Инжекционный запоминающий элемент

Союз Советскик Социалистических Республик(088,8) йо дарственный комите СССР делам изобретениЯ и открытий(23) Приоритет Опубликовано 15.08.79, Бюллетень Мо 30 ата опубликования описания 180879 2) Авторы изобретен в и Л.М. Коломийцев Н. Му 71 Заявитель) ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕ области техники и созда 20 второйости Изобретение относится к автоматики и вычислительной и может быть использовано пр нии интегральных оперативных запо минающих устройств, сохраняющнх инФормацию при отключении питания.Известны инжекционные запоминаю-щие элементы, содержащие полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой расположена:первая область второго типа проводимости, в первой области расположены первая и вторая области первого типа проводимости, во второй из которых расположена вторая область вто- (5 рого типа проводимости, и проводящий электрод 11.Недостатком известных инжекционных запоминающих элементов является разрушение информации при отключе нии питания.Целью изобретения является расширение области применения элемента;.;-. за счет сохранения инФормации при отключении питания.Это достигается тем, что в предлагаемый инжекционный,запоминающий элемент введен слой диэлектрика, расположенный на поверхности области первого типа проводим и частично на поверхностях первой и второй, областей второго типа проводимости, на котором расположен проводящий электрод, соединенный с первой областью второго. типа проводимости; кроме того, с целью увеличения быстродействия элемента, соединение проводящего электрода с первой областью второго типа проводимости выполнено в виде диода Шоттки.На чертеже показан пример струк" туры инжекционного запоминающего элемента.Инжекционный запоминающий элемент состоит иэ запоминающего транзистора (п-р-п-типа), эмиттером которого является вторая область 1 второго типа,(п-типа), базой-вторая область 2 первого типа проводимости, коллектором - первая область 3 второго типа проводимости, и .инжекционного транзистора (р-п-р-типа), эмиттером которого является первая область 4 первого типа проводимости, базой - первая область 3 второго типа проводимости, коллектором - вторая область 2 первого тина проводимости слоя диэлектрика 5 и токопроводящего электрода 6. Инжекционный запоминающий элемент изолируется от680051 30 Формула изобретения 20 25 30 40 Источники информациипринятые во внимание при экспертизе1. Ж. Электроника, пер. с англ., 1976, Р 17, с40. Составитель Ю. Ушаков Редактор НКаменская Техред 0 Андрейко Корректор В. БутягаТираж 681 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 480 г 48 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 других аналогичных элементов окислом7 и расположен в подложке 8. (Следуетотметить, что наличие окисных областей 7 является несущественным приз -наком) .Запись, хранение и ситывание операгивной информации в предлагаемыйинжекционный элемент осуществляется по известной методике. При этом,емкость, образованная дополнительнымэлементом - электродом 6, слоем диэлектрики 5 и областью 3, включенапараллельн о ( з апомин ающей ) емкостибазо-коллекторного перехода запоминающего транзистора и, следовательно, увеличивает эффективноезначение хранимого сигнала. Запоминающий элемент имеет либо заряженноесостояние запоминающей емкости (состояние лог.0), либо разряженное (лог.1),Для фиксации оперативной информации, находящейся в запоминающем элементе, последний облучается в активном режиме, в результате чего вслое диэлектрика 5 под электродом6 происходит накопление заряда вслучае, если емкость (электрод 6область 3) заряжена (состояниелог.0), и наоборот, накоплениезаряда в слое диэлектрика не происходит, если вышеуказанная емкостьне заряжена (состояние лог.Г) .Накопление заряда в слое диэлектрика 5 (положительного) приводит к существенному изменению порога сраба-тывания МДП-транзистора, образованного электропроводящим электродом 6(затвор), диэлектриком 5, областью1 (исток), областью 4 (сток), и областью 3 (подзатворная область) .Считывание зафиксированной информации осуществляется приложением отрицательного напряжения на управляющий затвор 6 (относительно потенциала областей 3, 4), которое по величине больше (меньше) порога срабатывания МДП-транзистора, облучавшегося в состоянии лог.0, и меньше (больше) порога МДП-транзистора, облучавшегося в состоянии лог.1,Стирание зафиксированной (постоянной) информации осуществляется повторным облучением запоминающего элемента при нулевом напряжении на запоминающем конденсаторе (лог.Г) в результате чего заряд, наведенный в диэлектрике, рассасывается. 1, Инжекционный запоминающий эле. мент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенной в ней первой областью второго типа проводимости, в которой размещены первая область первого типа проводимости и вторая область первог 0 типа проводимости, в которой размещены вторая область второго типа проводимости, и проводящий электрод, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения области применения элемента за счет сохранения информации при отключении питания, он содержит слой диэлектрика, расположенный на поверхности второй области первого типа проводимости и частично на поверхностях первой и второй областей второго типа проводимости, на котором расположен проводящий электрод, соединенный с первой областью второго типа проводимости. 2. Элемент по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью увеличе;ния быстродействия элемента, соединение проводящего электрода с первой областью второго типа проводимости выполнено в виде диода Шоттки,