Способ формирования магнитного поля смещения в запоминающем устройстве на цилиндрических магнитных доменах

( 5 1 ) 4 С 1 1 С 1 1 / ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 и универГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТНОГОПОЛЯ СМЕЩЕНИЯ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД. Цельюизобретения является повышение точности формирования магнитного полясмещения в ЗУ на ЦМД. В соответствиис предлагаемым способом постоянныемагниты, входящие в состав запоминающего модуля ЦМД ЗУ, намагничивают, до насыщения внешним магнитным полем и затем снижают намагниченность, причем понижение намагниченности осуществляют локальным отжигом участков постоянных магнитов при температуре среды, на 20-30 С меньшей температуры Кюри, путем разогрева отдельных участков постоянных магнитов до температуры, на 10-20 С превышающей температуру Кюри. Суммарную площадь участков определяют по формуле Ящ =(1-Я)/Ь (Н,-Н)/Н где Я - площадь постоянных магнитов, 1 - толщина постоянных магнитов, Ь - глубина с. отжига, Н 0 - напряженность магнитно- ф го поля, создаваемого постоянньии магнитами, намагниченными до насыщения 1 Н - величина напряженности маг- С нитного поля смещения. Локальный отжиг указанных участков производят на глубину 0,05-0,5 толщины постоянных магнитов в течение времени 61 =(Ь/1) , где- время типовой диф" фузии. 1 з.п. ф-лы.50 55 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Целью изобретения является повышение точности формирования магнитного поля смещения в ЗУ на ЦМД.В соответствии с предложенным способом постоянные магниты, входящие в состав запоминающего модуля ЦМД ЗУ, намагничивают до насыщения внешним магнитным полем и затем снижают намагниченность, причем понижение намагниченности осуществляют локальным отжигом участков постоянных магнитов при температуре среды,она 20-30 С меньшей температуры Кюри путем разогрева отдельных участков постоянных магнитов до температуры,она 10-20 С превышающей температуру Кюри. Суммарную площадь участков определяют по формуле где Б - площадь постоянных магнитов;толщина постоянных магнитов;Ь - глубина отжига;Н - напряженность магнитногоаполя, создаваемого постоянными, намагниченными до насыщения;Н - величина напряженности магнитного поля смещения.Локальный отжиг указанных участков производят на глубину 0,05-0,5 толщины постоянных магнитов в течение времени д=( - )где- врелч мя тепловой диффузии.Поскольку напряженность магнитного поля в системе определяется намагниченностью постоянных магнитов и геометрией системы, то при локальном отжиге изменение напряженности поля является следствием уменьшения средней намагниченности единицы объема постоянных магнитов. При этом относительное изменение напряженности поля в системе пропорционально суммарной площади отложенных участков.Понижение намагниченности постоянных магнитов, намагниченных до насышения путем локального отжига, потзволяет плавно регулировать напряжен 5 10 15 20 25 30 35 40 45 ность магнитного поля в запоминающем модуле без снижения временнойстабильности магнитов по отношению к процессам старения,П р и м е р, В соответствии спредлагаемым способом проводят формирование поля смещения в запоминающем модуле на ЦМД в системе, содержащей два одинаковых постоянных магнита, изготовленных из бариевого феррита размером 22"22 мм и толщиной0,5 мм, растекатели и магнитный экран, Температура Кюри для данногосостава магнитов 420 С. Намагниченныедо насыщения во внешнем поле 19,5 кЭпостоянные магниты создают поле всистеме напряженностью 167 Э, Площадь области однородности составляет85 мм . При этом относительная иеод 2нородность поля д Н/Н=15 , где Н -напряженность магнитного поля вцентре системы, а дН - разность напряженностей в центре и на краях.Понижение намагниченности постоянных магнитов производят с помощьюлазерного луча, сфокусированного впятно диаметром 0,5 мм и мощностьюР=8 Вт. Способ выбора участков, подвергаемых локальному отжигу, определяют в соответствии с картиной распределения поля в системе, Так какнапряженность поля в центре на 10157. больше, чем на краях, то локальному отжигу подвергают участки центральной области постоянных магнитов,Отжигаемые участки имеют вид полос,что достигается сканированием лазерного луча, ширина полос и расстоя-ние между ними соответственно 0,5 мми 1,5 мм, общее число полос 20. Суммарная площадь облученных участковсоставляет 220 мм . При этом найпряженность поля в системе понижается до требуемого значения (90 Э), аплощадь области однородности увеличивается до 120 мм, т,е, на 407. Формула из обретения 1, Способ формирования магнитного поля смещения в запоминающем устройстве на цилиндрических магнитных доменах, основанный на намагничивании постоянных магнитов до насыщения внешним магнитным полем и последующем понижении намагниченности постоянных магнитов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения точгде- время тепловой диффузии.Г1 Составитель Ю.РозентальРедактор И.Дербак Техред О,Гортвай Корректор М, Самборская Тираж 543 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 4333/53 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ности формирования магнитного поля смещения, понижение намагниченности осуществляют локальным отжигом участков постоянных магнитов при темпераотуре среды, на 20-30 С меньшей темпе ратуры Кюри, путем разогрева отдельных участков постоянных магнитов до температуры, на 10-20 С превышающей температуру Кюри, причем суммарную площадь участков определяют по фор муле где Б - площадь постоянных магнитов;5 - толщина постоянных магнитов; Ь - глубина отжига;Н - напряженность магнитного пооля, создаваемого постоянными магнитами, намагниченными до насыщения;Н - величинанапряженности маг"нитного поля смещения.2. Способ по п. 1, о т л и ч аю щ и й с я тем, что локальный отжиг производят на глубину 0,05-0,5 толщины постоянных магнитов в течение вре"