при вполне определенныхуровнях энергии возбуждения атома,которые...

Номер патента: 1421174

Опубликовано: 23.05.1992

Автор: Лазарев

МПК: H01J 27/00

Метки: ионов, отрицательных

...положительнымиионами и нейтралами. Группа Н , соответствующая лику .13, не изменяет своего положения в спектре в зависи- . мости-от изменения напряжения Б что указывает па та, чта эта группа образуется у поверхности электрода 6,з 142117по-видимому, в результате десорбцииили отражения нейтралов в виде НВ отличие от групп Н , соответствующих пикам 14 и 15; энергия которыхувеличивается с увеличением напряжения 01, энергия группы Н , соответствующей пику 16, уменьшается с увеличением напряжения 01 между электро"дами 5 и 6, что указывает на торможение группы положительных ионов в. электрическом поле между электрода ми 6 и 9 и образование отрицательныхионов,Таким образом, в ускоряющем дляэлектронов и отрицательных ионов иодновременно...

Номер патента: 1589900

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Солоница, Татусь, Хоренко, Чеканов

МПК: H01J 27/00

Метки: ионного, многокомпонентного, пучка

...образом.В источник ионов, являющийся модулем системы для получения многокомпонентного ионного пучка, наиболее удаленньп 1 от магнита, через отверстие 20 напускают газ, имеющий минимальное отношение массы к заряду иона, затем подают нсе потенциалы, создающие электрические и магнитные поля, необходимые для получения плазмы в разрядной камере 15, после чего создают разрядность потенциалов между камерой 15 и ионопроводом 13. Включают питание электромагнита и увеличивают магнитное поле до получения максимальной неличины силы тока пучка ионов на детекторе (не похазан), расположенном на оси ионопровада после щели 9. Затеи разность потенциа-,1589900 лов, задаваемую источником 23 питания уменьшают до тех пор, пока силатока пучка. станет равной...

Номер патента: 1457709

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Иванов, Листратенко, Солоница, Татусь, Чеботарев, Чеканов, Чечельницкий

МПК: H01J 27/00

Метки: имитации, повреждений, реакторных

...источников металла 1 и газа 2, а ионные пучки входят в систему 4 совмещения. Пучок ионов метал"ла, например Вьизвлекается из раз"рядной камеры 1 1, размещенной в магнитном зазоре системы 4 совмещенияи по круговой орбите радиуса К и; про"50ходит в магнитном поле системы совмещения. Полем магнита системы совмещения пучок ионов металла сепарируется и направляется к выходнойщели 9. Одновременно с пучком ионов 55металла пучок ионов газа, напримерНе+ извлекается из источника 2 газовых ионов, Фокусируется линзой 3 и попадает в магнитное поле системы 4совмещения,где он,проходя по круговойорбите радиуса В, также сепарируется и совмещается с пучком ионовметалла на выходе из системы совмещения. Далее полученный смешанныйпучок ионов металла и газа...

Номер патента: 1625256

Опубликовано: 30.12.1993

Автор: Иванов

МПК: H01J 27/00

Метки: газовый, ионного, нейтрализатор, пучка

...22 насоса 4 подачи, разгоняется этим ротором, и при выходе из-под15 поверхности внешнего ротора 10 отрывается по касательной и пересекает камеру перезарядки 1 вдоль пунктирной линии начертеже, Диаметр потока нейтралиэующегогаза определяется поперечным сечением20 паза 24, Формирующего поток. Прошедшийчерез камеру 1 поток глубоко проникает вустановленный по касательной всасывающигл конец части паза 19 центрального ротора 18 насоса 5 отбора и отводится ротором25 18 к выходу насоса 5, откуда через выходнойфланец 13 и трубопровод 14 вновь перетекает к Фланцу 12 насоса 4 подачи, а оттуда -к всасыва ощгмконцу паза 24 этого насоса.-эсть паза 21 центрального ротора 22 и30 винтовые канавки 23 внешнего ротора насоса 4 подачи, а также винтовые...

Номер патента: 1568793

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Богатырев, Никитинский, Объедков, Стогний

МПК: H01J 27/00

Метки: заряженных, источник, частиц

ИСТОЧНИК ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ, содержащий полый катод с эмиссионным каналом в торце, анод и ускоряющий электрод, отличающийся тем, что, с целью упрощения системы электропитания, в него введена вспомогательная камера, охватывающая полый катод и оснащенная диском, расположенным в плоскости торца катода и образующим с катодом кольцевую щель, при этом площадь щели Sк < 10-2Sп, где Sп - площадь поверхности вспомогательной камеры.

Номер патента: 1734510

Опубликовано: 27.03.1995

Автор: Никитинский

МПК: H01J 27/00

Метки: заряженных, источник, частиц

1. ИСТОЧНИК ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ по авт. св. N 1568793, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности включения источника за счет обеспечения стабильности возбуждения самостоятельного дугового разряда, в полости вспомогательной камеры соосно основному диску установлен по меньшей мере один дополнительный диск, образующий с внешней поверхностью полого катода, кольцевую щель, площадь Se которой выбрана из условияSe > 10-2 Sm,где Sm - площадь части внутренней поверхности вспомогательной камеры, отделяемой дополнительным диском в направлении от анода.2. Источник по п. 1, отличающийся тем, что вспомогательная камера со стороны анода выполнена с...

Номер патента: 1790314

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Осипов, Чесноков

МПК: H01J 27/00

Метки: газоразрядного, ионно-оптическая, ионов, источника, широкоапертурная

...была бы мала по отношению ктоку ионов, прозрачность сеток должнабыть не менее 95 . Таким образом, сетка 3служит для извлечения и формированияионного пучка, а сетка 4 - для подавления 40электронной эмиссии на коллекторе.В экспериментах использовалисьсетки,изготовленные из проволоки диаметром 2р= 0,2 мм с шагом 5 = 10 мкм и расположенные на расстоянии друг от друга б = 40 мм, 45Расстояние сетки 4 ускоряющего электрода2 до коллектора 5 бсх = 150 мм, а расстояниеот эмиттера ионов 1 до сетки 3 извлекающего электрода 2 бсэ = 20 мм,Даже при высокой геометрической прозрачности и большой электрической прониаемости подавление вториной эмиссии сетки 4 происходит при потенциале Ос300 В, при энергии ионов Оэ 100 к В и ); =- 5 10А/см (по...

Номер патента: 1545829

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Белых, Евтухов, Редина

МПК: H01J 27/00

Метки: возбуждения, ионов, источник

Источник возбужденных ионов редкоземельных элементов и элементов переходной группы, содержащий анодную камеру с полостью, заполненной рабочим веществом, накальный катод, ускоряющий и фокусирующий электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента ионизации и светимости ионного пучка, катод выполнен в виде спирали, размещенной в полости анодной камеры, коаксиально ей на уровне выходного сечения камеры, при этом между катодом и анодом включен дополнительный источник смещения потенциала одноименной полярности.

Номер патента: 1213904

Опубликовано: 27.04.1998

Авторы: Абакумов, Абияка, Коврижных, Левщук, Носков, Орликов, Чикин

МПК: H01J 27/00

Метки: ионной, проволочных

1. Устройство для ионной обработки проволочных материалов, содержащее корпус в виде полого цилиндра, внутри которого соосно размещена газоразрядная камера с цилиндрическим анодом и плоскими катодами, и расположенные в торцевых крышках корпуса держатели обрабатываемой проволоки, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности устройства, внутри анода коаксиально ему установлена металлическая цилиндрическая сетка, при этом сетка и анод снабжены буртиками, направленными навстречу один другому и образующими кольцевые зазоры, напротив которых в торцевых крышках корпуса установлены катоды, выполненные в виде колец.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, с целью непрерывной поточной обработки проволоки, на торцевых крышках...

Номер патента: 1589901

Опубликовано: 20.12.1998

Автор: Орликов

МПК: H01J 27/00

Метки: ионной, проволочных

Устройство для ионной обработки проволочных материалов по авт.св.N 1213904, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и качества обработки за счет определения времени окончания обработки, в устройство введена дополнительная камера с системой откачки, установленная перпендикулярно оси симметрии устройства, при этом входное отверстие камеры расположено в полости, образованной внутренним электродом газоразводной камеры, внутри камеры и соосно ей размещена коническая полость с системой откачки и детектором материала проволоки, причем вершина полости обращена к входному отверстию камеры и в ней выполнено отверстие, соосное отверстию камеры и приемному отверстию детектора.

Номер патента: 1045778

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гуров, Шеретов

МПК: H01J 27/00, H01J 49/10

Метки: ионов, источник, лазерно-плазменный

1. Лазерно-плазменный источник ионов, содержащий оптический квантовый генератор с модулированной добротностью, систему фокусировки лазерного излучения на поверхности мишени, систему формирования ионного потока из лазерной плазмы, ионно-оптическую систему, ось которой нормальна поверхности мишени, и электрод с селектирующей щелью, расположенной в плоскости фокусировки первого порядка по углу, отличающийся тем, что, с целью снижения дисперсии зарядового состава пучка и фонового излучения, система формирования ионного потока выполнена в виде двух соосных внутреннего и внешнего усеченных конусов, продолжения образующих которых пересекаются в одной точке, лежащей на поверхности мишени, боковые...

Номер патента: 1514174

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Лежнев, Сеняткина, Сихарулидзе

МПК: H01J 27/00

Метки: жидкометаллический, ионов, источник

Жидкометаллический источник ионов, содержащий острийный эмиттер, экстрактор в виде диафрагмы с отверстием, соосным эмиттеру, соединенные с источником высокого напряжения, отличающийся тем, что, с целью увеличения ресурса источника, диафрагма экстрактора снабжена со стороны эмиттера осесимметричным кольцевым выступом, заканчивающимся острийной кромкой, при этом длина выступа 3 - 10 мм, а диаметр кромки 3 мм.

Номер патента: 1380522

Опубликовано: 27.03.2000

Автор: Сафонов

МПК: H01J 27/00

Метки: ионов, источник, многозарядных

Источник многозарядных ионов, включающий инжектор форплазмы, ступени наработки многозарядных ионов, систему экстракции ионов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода многозарядных ионов путем снижения их потерь, ступени наработки многозарядных ионов расположены с двух сторон инжектора форплазмы, причем ступени наработки многозарядных ионов выполнены сообщающимися и введен многоканальный сепаратор ионов по удельному заряду, а каждая пара соседних каналов сепаратора имеет общий магнит.