Способ изготовления мишени магнетронного источника

Номер патента: 1025754

Автор: Сейдман

ZIP архив

Текст

- 69 ИТЕТ СССР ОТКРЫТИЙ ЗОБРЕТЕН О ЬСТ АВТОРСКОМ(53) 621793,12 (088.86) 1. Патент США У 3878085,кл. 204-142, 19752. Авторское свидетельство СССРИ 754907, кл, С 23 С 15/00,. 1978прототип) . н ОСУДАРСТВЕНКЫЙ КОМ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИ 54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ЧАГНЕТРОННОГО ИСТОЧНИКА, включающий выполнение углубления в основе и эа полнение его материалом покрытия, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,, с целью увеличения коэффициента использования матерйала покрытия, углубление в основе выполняют распылением материала основы в магнетроном источнике,35 Изобретение относится к вакуумнойнапылительной технике, используемойв электронной промышленности, вчастности к способам изготовленияраспыляемых мишеней.Известен способ изготовления мишени магнетронного источника, включающий выполнение основы и нанесение нанее материала покрытия 111Недостатком данного способа яв 1 Оляется низкий коэффициент использования материала покрытия при егораспылении иэ-за локальности зоныраспыления мишени, что особенно существенно проявляется при распылении дорогостоящих и дефицитных материалов, например драгметаллов.Наиболее близким к предлагаемомупо технической сущности являетсяспособ изготовления мишени магнетронного источника, включающий выполне"йие углубления в основе и заполнениеего материалом покрытия 21Недостатком известного способаявляется низкий коэффициент использования распыляемого материала покрытияРтак как в углублении остается достаточно многонерасплавленного материала,Цель изоьретения - увеличениекоэффициента использования материа- ЗОла покрытия.Указанная цепь достигается тем,цто согласно способу изготовления мишени магнетронного источника, включающему выполнение углубления в основе и заполнение его материалом покрытия, углубление в основе выполняют распь 1 лением материала основыв магнетронном источнике,Изобретение основано на независимости формы углубления основы отматериала основы. Форма углублениязависит только от конфигурации электрических и магнитных полей,В основе, снабженной углублениемсовпадающим по форме с эрозионной канавкой и заполненным материалом покрытия, во время работы магнетронного источника будет расти эроэионнаяканавка, которая в определенныймомент совпадает с углублением, сде 50ланным в основе. К этому моментувесь распыляемый материал покрытиябудет полностью распылен, а основа. мишени распылению не подвергается.Углубление в основе мишени в форме эрозионной канавки полуцается ионВНИИПИ Заказ 1503/21Филиал ППП "Патент", г,ным распылением пластины в данном магнетронном источнике. Длительность распыления и соответственно. глубина углубления зависит от количества материала покрытия, подлежащего распылению. Полученное углубление заполняют распыляемым материалом покрытия, например, с помощью литья.Преимущество изобретения заключается в том, цто полученное углубление в основе, служащее для заполнения распыляемым материалом покрытия, по форме идентично эрозионной канавке, образующейся в распыляемом материале йри работе магнетронного источника.Это обеспечивает полное использо". вание распыляемого материала покрытияТак, например, мишень планарного магнетронного источника для распыления олова была получена в виде молибденового диска диаметром 130 мм и толщиной 8 мм с углублением нужной формы глубиной 3 мм, заполненным оловом, Углубление нужной формы было получено ионным распылением в планарном магнетронном источнике. Режим распыления: давление аргона 310 1 Па, ток разряда 3 А, потенциал мишени 500 В, длительность процесса б ч. Полученное углубление заполнили оловом, расплавив его в печи. Полученную мишень использовали для распыления олова в том же магнетронном источнике в указанном выше режиме распыления до тех пор, пока вся загрузка олова не была распылена.В результате внедрения изобретения снижается расход распыпяемого материала при изготовлении мишени и достигается почти полное его использование. Это особенно ценно при распыле" нии драгоценных металлов, например золота. Поскольку пленки золота широко применяются в полупроводниковых приборах и ИС на большинстве предприятий электронной промышленности, то зкономия золота дает значительный экономический эффект. При серийном выпуске магнетронных источников углубления нужной формы в мишени могут быть получены с помощью питья или механической обработки, используя в качестве шаблона пластину с углуб" пением, полученным ионным распылением, Это ускорит и удешевит изготовле-, ние большого числа мишеней планарных магнетронных источников.Тираж 956 ПодписноеУжгород, ул. Проектная,

Смотреть

Заявка

2804642, 24.07.1979

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3562

СЕЙДМАН ЛЕВ АЛЕКСАНДРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C23C 15/00

Метки: источника, магнетронного, мишени

Опубликовано: 30.06.1983

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1025754-sposob-izgotovleniya-misheni-magnetronnogo-istochnika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления мишени магнетронного источника</a>

Похожие патенты