Магнитный запоминающий элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
3ПИСА Е ИЗОБРЕТЕНИЯ ни О Союз Советских Социалистических Республик/08 Проори Госудерстввввмй квмвтвт Совете Мвнвстрвв СССР вв делам вэобрвтвев н откате(У 2) Авторы изобретена имофее итрадскнй ордена Ленина электротехнический институт имени 8. И, Улывова (Ленина) Ле(71) Заявитель ПОМИНА ЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ АГНИТНИ Предлагаемый магнитный запоминающий элемент может найти применение в вычислительной технике и предназначен для использования в ЗУ, работающих на принципе координатной выборки информации.бИзвестен магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с дву- . мя парами отверстий, одна из которых расположена вдоль горизонтальной осн симметрии пластины, а другая - вдоль вертикальной оси симметрии, и две обмотки, прошитые соответственно через каждую пару отверстий в противоположных направлениях 111.Этот элемент предназначен для использования в накопителях с линейной выборкой информации. ИИзвестен магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластин; с тремя. парами отверстий, одна из которых расположена вдоль вертикальной оси симметрии пластины, а две другие - вдоль горизонтальЯ ной осн симметрии пластины, и три обмотки, прошитые соответственно через каждую пару отверстий в противоположных направлениях 12.Недостатком этого элемента является низкое быстродействие, обусловленное нсполъзо-М ваннем выборки методом геометрического совпадения токов, при котором считывание информации осуществляется за несколько тактов.Целью изобретения является повышение быстродействия.Эта цель достигается введением в предложенный элемент дополнительной пары отверстий, расположенной вдоль горизонтальной оси симметрии пластины. При этом отверстия прошиты четвертой обмоткой в противоположных направлениях.На чертеже показан предлагаемый элемент.Он содержит ферритовую пластину 1 с отверстиями 2.и 3, расположенными вдоль верти. кальной оси симметрии пластины. Отверстия 4 - 9 расположены вдоль горизонтальной осисимметрично относительно точки пересечения осей. Мервая обмотка 10 прошита через отверстия 2 н 3 в противоположных направлениях, вторая обмотка 11 - через отверстия 6 и 7 в противоположных направлениях, третья обмотка 12 - через отверстия 5 и 8, а четвертая - 13 через отверстия 4 и 9 в противоположных направлениях.По обмоткам 11 н 12 подаются координатные токи выборки 1 и 1 соответственно, по обмотке 13 - постоянный ток смещения.614467 формула изобретения Магнитный запоминающий элемент, содержащий феррнтовую пластинку с тремя парами отверстий, одна нз которых расположена вдоль вертикальной оси симметрии пластины, а две другие - вдоль горизонтальной оси симметрия пластины, и трн обмотки, прошитые соответственно через каждую пару отверстий в противоположных направлениях, отличающийся тем, 16 что, с целью повышения быстродействия элемента, он содержит дополнительную пару от.верстий, расположенную вдоль горизонтальной оси симметрии пластины и прошитую четвертой обмоткой в противоположных направлениях.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авторское свидетельство СССР22528,кл, б 11 С 11/08, 1969.2. Заявка2121958/ 8 - 24, кл. б 11 С 11/08 . ЛЭ 1972, по которой принято решение. о выдачеавторского свидетельства. Составитель ВТетред О. ЛугоТираз 7 7 едактор Л, Утекаяаказ 37 И 43 ЦНИИПИ Государстаеикого комитет по делам изобретенийСчитывание осуществляется совместным действием двух координатных токов на фоне тока смещення. Выборочная запись осуществляется мето. дом гасЬе 1 - чгпТе. Быстродействие предлагаемого элемента повышено по сравнению с прототипом не менее, чем в два раза за счет уменьшения числа тактов выбОрки с двух до одного. Прн использовании предлагаемо:о элемента в составе накопителя с координатной выборкой и неразрушающим считыванием информации в каждый отдельный момент времени по полному гистерезнсному циклу перемагничиваются только элементы, принадлежащие выбранной числовой линейке (в прототипе по полному гистерезисному циклу перемагничиваются также элементы, принадлежащие нолувыбранным линейкам), что позволяет прн равном времени переключения существенно уменьшить напряженяе источника питания адресных формирователей, т.е. уменьшить потребляемую мощность. Гордоновая Корректор С, ГерасииякПодписноеСовета Министров СССРи открытий
СмотретьЗаявка
2135944, 19.05.1975
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. УЛЬЯНОВА
БАЛАШОВ ЕВГЕНИЙ ПАВЛОВИЧ, ВОДЯХО АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, ТИМОФЕЕВ АЛЕКСАНДР ОРЕСТОВИЧ, ШУМИЛОВ ЛЕВ АЛЕКСЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
Опубликовано: 05.07.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-614467-magnitnyjj-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитный запоминающий элемент</a>
Предыдущий патент: Способ обращения к пьезоэлектрическому накопителю
Следующий патент: Полупостоянное запоминающее устройство
Случайный патент: Смеситель