Элемент памяти

ОЮЗ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСНРЕСПУБЛИК ЯО. 41286 4 С 11 С 11 НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ДЕТЕЛЬСТВ ОРСКОМ К довогонженеровьского хозации се а, 1979 ть использовано в з на х ГОСУДАРСТВЕННЫЙ.КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ(71) Ташкентский ордена ТрКрасного Знамени институтирригации и механизяйства(57) Изобретение относится к вычислтельной технике и автоматике и може устройствах, в устройствах бесконтактного ввода информации в ЭВМ,в кодирующих устройствах и др. Цельюизобретения является упрощение элемента памяти. Элемент памяти содержит высококоэрцитивную (400-1200 А/м)ферромагнитную проволоку с ППГ, немагнитный материал (например, медь),осажденный на проволоку, и электрохимически осажденную на материал нифзкокоэрцитивную (160-240 А/м) магнитную пленку. Во время работы в зависимости от величины внешнего магнитного поля элемент памяти устанавливается в одно из двух устойчивых магнитных состояний на ППГ. Переход изодного устойчивого состояния в другоеосуществляется путем когерентноговращения за время порядка нескольких12412Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминающих устройствах, в устройствах бесконтактного ввода информации в ЭВМ,в кодирующих устройствах и др,Целью изобретения является упрощение элемента памяти.На фиг. 1 и 2 показано распределение намагниченности в элементе па Омяти при наличии и отсутствии внешнего магнитного поля; на фиг. 3 -петля гистерезиса элемента памяти.Элемент памяти (фиг. 1 и 2) содержит высококоэрцитивную (400-1200 А/м) 15ферромагнитную проволоку 1 с прямо -угольной петлей гистерезиса (ППГ),немагнитный материал (например,медь) 2, осажденный на проволоку 1,и электрохимически осажденную на материал 2 низкокоэрцитивную (160240 А/м) магнитную пленку 3.Оси легкого намагничивания ферромагнитной проволоки 1 и пленки 3 направлены вдоль оси проволоки. Эффективная площадь сечения проволоки 1может иметь значение, настолько близкое к значению эффективной площадисечения пленки 3 (толщина которой 1 -2 мк), насколько это позволяет техно- ЗОлогия осаждения пленки, что значительно расширяет пределы микроминиатюризации элемента памяти. Представляется возможным изготовить элементы памяти диаметром 0,01-0,1 мм и З 5длиной 5-10 мм.Предлагаемый элемент памяти работает следующим образом.При воздействии достаточно сильного внешнего магнитного поля элемент 40памяти устанавливается в первое магнитное состояние насыщения (фиг.1),соответствующее точке "установки"петли гистерезиса на фиг. 3. При этомэлемент памяти фактически является 45постоянным магнитом, так как направления намагниченности проволоки 1 86 2и пленки 3 совпадают, а магнитныйпоток замыкается по воздуху.При уменьшении магнитного поля .до определенной величины, соответствующей точке "сброса" петли гистерезиса (фиг. 3), происходит переключение элемента памяти во второе магнитное состояние, когда ппенка 3 пере -магничивается в противоположном направлении, а магнитный поток замыкается внутри образца (фиг. 2), Еслирядом с элементом памяти разместитьдетекторную обмотку, то в ней приэтом будет генерироваться импульс,Так как,при определенной системевоздействия внешнего магнитного поляперемагничивание пленки 3 может происходить путем когерентного вращенияза время порядка нескольких наносекунд, то продолжительность электрического импульса на выходе уменьшается, что позволяет считывать большее,количество импульсов .за единицу времени. Этот факт наряду со стабильностью параметров от образца к образцу при непрерывном осаждении пленки значительно повышает точность измерения устройств на основе предлагаемого элемента памяти,Формула изобр ет енияЭлемент памяти, содержащий два коаксиально рас.положенных ферромагнитных цилиндра с прямоугольной петлей гистерезиса, оси легкого намагничивания которых направлены вдоль оси цилиндров, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения элемента памяти, он содержит немагнитный материал, расположенный между ферромагнитными цилиндраьщ, причем внутренний ферромагнитный цилиндр выполнен в виде высококоэрцитивной ферромагнитной проволоки, а внешний ферромагнитный цилиндр - в виде низкокоэрцитивной магнитной пленки.124 128 б цз 3 Составитель Ю.РозентТехред О.Сопко Корректор Е.Рошк едактор Т фенов 3/46 Тираж 543ВНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений и открытий 035, Москва, Ж, Раушская наб.,ПодписноССР Зак 4/ Производственно-полиграфическое предприятие, г,Ужгород, ул, Проектная, 4 33 1 2