Запоминающее устройство

(21) 2893416(18-24 51) М. 2) Заявлено 07.03.8 б 11 С 11/1 ис присоединением за.04.82. Бюллетень14ния описания 25.04.82 публиковано 1 ата опубликов пэ Аелэм нэееретеннй н эткрмт вторбретения Смирно 1) Заявитель нститут электронных управляющих машим- Ф(54) ЗАПОМИНАЮ СТРОЛСТВО Изобретение относится к вычислительнойтехнике и может быть использовано при разработке накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) длявнешней памяти ЭВМ,Одно из известных запоминающих устройств (ЗУ) содержит магнитооднооснуюпленку с ЦМД, на поверхности которойрасположены ферромагнитные аппликации,образующие основные замкнутые и дополнительные каналы продвижения ЦМД, соединенные между собой посредством токопроводящей шины, и магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительному каналупродвижения ЦМД. Это ЗУ широко используется в системах памяти на ЦМД 1;Недостатком такого ЗУ является невысокая помехоустойчивость и, как следствие,повышенная чувствительность к воздействию внешних и внутренних факторов и.недостаточно хорошая взаимозаменяемость егомодулей.гоНаиболее близким к предлагаемому явля-,ется ЗУ, на ЦМД, содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, образующие магнитосвязанные между собои основные и дополнительные каналы продвижения ЦМД и магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам 12.Последнее ЗУ является более помехоустойчивым, чем первое.Недостатками данного устройства являются большие времена вывода и ввода информации в режимах считывания и записи из-за того, что ЦМД проходят расстояния между областями магнитной связи основных и дополнительных каналов за два периода управляющего поля. Кроме того, дополни; тельные каналы содержат большое количество аппликаций.Цель изобретения - повышение быстродействия и упрощение ЗУ.Поставленная цель достигается тем, что в ЗУ, содержащем магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами на которой расположены основные замкнутые и два дополнительных канала продвижения цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, один из которых магнитосвязан с основными замкнутыми каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов, магниторезистивные5 1 О 15 2 О 25 зо З 5 40 45 50 55 Работа предлагаемого ЗУ производитсяпутем управления перемещения ЦМД с помодатчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения цилиндрических магнитных доменов, токопроводящие шины, расположенные в основных замкнутых и дополнительных каналах продвижения цилиндрических магнитных доменов, токопроводящие шины основных замкнутых и второго дополнительного каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с первым дополнительным каналом продвижения цилиндрических магнитных доменов.При этом дополнительные каналы выполнены из асимметричных С-образных ферромагнитных аппликаций, причем первые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с первыми концами и внешними сторонами соответствующих смежных аппликаций первого дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, а вторые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с внешними сторонами соответствующих смежных аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов.На чертеже изображена принципиальная схема запоминающего устройства.Предлагаемое ЗУ содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации 3, образующие основные замкнутые каналы 4 продвижения ЦМД, первый дополнительный 5 канал продвижения ЦМД с аппликациями 6 ассимметричной С-образной формы, имеющими первые 7, вторые 8 концы и внешние стороны 9, второй дополнительный канал 10 продвижения ЦМД с аппликациями 11 асимметричной С-образной формы, имеющими первые 12, вторые 13 концы и внешние стороны 14, Указанные аппликации дополнительных каналов магнитосвязаны между собой в узлах магнитной связи 15.Дополнительные каналы заканчиваются магниторезистивными датчиками 16 и 17, включенными в мостовую схему, Для обеспечения работы ЗУ под аппликациями располагаются токопроводящая шина 18 с петлями 19 и токопроводящая шина 20 с петлями 21 магнитосвязанные с каналом 5 в узлах 15 магнитной связи каналов, и соединенные между собой последовательно. ЗУ содержит такжегенератор 22 единиц с шиной 23, генератор 24 записи ЦМД с шиной 25,Шины 23 и 25 соединены последовательно и заканчиваются выводами 26 и 27, а работа генераторов разделена по времени друг относительно друга на 180. щью ферромагнитных аппликаций и вращаю щегося в плоскости магнитоодноосной пленки управляющегося магнитного поля, а также с помощью токопроводящих шин и подаваемых по ним импульсов тока.Управляющее поле наводит в аппликациях магнитные полюса А, Б, В, Г, взаимодействие которых с ЦМД обеспечивает движение последних.Запоминающее устройство работает следующим образом.Перед началом работы по выводам 26 и 27 и шине 24 генератора 22 подают импульсы тока, зарождают ЦМД, и заполняют, таким образом, единицами все ячейки первого дополнительного 5 канала продвижения ЦМД, В дальнейшем импульсы тока в генератор 22 подают постоянно и постоянно записывают ЦМД-единицы в канал 5.При осуществлении режима записи информации в каналы 4 по выводам 26 и 27 и шине 25 генератора 24 со сдвигом по времени на 180 относительно момента работы генератора 22 подают импульсы тока, соответствующие записываемой информации.Эта информация продвигается по каналу 10 и при положении В вектора поля Нч попадает в позиции 13 и 14 аппликаций 11.В это время в канале 5 в позициях 9 и 12 также находятся ЦМД. В момент записи (положение В вектора Н) по шинам 18 и 20 и, следовательно, по петлям 19 и 21 подают импульсы токов разной полярности, в результате чего обеспечивается взаимодействие доменов в каналах 5 и 10, и ЦМД канала 5 из позиций 9 и 12 и узлов связи 15 переходят (переключается) в позиции каналов 4,При осуществлении режима считыванияинформации, находящейся в каналах 4, вмомент В вектора Н подают импульс токав проводники 18 и 20 и петли 19 и 21 одинаковой полярности. В это время в канале10 ЦМД отсутствуют, а ЦМД канала 5 занимают те же позиции, что и при указанномрежиме записи.В каналах 4 находится информация ввиде наличия (единица) или отсутствие(нуль) ЦМД. При положении В вектора Нэта информация находится в позициях 8аппликаций 6, Если считываются единицы,то при подаче импульса тока в проводники 18 и 20 и в результате взаимодействия ЦМД канала 5 из позиции 9 и 12 и мост связи 15 переходят в позиции 13 и 14 аппликаций 11 канала 10. При дальнейшем продвижении по каналу 10 ЦМД считываются датчиком 17, Если считываются нули, то описанного перехода ЦМД из канала 5 в канал 10 не происходит и нули считываются (в виде активных нулей) датчиком 16.Таким образом осуществляется парафазное считывание ЦМД датчиками 16 и 17. Предлагаемое ЗУ на ЦМД с парафазным выводом информации имеет следующие пре920838 Формула изобретения 5имущества: повышается быстродействие ЗУ за счет уменьшения времени записи ЦМД путем магнитных связей токопроводящих шин основных замкнутых и второго дополнительного каналов продвижения ЦМД с первым дополнительным каналом продвижения ЦМД; при осуществлении режимов записи и считывания информации ЦМД продвигается по дополнительным каналам 5 и 10 в два раза быстрее по сравнению с известным устройством, так как проходят расстояния между узлами 15 магнитной связи за один оборот поля Н, - упрощается построение ЗУ с парафазным считыванием информации за счет сокращения количества аппликаций дополнительных каналов и включения общих для этих каналов С-образных аппликаций. 1. Запоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены основные замкнутые и два дополнительных канала продвижения цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, один из которых магнитосвязан с основными замкнутыми каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов, магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения цилиндрических магнитных доменов, токопроводящие шины; расположенные в основных замкнутых и дополнительных каналах продвижения цилиндрических магнитных доменов, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия и упрощения устройства,. токопроводящие шины основных замкнутых и второго дополнительного каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с первым дополнительным каналом продвижения цилиндрических магнитных доменов.1 О2. Устройство по п. 1, отличающеесятем, что дополнительные каналы выполнены из ассиметричных С-образных ферромагнитных аппликаций, причем первые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с первыми концами и внешними сторонами соответствующих смежных аппликаций первого дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, а вторые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с внешними сторонами соответствующих смеж ных, аппликаций второго дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных . доменов. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. ТИИЭР, т. 63, 1975, с. 107. 2. Авторское свидетельство СССР зО Мо 526017, кл. б 11 С 11/14, 1976 (прототип) .ректор Г РешетникоднисноеССР д. 4/5оектная, 4 Составитель Ю, Розенталь Техред А. Бойкас КТираж 624 ПГосударственного комитета ела м изобретений и открыти осква, Ж - 35, Раушская наб.Патент, г. Ужгород, ул. П