Инжекционный запоминающий элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБВЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДВ 7 ВЛЬСо ВУ Сова Советских Социалцсткческкх Республик(61) Дополнительное к авт. свид(22) Заявлено 22.12.76121) 2432с присоединением заявки18-24 Ы (11 С 11 ЧО ооудвротоонньа иоиитетСовета Министров СССРоо делом изобретенийи отирютнй(23 оритет) Опубликоваиа 15.07.78.Бюллетень 26 б) Дата опубликования описания 15.06.78, М. Кононов и Д. оров аявитель КЦИОННЫЙ ЗАПОМИНАК) 4) Изобретение относится к области вычислительной техники и предназначено дпя использования в качестве запоминающего. элемента инжекционных интегральных за поминающих устройств. 5Известно частотно-импульсное вычита;. ющее устройство, содержащее триггер, реверсивный счетчик, схему сборки и импуль сно-потенциальные схемы совпадения 111 . Недостатком такого устройства является 1 сложность его построения,Ближайшим по технической сущности является инжекционный запоминающий элементу содержащий триггеру выполненный 15 на двут транзисторах, эмиттеры которых соединены с шиной нулевого потенциала, базы соединены через генераторы тока с шиной нулевого потенциала и первыми коппеиторами соответствующих транзнсторов 20 записи-считывания, эмиттеры которых подключены к шине нулевого потенциала, базы подключены через генераторы тока к ,шине нулевого потенциала, разрядные ши ны и шины выборки 2 2 Недостаткомизвестного элемента является высокая потребляемая мощность.Бень изобретения состоит в снижении мощности, потребляемой элементом.Эта пень достигается тем, что вторые коллекторы транзисторов записи-считывания соединены с шиной выборки, а базь- с соответствующими разрядными шинами.На фитой 1 показана принципиальная схема элемента; на фиг. 2 - входные харак,теристики одного из транзисторов считывэетия - записи.Триггер выполнен на транзисторах 1 и 2, причем база то-р ытт транзистора 1 под кпючена к коллектору транзистора 2 и к первому коллектору двухкоппекторного в-р т 1 транзистора 3. База транзистора 2 объединена с коллектором транзистора 1 и первым коплекгооом двухколпекторного 1 о-р т транзистора 4.Вторые коллекторы транзисторов 3 и 4 подключены к шине выборки, (выбора слова) 8, а .базы их - ,к разрядным шинам (считывания-записи ) 6 и 7. К базам транзисторов 1 и 2 подсоединены положительные полюсы генера717 Подл комитета Совета Ми етений и открытий каз ноестров ССС Л 17/4 2 Тираж ИПИ Государствейногопо делам изобрЮ ОВОС 1 аь
СмотретьЗаявка
2432397, 22.12.1976
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6644, ВОРОНЕЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
КОНОНОВ СЕРГЕЙ МИХАЙЛОВИЧ, ФЕДОРОВ ДМИТРИЙ ПЕТРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, инжекционный, элемент
Опубликовано: 15.07.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-615541-inzhekcionnyjj-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Инжекционный запоминающий элемент</a>
Предыдущий патент: Элемент памяти для трансформаторного постоянного запоминающего устройства
Следующий патент: Статистический накопитель
Случайный патент: Рудничная стойка