Программируемый постоянный запоминающий элемент

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл,6 11 С 17/ 0 1 1 С 1 1/4 с присоединение3) Приоритет заявкиГосударственный комитет СССР(088.8) по делам изобретений н открытий5) Дата опубликования описания 30.05.7(54) ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ПОСТОЯННЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТс разряднои и ектрически программиих элементов, испольинного пробоя р-и-нестора, требуется именьшей мощности 21. элементом может слутветствующие выводы ся к словарной и разДля однократно эл руемых запоминающ зующих явление лав рехода диода транзи пульс значительно м При этом ключевым жить транзистор, соо которого подключают рядной шинам.Наиболее близок к мируемый постоянны мент, содержащий кл вательно соединенны изобретению й запоминаю ючевой диод й с лавинно програмщий эле- последо- пробиваеИзобретение относится к вычислительной технике и может быть применено при изготовлении однократно электрически программируемых полупроводниковых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключении питания.Известны программируемые постоянные запоминающие элементы, использующие способ пережигания плавких перемычек, содержащие разрядные и словарные шины, в местах пересечения которых находятся ключевые элементы и элементы связи 1.Недостаток этих запоминающих элементов состоит в большой мощности импульса пережигания плавких перемычек, что ведет к усложнению всего устройства. мым диодом, соединеннымчисловой шинами 31.Недостатком такого запоминающего элемента является большая сложность, так как применение технологии: кремний на сапфире и биполярной-требует изоляции элементов конструкции для устранения паразитных связей.Цель изобретения - упрощение запоминающего элемента.Поставленная цель достигается тем, что в программируемом постоянном запоминающем элементе, содержащем подложку, на поверхности которой расположен полупроводниковый слой с диффузионными истоковой и стоковой областями МДП-транзистора, затвор которого подключен к словарной шине и размещен в диэлектрическом слое, расположенном на поверхности полупроводникового слоя, диффузионная стоковая область МДП-транзистора подключена к разрядной шине, расположенной на поверхности диэлектрического слоя перпендикулярно к словарной шине, подложка выполнена про- водящей, например металлической, и образует с диффузионной истоковой областью МДП-транзистора пробиваемый напряжением переход.Кроме того, с целью уменьшения напряжения пробоя, предлагаемый элемент может содержать в полупроводниковом слое диффузионную эмиттерную область, подключенную к подложке и образующую с диффузионной с истоковой областью МД 11- транзистора биполярный транзистор.На фиг. 1 изображен предлагаемый запоминающий элемент; на фиг, 2 - запоминающий элемент с диффузионной эмиттерной областью в полупроводниковом слое,Запоминающий элемент содержит подложку 1, полупроводниковый слой 2, диэлектрический слой 3, разрядную шину 4, диффузионные стоковую 5 и истоковую б области МДП-транзистора, затвор 7 которого соединен со словарной шиной.В полупроводниковом слое 2 может быть расположена диффузионная эмиттерная область 8 биполярного транзистора, базой которого является полупроводниковый слой 2, а коллектором - диффузионная истоковая область б,Дополнительная диффузионная область 9, тип проводимости которой совпадает с типом проводимости полупроводникового слоя 2, также ведет к уменьшению напряжения пробоя перехода между истоковой областью 6 и подложкой 1, которая выполнена металлической и служит третьей шиной - шиной нулевого потенциала при записи и считывании информации из запоминающего элемента.Запись информации в запоминающий элемент проводится подачей открывающего напряжения по словарной шине на затвори импульса программируемого напряжения на стоковую область 5 по разрядной шине 4, что приводит к закорачиванию истоковой области 6 на полупроводниковый слой 2, а следовательно, и на подложку 1,Считывание информации осуществляется по величине тока в разрядной шине при подаче открывающего напряжения по словарной шине на затвор 7, наличие тока соответствует единичному состоянию,т. е. тому, что истоковая область 6закорочена на подложку 1.Введение областей 8 и 9 существенноуменьшает напряжение пробоя и снижает5 требования к импульсу программируемогонапряжения.Такая конструкция за счет простоты позволяет снизить стоимость изготовлениязапоминающих устройств.10Формула изобретения1. Программируемый постоянный запоминающий элемент, содержащий подложку, на поверхности которой расположен по 15 лупроводниковый слой с диффузионнымиистоковой и стоковой областями МДПтранзистора, затвор которого подключен ксловарной шине и размещен в диэлектрическом слое, расположенном на поверхно 20 сти полупроводникового слоя, диффузионная стоковая область МДП-транзистораподключена к разрядной шине, располохсенной на поверхности диэлектрическогослоя перпендикулярной к словарной шине,25 о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения элемента, подложка выполнена проводящей, например металлической, и образует с диффузионной истоковой областью МДП-транзистора пробиваемый на 30 пряжением переход.2. Элемент по п. 1, отличающийсятем, что, с целью уменьшения напряженияпробоя, он содержит в полупроводниковомслое диффузионную эмиттерную область,35 подключенную к подложке и образующуюс диффузионной истоковой областью МДПтранзистора биполярный транзистор.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе40 1, Патент США3611319, кл. 340 в 1,опублик. 1971,2, Патент США3699540, кл. 340 в 1,опублик 1971.3. Патент США3733690, кл. 29 в 5,45 опублик, 1972.пография, пр. Сапунова Заказ 1033/15 Изд.341НПО Поиск Государственного комитет113035, Москва, ЖТираж 680 ПодписноеСССР по делам изобретений и открытийРаушская наб д. 4/5