Устройство для распыления магнитных материалов

.5(088.8 )и техника эксперис, 7 - 18,й РИшз, 1977, Ч прототип ).СТВО ДЛЯ РАСПЦЛЕН ИЛОВ, содержащее 7 СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(93) 539.235.00256) 1. Приборымента. 1978, Р 4рис. 2 г.2. ТЫ.п Во 01р. Я 7-324 й. 754) (57УСТРОЙЬЩГНИТНЫХ ИАТЕР магнитную систему с полюсными наконечниками, катод с мишенью и ано причем катод с мишенью расположен в полости магнитной системы, о т -и ч а ю щ е е с я тем, что, с ц лью повышения производительности устройства и увеличения ресурса ег работы, мишень расположена ниже по люсных наконечников, на расстоянии между плоскостью нижних торцов полюсных наконечников и верхним торцом мишени, равном 12 В, где 6 " величина зазора между полюсными на конечниками.1030423 10 30 ВНИИПИ Заказ 5137/30 Тираж 956 Подписное Филиал ППП "Патент",Изобретение относится к технике покрытия иэделий и может быть использовано при конструировании устройствмагнетронного распыленияФмагнитных материалов.Известно магнетронное устройство 5 ионного распыления коаксиального типа, содержащее анод и цилиндрическую мишень из магнитного материала, расположенную на одной оси с магнитом такого же диаметра 1 .Недостатком данного устройства коаксиального типаявляется низкая скорость напыления пленок, обуслов.ленная низкой скоростью распыления мишени вследствие шунтирующего 15 действия магнитного материала мише-. ни и перераспределением значительной части распыляющего материала внутри источника, что исключает его попадание на подложки,20Наиболее близким по технической сущности. к изобретению является устройство для распыления магнитных материалов планарного типа, содержащее магнитную систему с полюсными наконечниками, катод с мишенью и анод, причем катодс мишенью расположен в полости магнитной системы 2.Однако известное устройство имеет низкую скорость распыления и малый срок службы мишени, так как для получения магнетронного эффекта над мишенью из магнитного материала приходится значительно снижать толщину мишени. 35Цель:изобретения - повышение производительности устройства и уве личение ресурса его работы.Поставленная цель достигается тем, что вустройстве для распыле ния магнитных материалов, содержа,щем магнитную систему с полюсными наконечниками, катод с мишенью и анод, причем катод с мишенью расположен в полости магнитной систе мы, мишень расположена ниже полюсных наконечников, на расстоянии между плоскостью нижних торцов полюсных наконечников и верхним торцом мишени, равном 2 Р, где 0 величина зазора между полюсными наконечниками.На чертеже изображена конструктивная схема устройства распыления магнитных материалов.Устройство для распыления магнитных материалов содержит мишень 1 из магнитного материала в виде кольца, расположенную на охлаждаемом катоде 2 и помещенную внутри кольцеобраз. ной полости, образованной стенками маг нитной системы 3 и полюсными наконечниками 4. Кольцевой анод 5 расположен между полюсными наконечниками и подложками 6. Стрелками 7обозначены силовые линии магнитногополя, Р - зазор между полюсными наконечниками , с - расстояние отполюсных наконечников до мишени,Устройство работает следующимобразом.В подготовительном режиме вакуумную камеру откачивают до давления 5 - б 10гПа, после чего производят напуск аргона до давления1 - 3 10-ЗгПа, Магнитная система 3с полюсными наконечниками 4 создаетнад поверхностью мишени кольцеобразное неоднородное магнитное поле.Для уменьшения эффекта экранирования магнитного поля магнитным материалом мишени 1, последняя распо"ложена таким образом, что расстояниес от мишени до плоскости нижних торцов полюсных наконечников равно121.Уменьшение расстояния с принеизменном 1 приводит к тому, чтобольшая часть магнитного потока замыкается через мишень, При этом снижается скорость напыления магнитногоматериала на подложки б, Увеличениеуказанных расстояний при неизменномболее чем 2 в раза приводит к неопределенному увеличению размеровустройства без существенного ростаскорости напыления,При подаче высокого напряженияв рабочем режиме на мишень над ееповерхностью образуется кольцеобразная зона со скрещенным неоднороднымэлектрическим и магнитным полями,что позволяет интенсивно распылятьмагнитную мишень. По достижении требуемой толщины пленки на подложкахб выключают приложенное к мишени 1высокое напряжение и распылениепрекращается,Проведенное распыление мишенииэ сендаста диаметром 120 мм, шириной кольца 40.мм и толщиной 10 ммпоказало, что скорость напыленияпленки при этом составляет 1820 нанометров в секунду, а срокслужбы мишени превышает 1000 ч.Изобретение в 10 раз увеличивает ресурс работы мишени, повышает в б - 10 раэ производительностьустройства. Кроме того, увеличениесрока службы мишеней приводит кснижению расхода магнитного материала, а также к Снижению потерирабочего времени на замену мишенейв вакуумной камере,г.ужгород,ул.Проектная,4