Долговременный запоминающий элемент

ОПИСАНИЕ ИЗОЬРЕТЕНИЯ ь сеоо юз на.я ( атьнтно-техн ческаб, блкотекаЧ Б А Союз Советских Социалистических Республик(51)М. Кл. С 11 С 17/00 С 11 С 11/34 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(54) ДОЛГОВРЕМЕННЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при создании интегральных перепрограммируемых запоминающих устройств ЭВМ. 5Известны запоминающие элементы ( Й, содержащие МДП-транзисторы с изменяемым порогом включения и управляющие транзисторы. Известные элементы не обеспечивают надежное программирование состоящего из них запоминающего устройства, так как используют малоустойчивые физические эффекты, имеют сложную структуру диэлектрика МДП-прибора и количество .шин, превышающее два.Йаиболее близким по технической сущности к данному изобретению является долговременный запоминающий элемент, содержащий МДП-прибор с лавинной инжекцией и плавающим затвором, биполярный транзистор, разрядную и числовые шины (42. Однако использование в этой ячейке МДП-прибора с лавинной инжекцией и плавающим затвором требует значительных величин управляющих напряжений, в результате чего сущестВует значительная вероятность выхода из строя МДП-прибора вследствие пробоя окисла; кроме того, наличие плавающего затвора делает МДП-прибор менее технологичным, чем МДП-транзистор, программируемый с помощью ионизирующего излучения.Целью изобретения является упрощение запоминающего элемента.Поставленная цель достигается тем, что в долговременный запоминающий элемент, содержащий запоминающий и управляющий транзисторы, разрядную и числовую шины, введен диод, анод которого подключен к числовой шине, а катод соединен с истоками управляющего и запоминающего транзисторов, сток управляющего транзистора соединен с затвором запоминающего транзистора, сток которого соединен с затвором управляющего транзистора и подключен к разрядной шине.На фиг. 1 показана схема предлагаемого запоминающего элемента; на фиг. 2 - структура запоминающего элемента. Запоминающий элемент содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения запоминающий МДП- транзистор 1, управляющий МДП-тран680053 формула изобретения Составитель Ю,. Ушаковая Техред О.Андрейко Корректор В. Бутяг Редактор Н. Ка Тираж 681 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/ Заказ 4802 тент, г. Ужгород,ектная, 4 лиал П.гГ Д 1 ГФФэистор 2,", друрэбваюбай диод 3 числовуюшййу.4 и разрядную шину 5.Запись оперативной информацииосуществляется следуюшим образом.На числовую шину 4 подается положи-.тельный сигнал, который не проходитчерез закрытый управляющий МДП-транзистор и напряжение затвор-подложказапоминающих МДП-транзисторов вячейках строки равно нулю (во всеячейки строки записан флог. 0 ),Подачей положительных сигналов наразрядную шину производится записьлог. 1 в запоминающий элемент.Запоминание постоянной информации осуществляется путем облученияэлемента, в котором сохраняется оперативная информация, в распределенном поле ионизирующего излучения.В процессе облученияоперативная информация фиксируетсяф,После окончания облучения и отключения питания информация сохраняется в виде встроенных каналов взапоминающих МДП-транзисторах ячеек,в которых была записана лог. 1. Стирание постоЯнной информации осуществляется путем повторного облучения без подачи питания. После того. как постоянная информация стерта, в запоминающее устройство может быть записана новая информация. Экономический эффект изобретения состоит в повышении надежности программирования и технологичности, а также в уменьшении размеров запоминающей ячейки . Долговременный запоминающий элемент, содержащий запоминающий и уп 10 равляющий транзисторы, разрядную ичисловую шины, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощенияэлемента, в него введен диод, анодкоторого подключен к числовой шине,а катод соединен с истоками управляющего и запоминающего транзисторов,сток управляющего транзистора соединен с затвором запоминающего тран зистора, сток которого соединен сзатвором управляющего транзистора иподключен к разрядной шине.Источники информации, принятыево внимание при экспертизе1. Заявка Японии Р 44-44586,кл, 97(7) С 13, 1973.2, Заявка Великобритании9 1310471, кл. О 4 С, 1973,3. Заявка ВеликобританииР 1390034, кл, Н 3 Т, 1975.4, Заявка Франции 9 2252627,кл . 6 11 С 11/40, 1975,