Способ изготовления контактных растров

(55 0 03 Р 5/00 ГОСУДАРСТВЕН(ЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1(У 00 ЬЭ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ РАСТРОВ(57) Изобретение относится к способу изготовления контактных растров. Цель-расширить технологические воэможности способа за счет изменения градационной характеристики и линиатуры растра. Для этого используют два проекционных растра 2,3. Экспонирование осуществляют одновременно через оба растра, Устанавливают растры последовательно с возрастающей линиатурой по направлению распространения экспонирующего излучения. 1 э.п. ф-лы,ил.Изобретение относится к области полиграфии, в частности к технологии растровых процессов, и обеспечивает воэможность использования оптических методов управления линиатурой растрового поля для получения контактного растра с линиатурой, которая меньше линиатуры используемого проекционного растра, изобретение может быть использовано также при решении ряда задач оптической обработки информации на основе применения растровых систем,Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа за счет изменения градационной характеристики и линиатуры контактного растра,На чертеже дана оптическая схема двойной растровой системы.В качестве источника освещения служит экспонирующая диафрагма 1, которая характеризуется линейными размерами го, а ее конфигурация задает распределение освещенности в плоскости диафрагмы. На расстоянии р от экспонирующей диафрагмы расположен проекционный растр 2 с линиатурой 1 и на расстоянии Р 1 от проекционного растра 2 проекционный растр 3 с линиатурой юг, На расстоянии Рг от проекционного растра 3 формируют дифрагированное растровое поле, которое регистрируют фотографической пленкой 4 для получения контактного растра. й = р+ + Р 1 + Рг - базовое расстояние двойной растровой проекционной системы.Способ изготовления контактного растра, линиатура которого меньше, чем линиатура проекционного растра, основан на явлении дифракции в двойной растровой системе, Как показывает теоретический анализ, формирование дифрагированного растрового поля происходит в результате взаимодействия двух пространственно-периодических волновых полей, При этом результирующая частота юр растрового поля формируется по правилу свертки двух фурье-спектров. Согласно этому правилу каждая пространственная частота, формируемая вторым растром, одновременно служит вторичным центром пространственных частот, формируемых первым растром. Таким образом, образовываются новые комбинационные частоты, кратные частоте ир =т 1 - мг 1, которые задают частоту формируемого растрового поля в плоскости 4, Этим объясняется возможность использования проекционных растров стандартных линиатур 2,4 - 6,0 мм 1 для получения контактных растров с линиатурой меньше 2;4 ммДля получения контактного растра необходимо, чтобы при заданной его базовой10 15 линиатуре мр соседние элементарные ячейки были строго одинаковы. так как незначительные отклонения в симметрии ячеек неизбежно приводят к возникновению полос муара, Для этого проекционные растрырасполагают в строго определенном положении. Выполнение этого условия достигают тем, что в зависимости от исходных линиатур проекционных растров их взаимное положение удовлетворяет следующемусоотношениюЕ 1 И 1 = Его, (1) где Е 1 - и Ег = являютсяра 1 Р 1 РгР + Р 1 Р 1 + Ргприведенным растровыми расстояниями проекционных растров 2 и 3. Линиатура растра 2 меньше линиатуры растра 3,Использование двойной растровой системы позволяет также оптическим путем 20 формировать требуемый профиль распределения освещенности элементарной ячейки растрового поля в плоскости 4 фотографической пленки и тем самым достигнуть оптимальной градационной характеристики контактного растра.Определение оптиМального растровогорасстояния задают масштабом дифракции Френеля,ф 3=ЛЕ г, (2)где Л - средняя длина волны излучения источника освещения.Установлено. что для изготовления контактного растра существенное значение имеет дифракция на растре 3, которая характеризуется определенным значением масштаба дифракции /Ь . Очевидно, что величина масштаба,дг задается величиной приведенного растрового расстояния Ег 40 Растра 3. Фокусирующие свойства двойнойрастровой системы соответствуют значениям масштаба дифракции /Ъ в пределах 0,1 - 0,2 (принимается значение Х, соответствующее максимуму спектральной чувст вительности фотографической пленки).При малых расстояниях РгД 3 г ( 0,1) проявляется эффект дробления элементарной ячейки и, таким образом, невозможно сформировать требуемый профиль элемента 50 контактного растра. При больших расстояниях Рг( рг0,2) резко падает контраст формируемого растрового поля. Следовательно, только в определенном интервале изменения расстояния Рг можно получить контактный растр с заданным профилем элементарной ячейки.Вторым важным параметром. характеризующим условия изготовления контактного растра с заданной градационной характеристикой, являются размеры экспо 1658120нирующей диафрагмы. Для предложенной двойной растровой системы влияние диафрагмы учитывается параметромхарактеризующим величину проекции диафрагмы размеров го в плоскости фотографической пленки относительно периода контактного растра. Размеры экспонирующей диафрагмы г 0 выбирают иэ условия, что величина параметра К находится в пределах 0,2 - 0,9.Экспонирование с помощью диафрагмы малых размеров обеспечивает формирование ядра элементарной ячейки контактного растра, Уменьшение размеров экспонирующей диафрагмы, что соответствует значениям параметра К0,2, не дает желаемых результатов, так как фокусирующие свойства системы в большей степени определяются условиями дифракции. Увеличение величины диафрагмы, что соответствует значениям параметра К0,9 приводит к сильному смыканию ячеек контактногоо растра и резкому падению контраста, что приводит к уменьшению интервала оптических плотностей контактного растра,Для формирования заданного профиля элементарной ячейки контактного растра и, следовательно, оптимальной градационной характеристики контактного растра экспонирование производят за двумя и более диафрагмами. Причем, изменяя конфигурацию экспонирующей диафрагмы, получают различную форму изоденс контактного растра и, следовательно, различную структуру растровых элементов.Особенностью использования двойной растровой системы является то, что формирование высокого контраста растрового поля, необходимого для получения контактного растра с интервалом оптических плотностей в пределах 0,9 - 1,5, достигают при больших значениях расстояния а 2, причем ц 2о 1. что невозможно реализовать в простой растровой системе с одним растром,П р и м е р 1 (по известному способу). Выбирают проекционный растр с частотой т 3,0 мм . Изготовление контактного растра производят на установке с базовым расстоянием от источника (диафрагмы) до плоскости фотопленки й = 1062 мм. Для изготовления контактного растра применяют фототехническую пленку ФТ. Для заданного проекционного растра величину растрового расстояния определяют расчетным путем при значении р - 3,0: с 1 -(4 х 3 х х 3 х 0,00045)= 20,6 мм. что согласно формуле (1) соответствует масштабу диф- ракцииВ - 0,08. Экспонирование производят с помощью круглой диафрагмы. Размеры экспонирующей диафрагмы определяют расчетным путем: малая диафрагма при значении К = 0,17 и большая диафрагма при значении К = 0,66, что для заданной растровой установки соответствует следующим значениям диаметра диафрагмы: 3 и 11 мм, Устанавливают проекционный растр на заданное растровое расстояние от плоскости фотопленки и производят экспонирование за двумя диафрагмами; за малой диафрагмой время экспонирования 3 мин, эа большой диафрагмой 1 мин. После химико-фотографической обработки фотопленки получают контактный растр с частотой 3,0 мм . По известной методике определяют градационную характеристику полученного контактного растра,П р и м е р 2. Выбирают два проекционных растра следующих линиатур: первый растр Р 1 = 2.4 мм, второй растр 12= 3,0 мм, Изготовление контактного растра производят на установке с базовым расстоянием В = 1062 мм, Расчетным путем находят, что для выбранных линиатур проекционных растров соотношение (1) выполняется при следующих значениях расстояний: р 1 = 63 мм и ц 2 =182 мм. Эти данные соответствуют масштабу дифракции на втором растре: ф 2 =0.00045 Х ХЗ =0,19 . Экс 63 Х 182 2понирование производят с помощью круглой диафрагмы. Размеры экспонирующей диафрагмы рассчитывают по формуле (3): малая диафрагма при К = 0,24. что соответствует диаметру диафрагмы 6 мм; большая диафрагма при К = 0,87, что соответствует диаметру диафрагмы 22 мм. После установки проекционных растров на расстояниях о 1 и о 2 от плоскости фотопленки производят экспонирование эа двумя диафрагмами: за малой диафрагмой время экспонирования 10 мин, за большой диафрагмой 3 мин. После химико-фотографической обработки экспонированной фотопленки получают контактный растр с частотой 0,6 мм . По известной методике определяют градационную характеристику полученного контактного растра. В описанном режиме получают 3-образную градационную характеристику контактного растра с круглой формой растровых элементов, интервал оптических плотностей контактного растра равен 1.1.1658120 Сравнение с примером 1 показывает что для проекционного растра ю 1 - 3,0 мм использование двойной растровой системы дает воэможность оптическим путем уменьшить его линиатуру в 5 раэ. Более того, условия изготовления контактного растра обеспечиваются при растровом расстоянии цт, величина которого примерно на один порядок больше, чем для простой растровой системы. П р и м е р 4. Условия изготовления контактного растра соответствуют данным примера 3 эа исключением диафрагмы, которую выбирают в форме прямоугольника размером 50 х 25 мм параллельно направлению линий проекционных растров. Получают контактный растр с частотой 1,6 мм Составитель Л.НосыреваТехред И.Моргентал Корректор Т,Палий Редактор Е.Пвпп Заказ 1712 Тираж 293 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 П р и м е р 3, Выбирают два проекционных растра следующих линиатур: первый растр ю 1 2,4 мм, второй растр мг - 4,0 мм, Используют ту же установку, что в примере 2. Для выбранных растров соотношение (1) выполняют при следующих значениях расстояний: О 1 43 мм, ср 58 мм. Согласно (2) получают, что масштаб дифракции на втором растре равенн - 0,18. После установки проекционных растров на заданные расстояния О и щ экспонирование фотопленки ФТпроизводят за одной круглой диафрагмой диаметра г - 46 мм, что согласно(3) соответствует значению К - 0,45. После химико-фотографической обработки по примеру 2 получают контактный растр с линиатурой 1,6 мм ,Градационная характеристика полученного растра приближается к линейной зависимости. Интервал оптических плотностей растра 1,4. с цепеобраэной структурой элементов (типаГрадар),Формула изобретения1. Способ изготовления контактных5 растров, заключающийся в экспонировании фотографической пленки через экспонирующую диафрагму и проекционныйрастр, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюрасширения технологических возможно 10 стей способа за счет изменения градационной характеристики и линиатурыконтактного растра, дополнительно используют второй проекционный растр, при этомэкспонирование осуществляют одновре 15 менно через оба растра, которые устанавливают последовательно с возрастающейлиниатурой по направлению распространения экспонирующего излучения, причемрасстояние между плоскостями растров и20 расстояние от плоскости растра до плоскости фотографической пленки определяют изследующего соотношения;РО 1 ОЯ 2Р+О 1 Ф+Ог фУ 125 где И, 2 - линиатуры растров соответственно;р - расстояние между плоскостью диафрагмы и плоскостью растра с меньшей линиатурой;30 О- расстояние между плоскостями растров;О 2 - расстояние от плоскости растра доплоскости фотографической пленки;2. Способ по и 1, от л и ч а ю щ и й с я35 тем, что линейный размер экспонирующейдиафрагмы выбирают из соотношениягде го - размер диафрагмы,40