Магнитный запоминающий элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 587503
Автор: Тимофеев
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОл 1 У СВИДЕТЕЛЬСТВУ(11) 587503 Союз Советским Социалистическим Республик(45) Дата опубликования описания 060 1,78 г(51) лй. Кл.Ст 11 С 11/08 ГовядарвтввннмЯ номнтотСоната Мнонотроо СССРоо донам нвобрвтвннйн отнрытой(71) Заявитель Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина)(54) МАГНИТНЫЙ ЭАПОМИНИОЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах со структурой 2 Д. 5Известны магнитные запоминающие элементы.Характерным недостатком большинства из них является необходимость ручной сборки матриц элементов. Су ществует несколько технологий, в рамках которых матрица изготавливается гфУпповым методом.Известен запоминающий элемент, приспособленный к групповому изготов лению на многоотверстной ферритовой пластине с печатными обмотками(1(,Известен также запоминающий элемэнт, выполненный на 3-х отверстиях, прошитых через первое и третье отвер стия числовой обмоткой и через второе отверстие - раэрядйой обмоткой.Недостатком элемента является амплитудное различие выходных импульсов напряжения ф 1 ф 1 и ФОфф 2). 25Наиболее близким по технической сути к предложенному является магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину иэ материала с прямоугольной петлей гистерезиса с шестью от- ЗО верстиями, расположенными в ряд и прошитыми двумя обмотками выборки соответственно через первое и шестое, третье и четвертое отверстия в противоположных направлениях, и разрядную обмотку.Недостатком этого элемента является амплитудное различие импульсов1и 10(3Цель изобретения - повышение надежности элемента путем применения фазового различия в напряжениях 1 и "0 - достигается тем, что разрядная обмотка прошита через. второе и пятое отверстия в одинаковых направлениях.На фиг. 1 графически изображен магнитный запоминающий элемент; на фиг, 2 - используемые магнитные состоянияМагнитный запоминающий элемент (фиг.1) выполнен на участке 1 пластины 2 из материала с прямоугольной петлей гйстереэиса, содержащем 3-8 отверстий, расположенных в ряд и прошитых первой обмоткой выборки 9 через 3 и 8 отверстия в противоположных направлениях, разрядной обмотки 10 через 4 и 7 отверстия в одинаковых направлениях, второй обмоткой выбор58"503 ки 11 через 5 и б отверстия в противоположных направлениях.Подача тока )1 В обмотку 9 приводит к надежному стиранию информации, так как элемент переходит в магнитное состояние С, показанное на фиг.2. В разрядной обмотке 10 наводится импульс напряжения ф 1 или 0 1(о той или другой полярности в завйсимости от предыдущего магнитного состоЯниЯ 1 или (фиг,2). Запись информации выполня,ется в следующем такте при совместном действии тока (2,подаваемого в обмотку 1 1 и одного иэ токов Эр Зр подаваемого в обмотку 10, Ток (о(ЗАД нарушает баланс в магнитопроводе элемента и изменение магнитного потока центральной перемычки замыкается в основном вокруг левых (правых) трех отверстий и элемент попадает в состояние 0 (1)Предложенный элемент может хранить троичную информацию. Третье состояние возникает при отсутствии токов ). о, ,; в момент действия тока.При использовании элемента в запоминающем устройстве ток )1 может быть числовым током, ток Эможет быть числовым, разрядным илй общим. Ток ) может быть постоянным током смещения, в этом случае амплитуда тока Э( должна быть соответственно увеличина. Магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину иэ материала с прямоугольной петлей гистереэиса с шестью отверстиями, расположенными в ряд и прошитыми двумя обмотками выборки соответственно черо. первое и шестое, третье и четверто отверстия в противоположных направлениях, и разрядную обмотку, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности элемента, разрядная обмотка прошита через второе и пятое отверстия в одинаковых направлениях. 10 Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе:1. Заявка Р 2155895/24 от 10.07.75,по которой принято решение о выдачеавторского свидетельства.2, Авторское свидетельство СССРР 22592 б, кл. ( 11 С 11/14, 1974,3. Заявка Р 2057955/18-24 от9,09.74, по которой принято решениео выдаче авторского свидетельства. 1 т/От( г 8 рт РГ Ю 1 г 8 1 Р фиг фиг. ставитель В, Гордоновахред М, КелемешКоррек Лакида и и3 Тираж УЙнного комитета Советам изобретений и открыЖРаушская наб. з 142/39ЦНИИПИ Государствпо дел113035 Москва Подписиинистров СССРй илиал ППП Патент Ужгород.,оектная,Редактор И, Марховская)о) мула и зоб ре те н и я
СмотретьЗаявка
2354654, 03.05.1976
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ В. И. УЛЬЯНОВА
ТИМОФЕЕВ АЛЕКСАНДР ОРЕСТОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
Опубликовано: 05.01.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-587503-magnitnyjj-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитный запоминающий элемент</a>
Предыдущий патент: Устройство для защиты памяти
Следующий патент: Постоянное запоминающее устройство
Случайный патент: Способ управления траекторией движения судна