Магнитный запоминающий элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советскнн Соцналнстнцеских Реслублнк(23) Приоритет 51) М. Кл. 6 11 С 11/06 судврственный кометееветв )йнннстров СССРоо денем нэобретеннйн етнрытнй публиковаио 05. 03.7 8,Бюллетень9(45) Дата опубл ваиия описания 20.02. Г. Гессен, Т, А. Котягова и А. О, Тимофеев инградский о институт им на Ленина алектротехничес(54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ четыре отобмоткуДва отверны по диагопо разные 1чается в бол у мень шениом. про- рез ением апомиразряд напраьгрупп,ий плести отверсИзобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может бытьиспользовано в оперативных запоминающихустройстмх ОЗУ с двухкоординатной выборкой (структура ЗП).5Известны магнитные запоминающие элементы, допускаюшие более технологичноегрупповое изготовление, К ним относятсяалементы на многоотверстных ферритовыхпластинах и алементы на плоских или пилинд,рических пленках, Последние имеют малыйвыходной сигнал и подвержены заметномупроцессу старения.Известны магнитные запоминающие элементы для ОЗУ с двухкоординатной выборокой, содержащие пластину иэ материала сППГ с восемью отверстиями 1. Однакоэлемент с расположением отверстий на двухперпендикулярных осях симметрии имеетслабую модуляцию выходного сигнала разрядным током записи,Наиболее близким техническим решк изобретению является магнитный знаюший алемент, содержаш ну изматериала с ППГ с восемью тиями,объединенными в две группы по верстия, координатные обмотки, смешения и разрядную обмотку. стня каждой группы расположе пали пластины, а дм других- ,стороны диагонали пластины ) 2Недостаток элемента заклю ших затратах энергии.Целью изобретения является мощности, потребляемой алемен Эта цель достигается тем, что в предложенном запоминающем элементе обмотк смешения прошита в противоположных на влениях через средние отверстия групп р положенных по диагонали пластины, Одна координатная обмотка прошита в противоположных направлениях через крайние отве стия групп, расположенных по диагонали пластины, Другая координатная обмотка шита в противоположных направлениях че два отверстия групп, расположенных цо ра ные стороны диагонали пластины, а ная обмотка прошита в одинаковых лениях через два других отверстиярасположенных по разные стороны диагонали пластины,На фиг. 1 изображен магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 - временнаядиаграмма токов и напряжений; на фиг. 3 график переходов элемента.Магнитный запоминающий элемент содержит пластину 1 иэ материала с ППГ с восемью отверстиями, две координатные обмотки 2, 3, обмотку смещения 4 разряднующобмотку 5. Отверстия образуют две группы6, 7 по четыре отверстия в каждой группе.Для выборки элемента должны быть поданы в координатные обмотки 2 и 3 оба координатных тока Э )(, З на фоне тока смею ,5щения 3 (фиг, 2), протекаюшего в обмотке 4, Результирующая положительная МДСУ (фиг, 2) переводит элемент в магнитноесостояние С (фиг. 3). При этом выполняеъся считывание со стиранием информации; в го,разрядной обмотке .,5 наводится импульснапряжения О или О (фиг. 2) в зависимости от предыдущего магнитного состоянии1 ф или "Оф (фиг. 3)25Запись перезапись информации осущесъвляется по окончании координатных токовпод действием тока смешения при наличииодного из разрядных токов р ,Э (фиг. 2),подаваемого в разрядную обмотку 5. ТокЗр (2 р )нарушает баланс в магнитопроводео Рэлемента, изменяется магнитный поток, перемычки между группами 6 и 7 отверстийзамыкаются в основном вокруг группы 7(6),и элемент попадает в состояние "0 ("1), д 5Элемент может хранить троичную информацию. Если при записи разрядные токи 3Роне подаются, то элемент переходит в третье состояние хранения с симметрич- о ным распределением потоков вокруг групп отверстий. В предложенном элементе по сравнениюс известными элементами координатные токии ток смешения уменьшились примерно на25% при прочих равных условиях.Формула изобретенияМагнитный запоминающий элемент, содержащий пластину из материала с прямоугольной петлей гистереэиса с восемью отверстиями, объединенными в две группы почетыре отверстии, причем два отверстиякаждой группы расположены по диагоналипластины, а два других-, по разные стороньг;диагонали пластины, координатные обмотки, обмотку смешения и разрядную обмотку, о т.л и ч а ю ш и й с я тем, что,с целью уменьшения потребляемой мощности элемента, обмотка смещения прошита впротивоположных направлениях через средние отверстия групп, расположенных по диагонали пластины; одна координатная. обмотка прошита в противоположных направленияхчерез крайние отверстия групп, расположен .ных по диагонали пластины; другая координатная обмотка прошита в противоположныхнаправлениях через два отверстия групп,расположенных по разные стороны диагона"ли пластины, а разрядная обмотка прошитав одиночных направлениях через два другихотверстия групп, расположенных по разныестороны диагонали пластины,Источники информации, принятые во внимание пои экспебтизе:х. мявка М 2135944/24.,кл,11 С 11/14, 1975, по которой принято положительное решение,2, Заявка % 2354654/24,кл. 6 11 Х 1/06, 1976 по которой принято положйтельное решение.597004 4 Ь Р 1 хРу Составитель В. Гордоноватехнна Техред Э. Чужих , Корректор А. Власенко Редактор Филиал ППП Патент, г. Ужгород. ул. Проектная, 4 з 1154/50 Тираж 717 ЦНИИПИ Государственного комитета Сове по дедам изобретений и от 113035,. Москва, Ж, Раушскаа на
СмотретьЗаявка
2445561, 25.01.1977
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. УЛЬЯНОВА
ГЕССЕН МИХАИЛ ГЕОРГИЕВИЧ, КОТЯГОВА ТАТЬЯНА АЛЕКСАНДРОВНА, ТИМОФЕЕВ АЛЕКСАНДР ОРЕСТОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
Опубликовано: 05.03.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-597004-magnitnyjj-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитный запоминающий элемент</a>
Предыдущий патент: Ферроакустический накопитель информации
Следующий патент: Адаптивный запоминвающий элемент
Случайный патент: Способ дифференциальной диагностики органической и функциональной экстрасистолии у детей