Запоминающий блок

Р 11 55649 У ОЛ ИСАЙ ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. КлС 11 С 11/22 173/2 с присоединением заявки(23) ПриоритетОпубликовано 30,04.77, БюллетеньДата опубликования описания 11.05.7 осударственный хамите авета Министров ССС ла делам изобретенийи открытий(71) Заявитель ий ордена Великой О хническии институтиалистической револ Киеим, 50-лети и 54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ БЛО ных соответствующими последовательностями электрических импульсов. Эффект генерирования,последовательности электрических импульсов в блоке достигается за счет использо вания бегущей вотны механической деформации, последовательно возбуждающей пьезоэлектрические преобразователи, образованные материалом сепнетоэлектрической пластины в зоне перекрытия выходных электро дов и электродов записи.Однако в таком блоке генерирование выходных последовательностей электрических импульсов не зависит ни от каких других факторов, кроме изменения поляризации сег нетоэлектрического материала в области выходных электродов. Это требует проведения электрической перезаписи информации путем соответствующей переполяризации сепнетоэлектрического материала и связано с изме пением характера импульсов, Для формирования элект 1 рических импульсов записи необходимо применение достаточно сложных электронных схем управления, что иногда (например, в постоянных запоминающих устройствах) нецелесообразно по техническим или экономическим,соображениям. Это снижает область применения запоминающего блока,Цель из30 применения Изобретение относится к области запоминающих устройств.Известен запоминающий блок, содержащий пластину из сегнетоэлектрического материала, приобретающего пьезоэлектрические свойства в поляризованном состоянии, Такой блок допускает выполнение в виде интепральной микросхемы, обеспечивает высокую плотность размещения информацпи и ее многократное во опро из ведуни е.Недостатком этого олока является считывание инфориации в виде параллельного кода, что в ряде случаев требует использования специальных преобразователей параллельного кода в последовательный.Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающий блок, применяющийся для хранения шифера, содержащий сепнетоэлектрическую пластину, в середине одной из сторон которой расположен первый электрод возбуждения, а по краям параллельно электроду возбуждения нанесены электроды записи, на другой стороне пластины против первого электрода возбуждения расположен второй электрод возбуждения, выходные электроды, нанесенные перпендикулярно к второму электроду возбуждения. Запоминающий блок обеспечивает получение выходного сигнала в виде одной или нескольких последовательностей кодов, пдедставленобретения - расширение областизапоминающего блока, 55649745 50 55 Это достигается тем, что в предлагаемом блоке на другой староне пластины нанесены фоторезистивные пленки, на которых расположены выходные электроды.Применение фоторезистивных пленок, нанесенных на пластину из сегнетоэлектрического материала, позволяет изменять коэффициент передачи сигнала с возбужденного выходного пьезапреобразователя в нагруженную информационную линию в зависимости от уровня освещенности отдельных элементов устройства, т. е. производить коррекцию ранее записанного цифрового кода световым сигналом.На чертеже схематически показан запоминающий блок (для наглядности электроды условно разнесены по вертикали).Основой конструкции запоминающего блока является пластина 1 из сегнетоэлектоическото материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии. В середине каждой из сторон пластины 1 расположены один против другого электроды возбуждения 2, 3, На одной стороне пластины 1, например верхней, по краям ее параллельно первому электроду возбуждения 2 нанесены электроды записи 4 информацни. На другой стороне пластины 1 перпендикулярно к второму электроду возбуждения З,нанесены фотарезистивные пленки 5, на которых расположены выходные электроды 6, выполненные из оптически прозрачного электропроводящего материала (например, окиси олова и т, п.). Поляризация между электродами возбуидения 2 и 3 создается приложением электрического поля к этим электродам и в процессе эксплуатации не изменяется,Информация записывается также при изготовлении блока и при необходимостями может быть изменена. Для этого достаточно приложить электрическое напряжение между выходными электродами 6 и электродами записи 4. В результате в зоне перекрытия этих электродов установится постоянное значение поляризации, причем направление вектора поляризации однозначно определяется полярностью приложенного напряжения записи, Направление,поляризации в каждой зоне перекрытия может быть различным н характеризует хранимый информационный массив. Полярность,выходного сигнала определяется соотношением направления, поляризации сегнетоэлектрического материала в области электродов возбуждения 2 и 3 и каждой зоны перекрытия электродов записи 4 и выходных электродов 6.Коррекция последовательности выходных импульсов осуществляется с помощью фоторезистивных пленок 5, отделяющих выход 5 10 15 20 25 30 35 40 ные элекпроды 6 от пластины 1. Котда фоторезистивная пленка 5 освещена, сопротивление ее мало и напряжение выходного пьезопреобразователя (на ечртеже не показан), приложенное к последовательно соединенным участку фоторезистивной 1 пленки 5 и нагрузке (на чертеже не показана), распределяется таким образом, что весь полезный сигнал выделяется на нагрузке. В случае, если фоторезиотивная пленка 5 затемиена, ее сопротивление велико и ооновная часть напряжения приложена к этому сопротивлению, а на нагрузке,полезный сигнал практически отсутствует.Таким образом, изменяя освещенность фоторезистивной пленки 5 в областях соответствующих выходных электродов 6, возможна коррекция последовательности генарируемых импульсов.В одежном из вариантов конструкции запоминающего блока пластилину сегнетоэлектрического материала с электродами помещают в корпус интегральной микросхемы, верхнюю крышку корпуса выполняют из лрозрачной пластмассы, Тогда необходимую коррекцию кода осуществляют нанесеннем на крышку затемненных участков.Эффективность подобного запоминающего блошка проявляется при использовании его в качестве хранителя шифера. Применяя освещение,пластичны через масиу с нанесенными определенным образом прозравными и непрозрачными участками, можно осуществить коррекцию кода (шифера) без электрической перезаписи, требующей, наличия специальных электронных, схем формирования сигналов, Следовательно, представляется возможность использовать полпостыл весь считываемый код или определенную его часть в соответствии с принятой,коррекцией, вид которой устанавливается в момент,возведения блока простой установкой маски с прозрачными или непрозрач)ными участками. Формула изобретенияЗапоминающий блок, содержащий сегнетоэлектрическую пластину, в середине одной из сторон которой, расположен, первый электрод возбуждения, а по краям параллельно электроду возбуждения нанесены электроды записи, на другой стороне пластичны против, первого электрода возбуждения расположении второй электрод возбуждения, выходные электроды, нанесенные перпендикулярно к второму электроду возбуждения, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения области применения блокана другой стороне пластичны нанесены фоторезистивные пленки, на которых расположены выходные элекпроды.оставитель В. Рудаков Редактор Т, Рыбалова ехредеЗ Тарасо Тираж 735Совета Министров Си открытийкая наб., д. 4/5 ПодписноеР Изд. Мо 390И Государственного комитет по делам изобретений113035, Москва, Ж, Рауш Типография, пр, Сапунова,Заказ 1051/18ЦНИИ орректор О, Тюри