Долговременный запоминающий элемент

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (63) Дополнительное к авт. свид-ву - (22) Заявлено 200278(21) 2581255/18-24 с присоединением заявки Мо(2 Э) Приоритет -Опубликовано 150879 Бюллетень Йо 30 Дата опубликования описания 180879 Союз Советских Социалистических Республик(51)М. Кл.2 а 11 С 17/00 С 11 С 11/34 Государстненный комитет СССР по делам изобретений и открытий(54) ДОЛГОВРЕМЕННЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к областиавтоматики и вычислительной техникии может быть использовано при создании интегральных перепрограммируемых запоминающих устройств ЭВМ,Известны запоминающие элементы1-3, содержащие МДП-прибор с изме-,няеяям порогом включения и управляющие транзисторы. Однако известные элементы не обеспечивают надежное программирование состоящего изних запоминающего устройства, таккак используют малоустойчивые физические эффекты, имеют сложную структуру диэлектрика МДП-прибора и количество шин, превышающее два,Наиболее близким по техническойсущности к данному изобретению является долговременный запоминающийэлемент, содержащий МДП-прибор с 2 Олавинной инжекцией и плавающим затвором, биполярный транзистор, разряцную и числовые шины 4. Однакоиспользование в этой ячейке МДПприбора с лавинной инжекцией и плавающим затвором требует значительных величин управляющих напряжений,в результате чего существует значй"тельная вероятность выхода из строяМДП-прибора вследствие пробоя окисла; кроме того, наличие плавающего затвора делает МДП-прибор менее технологичным, чем МДП-транзистор, программируемый с помощью облучения.Целью изобретения является упрощение запоминающего элемента.Поставленная цель достигается тем, что в долговременный запоминающий элемент, содержащий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с затворбм МДП-транзистора, а эмиттер - с разрядной шиной, и числовые шины записи и считывания, введен диод, анод которого подключен к числовой шине считывания, катод - к истоку МДП-транзистора, сток которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, база которого подключена к числовой шине записи.На фиг. 1 показана схема запоминающего элемента; на фиг. 2 - структура запоминающего элемента,который содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения МДП-транзистор 1, биполярный транзистор 2, диод 3, разрядную шину 4, числовые шину записи 5 и шину считывания бЗапись оперативной информации в запоминающий элемент происходит следующим образом: на шину записи б680054 г Составитель Ю. УшаковТехред О, Андрейко Корректор В. Бутяга едактор Н. Каменск Тираж 681 ЦНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушЗаказ 4802/ Подписноеомитета СССРоткрытийкая наб., д. 4/ илиал ППП Патент, г. Ужгород, Ул. Проектная, 4 подается положительный сигнал, в ре зультате чего через коллекторный переход биполярного транзистора 2 заряжаются емкости затвор-подложка МДП-транзистора и он открывается записана лог. 1) . Затем, подачей тока в базу бипОлярного транзистора 2 по шине записи 6 при нулевом потенциале на выбранных разрядных шинах 4 осуществляется нейтрализация заряда на затворе МДП-транзистора (записан Лог.01), Считывание оперативной, информации осуществляется подачей сигнала на шину считывания 5 через развязывающий диод 3 и открытый МДП-транзистор .Запоминание постоянной информации осуществляется путем облучения элемента, в котором сохраняется оперативная информация, в распределенном поле ионизирующегоизлучения. В процессе облучения оперативная иН- формация фиксируется. После окончания.облучения и отключения питайия информация сохраняется в виде встроенных каналов в МДП-транзисторах ячеек, в которых была записана Лог1.Стирание постоянной информации производится путем повторного облучения без подачи питания. После того как постоянная информация стерта, может быть записана новая информацияЭкономический эффект изобретения состоит в повышении надежности программирования и технологичности запоминающей ячейки. 5 Формула изобретения Долговременный запоминающий элемент, содержащий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с10 затвором МДП-транзистора, а эмиттер -с разрядной шиной, и числовые шинызаписи и считывания, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью упрощения элемента, в него введен диод,анод которого подключен к числовойшине считывания, а катод - к истокуМДП-транзистора, сток которого соединен с эмиттером биполярного тран зистора, база которого подключенак числовой шине записи,Источники информации, принятыево внимание при экспертизе 1. Заявка Японии 9 44-44586,кл. 97/7/С 13, 1973.2, Заявка Великобритании 91310471,кл. С 4 С, 19733Заявка Великобритании 91390034,кл. Н 3 Т, 1975.4. Заявка Франции 9 2252627,кл. 6 11 С 11/40, 1975.