Запоминающая матрица
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОКИ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 159 4 6 11 С 11/14 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) Балбашов А.М. и др. Магнитные материалы для микроэлектроники, М.: Энергия, 1979.Авторское свидетельство СССР В 486375, кл, С 11 С 11/14, 1973. (54) ЗАПОМИНА 101 ЦАЯ МАТРИЦА (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств с произвольной выборкой. Целью изобретения является упрощение запоминающей матрицы и считывание информации без разрушения..801273997 А 1 Запоминающая матрица содержит диэлектрическую подложку 1, на которойразмещен слой магнитоодноосного доменосодержащего материала 2 с информационными ячейками 3 и ячейками длясчитывания информации 4, расположенными между взаимоортогональными параллельными проводниками двух групп5 и 6, изолированных друг от другаслоем изолирующего материала 7. Информационные ячейки 3 представляютсобой монодоменные области, направление намагниченности в которых определяет код записанной информации.Ячейки для считывания информации 4представляют собой монодоменные об=ласти, намагниченность которых имеет одно и то же направление. Проводники группы 5 выполнены из магниторезистивного материала. 2 ил.1273997 40 45 50 Формула изобретения55 Запоминающая матрица, содержащаядиэлектрическую подложку, на которой Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь5 О 5 20 25 го проводника группы 5 вследствие возникновения в нем магниторезистивного эййекта. Это позволяет определить код записанной информации в выбранной инйормационной ячейке 3.Рассмотрим работу запоминающей матрицы на конкретном примере. Пусть необходимо записать код информации 1 в информационную ячейку ц с координатами ХУ (Фиг.2) . Для записи кода "1" по соответствующему проводнику группы 5 подается импульс тока записи 1 у, а по соответствующему проводнику группы 6 подается импульс тока записи 1 х. Под действием магнит ного поля импульсов тока записи 1 х и 1 у происходит намагничивание ячейки о в состояние, соответствующее коду инормации "1", Для записи кода информации "О" в ячейку о полярность импульсов тока 1 х и 1 у необходимо изменить на противоположную, При чтении инормации изинформационной ячейки р по проводнику группы 5 подается импульс тока 1 у, полярность которого соответствует импульсу тока 1 у, подаваемому при записи кода. "1" в инйормационную ячейку о, а по проводнику группы 6 подается импульс тока 1 х, полярность которого соответствует полярноститока 1 х, подаваемому при записикода "О" в ячейку а. Под действиеммагнитного поля этих токов ячейкадля считьвания информации 6 перемагничивается в монодоменное состояние с направлением намагниченности соответствующим направлению намагниченности запоминающей ячейки с когда в цее записан код "1".Если в информационную ячейку а записан код , то электросопротивление участка 8, расположенного между ячейками а и Ь,увеличится в силу магниторезистивного эффекта. Если в инйормационную ячейку а записан код "О", то электросопротивление участка 8, расположенного между ячейками а и Ь уменьшится. Изменение электросопротивления позволяет определить код записанной инФормации в ячейке й,Г 1 171 9 Г 1 17 Г 13Ф 117 91 Г 11 3 Г 31 Составитель Н.РозентальРедактор А.Долинич Техред И.ПоповичКорректор А.Тяско Заказ 6482/50 Тираж 543 Подписное БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул, Проектная, 4 размещен слой магнитоодноосного доменосодержащего материала, на который нанесены две группы взаимоортогональньгх параллельных проводников, разделенных между собой слоем изолирующего материала, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью упрощения запоминающей матрицы и считывания информации без разрушения, параллельные проводники одной группы , выполнены из магниторезистивного материала.
СмотретьЗаявка
3891190, 02.04.1985
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5489
КУПЕРМАН СЕРГЕЙ ЛЬВОВИЧ, БОЛДЫРЕВ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ, МОЩИНСКИЙ БОРИС ВЛАДИМИРОВИЧ, ЧЕЛЬДИЕВ МАРК ИГОРЕВИЧ, КРУПСКИЙ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающая, матрица
Опубликовано: 30.11.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1273997-zapominayushhaya-matrica.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающая матрица</a>
Предыдущий патент: Формирователь импульсов считывания для блоков памяти
Следующий патент: Канал для продвижения полосовых магнитных доменов
Случайный патент: Видоизменение прибора для измерения силы звука