Ширипов

Номер патента: 1829874

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Достанко, Левчук, Панков, Ширипов

МПК: H05B 33/10

Метки: индикатора, тонкопленочного, электролюминесцентного

...Для Осаждения диэлектрических и электролюминесцентного слоев подложка переводится в положение относительно падающего потока,Сущность заявляемого изобретения заключается в следующем, Отношение скоростей роста слоя, осажденного на нормальную (по отношению к конденсируемому потоку) и наклонную поверхность, равотносительно нормали к подложке. 45 50 55 но отношению косинусов углов между нормалями к соответствующим поверхностям и направлению конденсируемого потока. Следовательно,. уравнивая угол падения конденсйруемого потока для обеих поверхностей, можно уравнять и скорости роста слоев на нормальной и наклонной поверхности. Однако реально вследствие наличия у электрода двух наклонных поверхностей необходимо вращать подложку в своей...

Номер патента: 1812243

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Антонов, Достанко, Корницкий, Уласюк, Хохлов, Ширипов

МПК: C23C 14/46

Метки: вакууме, нанесения, покрытий

...характеризующие распределение15 толщины пленки на подложке при распылении протяженной мишени ионным пучкомразличной формы, определяемой типом газовой системы; а - равномерный задув газа,а следовательно; и постоянная плотность20 ионного тока ) на всем протяженйом участке; б - увеличенная интенсивность газовогопотока на краях протяженного участка; в -использование трехканальной газовой системы. Расчеты пооводились для случая зна-25 чений длины протяженной зоныраспыления 200 мм и расстояния мишеньподложка 50 мм.На фиг. 2 представлена схема устройства для нанесения покрытий, построенного30 на базе ионных источников с объемной разрядной камерой; на фиг.З - схема устройства на основе холловского ускорителя сзамкнутйм дрейфом электронов.На...

Номер патента: 1743746

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Достанко, Телеш, Хохлов, Ширипов

МПК: B23K 1/20

Метки: бесфлюсового, лужения

...импульса и происходит перемещение припоя, В случаеотклонения траектории ионов от продольной аси на некоторый угол создается момент силы, под действием которого будетпроисходить вращение припоя вокруг некоторой точки, соответствующей центру ионного "пятна". Величина этого момента будет 40определяться величиной углового отклонения траектории ионов от продольной оси, атакже углом, под которым ионы направленына поверхность детали, При максимальнойвеличине отклонения траектории ионов и 45при минимальном угле падения ионов момент сил будет максимальным. Это объясняется в первом случае увеличениемрасстояния от центра вращения до местаприложения силы, а во втором - возрастанием этой силы (за счет увеличения горизонтальной составляющей силы,...

Номер патента: 1712483

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Ишкулов, Курбатов, Курышев, Михайлин, Сковорода, Тюренков, Ширипов

МПК: D01G 23/00

Метки: бункер, волокнообрабатывающей

...проходит через него в нижнюю ступень.Прохождение волокна по правому отсеку верхней горловины 4 бункера препятствует скатной лопастной элемент 6.При движении скатного элемента 6 из положенияв положениеволокно перемещается вместе с ним и попадает в нижнюю горловину 1 бункера,Направление движения средства перемещения, выполненного в виде ленты транспортера 5, совпадает с направлением движения волокна в правой части бункера при перемещении скатного элемента 6 из положенияв положение , Это препятствует зависанию волокна в отсеке.Волокно, опустившееся на верхний барабан ленточного транспортера 5, сбрасывается при его движении в правый отсек.Волокно из правого отсека верхней горловины 4 попадает вслед за сканим элэментом 6 в нижнюю горловину 1...

Номер патента: 1704900

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Арсеньев, Вавинская, Земсков, Кашихина, Кузьмичев, Рыбакова, Сметанин, Ширипов, Шухатович

МПК: B22C 1/18, B22C 3/00

Метки: выплавляемым, моделям, полученных, суспензия, форм

...водный раствор триполифосфата натрия 20-28,3; поверхностно-активное вещество 0,1-0,3; пеногаситель 0,2-0,6; ,огнеупорный наполнитель остальное, Каждыйслойукаэамнойсуспенэии,нанесенный нэ блок моделей, обрабатывают в кислом растворе состава. мас. : бормая кислота 2-4; хлористый кальциЯ 10-30; вода остальное. Обработку оболочки упрочняющим раствором производят путем опускания блока в этот ржтвор на 10-15 мин. Прочность оболочковых форм составляет, МПа: в "сырому состоянии 12-16,8; после прокаливания 12,8-19,1. Трещины в форме отсутствуют. а щ удельнэе площадь разрываемой поверхностиформы составляет до 0,11 см / см 2. 2 с,п. ф-лы, 4 табл. Водный раствор тринатрийфосфата натрия 20,0-28,3 Поверхностно-акти вмоееещеетво О, 1-0,3...

Номер патента: 1035679

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Достанко, Егоров, Левчук, Ширипов

МПК: H01J 37/26

Метки: микроскоп, просвечивающий, электронный

...каждого ионного .источникавыполнен иэ магнитомягкого материаладля,концентрации магнитных полейсоленоидов 1 или постоянных магнитов ) 12 и 13 в кольцевых ускорительных каналах 14 и 15, которые являются вместе с кольцевыми анодами16 и 17,зонами газовых разрядов иускорения ионов. По оси корпуса ионных источников выполнены сквозныеотверстия для прохождения электрон-.ного пучка, стенки которых 18 и 19также изготовлены из магнитомягкогоматериала и служат магнитным экраномуменьшающим воздействие магнитныхполей соленоидов 12.и 13 на электронный зондирующий пучок 5. Небольшиемагнитные поля рассеяния, существующие внутри. отверстий имеют осесимметричную Форму и благодаря со.осному с электронным пучком расположению ионных источников...

Номер патента: 699032

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Бобков, Достанко, Шаталов, Ширипов

МПК: C23C 15/00

Метки: катодный, узел

...формы, Лицевая сторона Основания 1 с помошью, например, пайкиз 69903или сварки, закрыта решетчатой пласщной 2, выполненной из основного компонента, в которой есть отверстия 3, расположенные под пазами основания 1, нри"чем диаметр отверстий 3 меньше шириныпаза. В пазы механически вставляются,стержни 4 иэ отдельных компонентов,Минимальное содержание в пленке материала решетчатой пластины пропорйионально через коэффициент распыления площади решетчатой пластины за вычетомплощади отверстий, Для увеличения. количества материала решетчатой пластины впленке можно применять съемные стержни из того же материала,Основание выполняется иэ материалас хорошей теплопроводностью, например,из меди, и в процессе распыления мозаичной мишени интенсивно...