Патенты с меткой «высокотемпературного»

Номер патента: 1734242

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Гнедин, Лутков, Михайлов, Трапезников

МПК: H05B 3/14

Метки: высокотемпературного, стержневого, электронагревателя

...высоким удельным электросопротивлением, располагаются плоскостями перпендикулярно оси стержня, обеспечивая тем самым (при выбранных соотношениях компонентов) его высокое электрическое сопротивление. Наличие нефтяного кокса обеспечивает достаточную прочность нагревателя при высоких рабочих температурах, так как связь между чешуйками графита без него слаба.Полученный материал обладает небольшой твердостью, ввиду чего хорошо механически обрабатывается, Стержни, используемые как нагревательные элементы, работоспособны на воздухе до температуры 1500 С, э также в инертной атмосфере - до 2500 С. Срок службы стержней в два раза больше срока службы нагревательных элементов из композиций, не содержащих чешуек природного графита,...

Номер патента: 1746113

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Пульвас, Сень

МПК: F22B 33/18

Метки: воды, высокотемпературного, морской, нагрева

...нагрев морской воды с максимальным использованием теплоты пара и с одновременным получением питательной воды котла в виде конденсата и тем самым достигается цель изобретения.На чертеке показана тепловая схема устройства для высокотемпературного нагрева морской воды.Устройство содержит последовательно включенные в тракт морской воды соответственно контактный нагреватель первой ступени 1, бесконтактные нагреватели второй ступени 2 и третьей ступени 3 с встроенными трактами греющего теплоносителя, контактный нагреватель второй ступени 4 с встроенными устройствами термоумягчения и деаэрации, расширители первой ступени 5 и второй ступени 6 с пароотводящими трубопроводами, бесконтактный концевой нагреватель 7, Сборник конденсатов 20 30 35 8...

Номер патента: 1759812

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Андрулене, Казлаускас, Кайкарис, Лоханкин, Маткенайте

МПК: C04B 28/24

Метки: высокотемпературного, изоляционного, связующее

...и дбстигаемому резгаемому является свысокотемпературного изтериала на основе кремнеда алюминия при содержамас,;КремнезольОксихлорид алюминия о высокоатер иал а. ее содер,04-0,07; этиленси: борная В смеси- лоту, доя зующее жидкость емешиваи изгибе кг/м, 11759812 Сначала проводят синтез связующего ГС-,20 Э. В 100 мас.ч, готового связующего при постоянном перемешивании вводят 40 мас.ч, воды, подкисленной 0,4 мас.ч. концентрацией соляной кислоты. После одного часа интенсивного перемешивания гидролиз связующего ГСЭ заканчивается. В смеситель заливают рассчитанное количество воды и борной кислоты, перемешивают до растворения, затем добавляют гидролиэованное связующее ГСЭ, полиэтиленсилоксановую жидкость ПЭСи аммоний углекислый. После...

Номер патента: 1770828

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Борисов, Зимина, Крашенинников, Филиппов, Филонов

МПК: G01N 13/02

Метки: восстановления, высокотемпературного, исследования, кинетики, металлов, оксидов

...изотермическуьо зону (1500-1700 С) печи 4, вакуумное уплотнение 5. экраны б, нагреватель 7, смотровое окно 8, фото- или кинокамеру 9, металлический стержень 10, стержень 11 из А 20 з,отводы 12 и 13 для входного и выходного контроля газовой фазы; А - положение графитовой подложки с таблеткой оксида металла до начала проведения процесса, Б - в момент начала эксперимента,П р и м ер .Печь предварительно откачивают до 10 атм и заполняют гелием, Таблетка оксида металла на графитовой подложке. внесенная в изо;ермическую зону печи при температуре 1570 С, расплавляется в течение первых 15-20 с, При этом Формируется капля оксида металла. Профиль капли снимают на Фотопленку со скоростю 1 кадр в 1-2 с. При этом образцы готовят заранее, а не...

Номер патента: 1772222

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Булышев, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, высокотемпературного, монокристаллов, сверхпроводника

...С в течение6 . Затем смесь доводят до плавления ичерез 2 ч хлажда ат с печью до комнатнойтемп "а.уры, Приготовленную таким обра:ам ш хту помещают в вертикальную ци"рическую печь, выдержлвают 60 мин.,ри 950 С, затем охлаждаот до 850 С в теп; овом поле с градиентом 40 град/см со скоростью 1 град/ч и далее до комнатнойтемпературы со скоростью 200 град/ч, Изполученного слитка выкалывают пластинчатые монокриста/лы, Максимальные размеры кристаллов дастигаот 2025 х 0,1 мм .Дополнительный отжиг, проводят при 80 Гв,ечсние 4 ч, Выращенные таким. Спосоосммонокристаллы имеот температуру перехода в сверхпроводящее состаян е 87-89 К: перекристаллизацию путем охлаждениярасплава в неоднородном тепловом поле ипоследующий отжиг, процесс охлажденияведут в...

Номер патента: 1772773

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Виленчиц, Ждановский, Умрейко

МПК: G01R 33/035

Метки: высокотемпературного, датчика, магнитометра, охлаждения, сквид

...180), Для удобства монтажа и замены кольцевого датчика б желательно изготовить вихревые трубы 1 (вместе с вводами 2 и диффузорами 3) и диски 4 разбор- ными, состоящими из двух симметричных половинок, сопрякение которых происходит в плоскости замкнутой кривой. На фиг,2 показана плоскость сопрякения, которая совпадает с радиальным каналом 8. Температура кольцевого датчика 6 определяется оптическими методами, для этого измерительная аппаратура содержит излучатель 12 и детектор 13 оптического излучения, которые установлены с противоположных сторон вихревой трубы 1 в зоне зазора 7 между диффузором 3 и диском 4.Для надежного функционирования устройства необходимо изготавливать вихревые трубы 1, сопловые вводы 2 и диффузоры 3 из немагнитного...

Номер патента: 1774228

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Бушуев, Вдовин, Гудков, Сженов

МПК: G01N 5/00

Метки: высокотемпературного, давления, нагрева, продуктов, процессе, разрушения, реактивного

...к выходу датчика перемещений, вход схемы автоматической регистрации массы образца соединен с выходом схемы измерения амплитуды колебательной составля 1 ащей сигнала перемещений, выход ее соединен с первым входом схемы автоматической регистрации реактивного давления, а выход схемы измерения текущего значения квазистационарной составляющей сигнала перемец 1 ений соединен с вторым входом схемы автоматической регистрации реактивнога давления.На чертеже представлена схема одного из вариантов устройства, реализующего данный способ,Устройство содержлт источник концентрировайнога лучистого потока - лазар 1, поворотное зеркало 2, вакуумную камеру 3, микровесы 4 с коромыслом, на одном плече которого смонтирован держатель 5 образца б,...

Номер патента: 1777655

Опубликовано: 23.11.1992

Автор: Йохан

МПК: H01M 10/39

Метки: аккумулятор, аккумулятора, высокотемпературного, высокотемпературный, расплавленный, солевой, электролит, электрохимический, электрохимического

...полностью погружен в него.Точно также расплавленный электролит 48 заливается в трубку 44 в количестве, достаточном, цтобы источник - приемник 40 был полностьн погружен в него. Нижний конец трубки44 расположен выше дна трубки 42 нашайбе из 0 -оксида алюминия 50, необладающего электронной проводимостью. В трубке 42 находится расплавленный электролит 52, окружающий Источники - приемники 38 и 40 готовили одинаковым образом из спеченных пористых никелевых цлиндров, которые пропитывали ИаС 1, для чего их погружали в насыщенный водный раствор ИаС 1 и затем высушивали; После этого никель источника-приемника 38 электрохимически хлорировали по реакции И + 2 ИаС 1-ф ИхС 1 + 2 Ма для чего он подключался в качестве 4 О катода в электрохимической...

Номер патента: 1586095

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Загоскин, Литвиненко, Малько, Могилко, Павлюк, Пирогов, Помазунов, Рамакаева, Семиноженко, Шешина

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературного, магнитного, экрана

...90,5 К; ЬТсо = 2,8 К, 1 табл,ного интервала перехода в сверхпроводящее состояние.П р и м е р, Порошоксверхпроводящего состава УВа 2 Соз 07- засыпают в цилиндрическую пресс-форму из закаленной стали, в которую плотно вставлен цилиндр из вакуумной резины с внутренним отверстием, соответствующим по диаметру внешнему диаметру прессуемой заготовки. После засыпки порошка в отверстие резинового цилиндра его плотно закрывают вкладышем из вакуумной резины и сверху вставляют пуансон.Прессование проводят на прессе Д 24 34 В. прикладывая давление 900 МПа в течение 15 мин, Отпрессованную заготовку изме 15 б 15 6 15 8,0 7,7 7,9 7,8 7 7 7 Пред- лагае- мый 5 5 5 1060 2060 15 50 60 7,60 60 60 50 70 9 30 30 20 ОО ОО ОО ыи бработки; ого поля;дящего...

Номер патента: 1786363

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Антонова, Кувалдин, Остронов, Терехов

МПК: F27B 5/10, F27D 11/06

Метки: высокотемпературного, индукционная, муфельная, нагрева, углеграфитовых

...и наибольшее) из ряда минимальных значений удельного электросопротивления марок. графита, которые используются для изготовления муфеля (справочные данные (31 ),На практике; определив по уравнению (2) толщину муфеля Ь, а также наибольшее рди наименьшее ъ минимальные значения удельного электросопротивления имеющихся марок графита, по соотношению (5) выбирают стандартное значение частоты т.Затем, используя соотношение (4), по минимальному значению удельного злектросопро; ивления определяют соответствующую марку графита, из которого необходимо изготовить муфел ь.Известно, что по глубине нагреваемого 5 слоя происходит затухание электромагнитной волны, что приводит, особенно на этапе разогрева, к неравномерному нагреву муфеля.Избежать этого...

Номер патента: 1820416

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Волохов, Зеленцов, Песков

МПК: H01C 17/00

Метки: высокотемпературного, тензорезистора, тонкопленочного

...К - 0,14 определяли п 1 0,2 поб, ДлЯ полУчениЯ заДанной величины .удельного поверхностного сопротивления рл число циклов. нанесения тонких резистивных слоев поб составляет 120. Отсюда число циклов нанесения резистивных слоевсовместно наносимых пленок двух материалов составляет п 1 4, 1820416При скорости вращения. карусели Ч = 60о /мин время совместного напыления резистивных пленок (3, 4) из материалов Х 20 Н 75 Ю и МР 47 ВП составило 24 с, После совместного напыления магнетронный ис точник с материалом Х 20 Н 75 Ю отключали и продолжали напыление верхнего слоя 3 из материала МР 47 ВП в течение 84 с, Затем вновь напыляли пленку 4 из материала Х 20 Н 75 Ю до получения заданной величины 10 р,реэистивного слоя, После завершения напыления...

Номер патента: 1824235

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Борисов, Букалов, Иванов, Ионов, Кондратьева, Кудрина, Мазаник

МПК: B01J 23/22, B01J 37/04

Метки: высокотемпературного, диоксида, катализатора, окисления, приготовления, серы

...оттемпературы прокаливания не удается получить катализатор с активностью удовлетворяющей промышленность, что отражено в примере,В соответствии с указанной зависимостью температуру предварительного прокаливания диатомита от содержания глинистых минералов можно представить в виде табл,1.При этом использование температуры предварительного прокаливания ниже оптимальной не позволяет получить максимальной активности катализатора для данного носителя, а повышение температуры предварительного прокаливания природного носителя выше оптимальной не дает значительного повышения активности при увеличении затрат. Полученные данные подтверждаотся табл.2,Дополнительный эффект в формировании структуры пор играет степень измельчения прокаленного...

Номер патента: 1827026

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Белянин, Буев, Григорьев, Кожинов, Максимов

МПК: G01N 27/72, G01R 33/035

Метки: высокотемпературного, качества, сверхпроводника

...свободно пройдет в зазор между полюсами, а балансир займет вертикальное положение. Если образец содержит СП-вещество, то он в силу диамагнитнага выталкивания не войдет в зазор между полюсами магнитной системы, а зависнет перед ним, как показано на фиг,2, При этом верхний конец балансира 9 окажется полностью смещенным от вертикального положения в направлении против часовой стрелки, Затем с помощью маховика 7 рычаг с магнитной системой медленно поворачивают рукой в направлении против часовой стрелки, При этом из-за отталкивания образца балансир 9 будет также поворачиваться, оставаясь впереди рычага 5. Момент силы вращения будет возрастать до тех пор, пока не сравняется с моментом силы диамагнитного отталкивания, При этом образец...

Номер патента: 1827493

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гамарник, Мамаев, Салов

МПК: F16L 1/028

Метки: высокотемпературного, низких, окружающей, подземной, прокладки, среды, температурах, трубопровода

...,ТП) наращиванием, Укладывают участок ТП в траншею, присоединяют его к ТП путем сварки захлеста. Нагревают участг к подачей в него горячего воздуха со стороны, противоположной захлесту, Защемляют нагретый участок ТП грунтом засыпки. Сварку захлеста осуществляют после нагрева присоединяемого уцастка. Подачу горячего воздуха производят через предварительно введенную в ТП трубу. На присоединяемый конец участка устанавливают технологическую заглушку, которую перед сваркой захлеста снимают, 1 ил. слева направо, нагревая трубопровод. Выходящий из участка трубы 3 воздух собирают, вновь псогревают нагревателем 6 и снова нап равля ют в трубу. Наружная поверхность трубы 4 может быть снабжена лопастями для турбулечтного движения воздуха и...

Номер патента: 1836730

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Джон, Мунирпалам

МПК: H01B 12/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводника

...обнаружено, что в случае,когда используют целлюлоэные нити, достаточно несколько минут, Пропитка тканей,сделанных из целлюлоэных волокон, как было найдено, требует десяти минут, Может быть использована и более продолжительная пропитка, Раствор должен поддерживаться горячим, например кипятиться в сосуде с обратным холодильником, для того чтобы обеспечить быструю пропитку при погружении. Количество пропиточного материала в изделии из целлюлозы после того, как оно высушено, зависит от концентрации раствора. Чем больше его количество, тем больше количество сверхпроводящего материала в конечно изделии. Поэтому для пропитки предпочтительно использовать концентрированные растворы, Раствор может быть сделан более концентрированным путем...

Номер патента: 1838354

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Билионков, Костяков, Кривцов, Пушкин

МПК: C09D 183/04, C09D 5/08

Метки: высокотемпературного, защитного, композиция, покрытия

...хризотилового, карбида кремния и оксида марганца и дополнительно содержит толуол при следующем соотношении компонентов, мас,%:48-52% раствор в толуоле полиметилфенилсилоксана (лак КО) 20 - 28 асбест хризотиловый 19 - 27. карбид кремния 19 - 27оксид марганца 1 - 3толуол 23-33.Нижний предел полиметилфенилсилоксанового лака (20 мас.%) обусловлен требованиями необходимой адгезии; верхний предел (28 мас,%) определяет теплостойкость покрытия, введение хризотиловогоо асбеста в количестве 19-27 мас.% обеспечивает повышение теплостойкости покрытия до 650 С, введение в состав композиции карбида кремния повышает коэффициент теплопроводности покрытия, повышает его излучательную способность, а в сочетании с оксидом марганца в количестве 1-3...

Номер патента: 1526290

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Некрасов, Семиноженко, Ткаченко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...материала с высокой плотностью. При этом обеспечивается увеличение размеров материала за счет разращивания слоя по диаметру и толщине, Материал представляет собой монолитную массу, состоящую из кристаллов размерами 30-50 мкм, которая в целом обладает сверхпроводящими свойствами, Концентрация основного вещества в материале составляет 95-97.Прекращение процесса кристаллизации при 1200-1210 С и извлечение материала из расплава (слой, образованный на поверхности, еще не примерз к стенкам тигля) обеспечивает целостность размеров поликристаллического материала, так как при этом исключается операция выбивания и отделения этого слоя материала от застывшего раствора - расплава.Размеры поликристаллического слитка составляат: диаметр 15 мм,...

Номер патента: 1398671

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Артемов, Белов, Белоусов, Доронин, Крашенинников, Серый

МПК: G21C 17/02

Метки: высокотемпературного, исследования, конвективная, конвективных, реактора, труб, труба

1. Способ исследования конвективных труб высокотемпературного реактора, включающий операции заправки трубы высокотемпературным теплоносителем в нейтральной среде, герметизации трубы, разогрева и расплавления теплоносителя и создания градиента температур между теплоприемным и теплоотдающим участками трубы, отличающийся тем, что, с целью расширения экспериментальных возможностей при проведении исследований, повышения безопасности, уменьшения энергозатрат и времени проведения эксперимента, устанавливают конвективную трубу вертикально теплоотдающим участком вниз, после операции заправки свободный от жидкого теплоносителя объем теплоприемного участка трубы над теплоносителем заполняют инертным газом, а перед операцией разогрева и расплавления...

Номер патента: 1316441

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Белов, Доронин, Крашенинников, Серый

МПК: G21C 1/04

Метки: высокотемпературного, реактора, эксплуатации, ядерного

СПОСОБ ЭКСПЛУАТАЦИИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА, заключающийся в том, что набирают структуру активной зоны из шаровых тепловыделяющих элементов и торцового отражателя и осуществляют прокачку теплоносителя, отличающийся тем, что, с целью повышения безопасности и энергонапряженности реактора, в качестве теплоносителя используют вещество с плотностью, большей или меньшей плотности тепловыделяющих элементов и торцового отражителя, выполненного в виде подвижной перфорированной плиты, который располагают со стороны входа теплоносителя, прокачку теплоносителя осуществляют со скоростью, большей скорости уноса структуры активной зоны, причем направление прокачки теплоносителя противоположно равнодействующей архимедовой силы и силы...

Номер патента: 1482434

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Замбржицкий, Казанский, Котов, Марьяновский, Пронин, Топчаев, Шварцер

МПК: G01F 23/16

Метки: агрегате, высокотемпературного, металлургическом, расплава, уровня

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ УРОВНЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПЛАВА В МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОМ АГРЕГАТЕ, содержащее подводящую линию с элементом для ввода газа под уровень расплава, датчик давления газа в линии и вторичный прибор, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения уровня, оно снабжено вторым датчиком давления газа в подводящей линии, двумя блоками умножения, двумя блоками алгебраического суммирования, блоком деления и двумя задатчиками, при этом датчики давления подсоединены к подводящей линии на разном расстоянии от точки ввода газа под уровень расплава, выходы датчиков давления соединены соответственно с первыми входами блоков умножения, вторые входы которых соединены с выходами задатчиков, выходы блоков...

Номер патента: 1790094

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Качин, Синев, Юхвид

МПК: B22F 1/00, B22F 7/00, C22C 1/05 ...

Метки: высокотемпературного, многослойных, режиме, самораспространяющегося, синтеза, шихта

...в герметичных контейнерах. Следует отметить, что операциясушки является пожароопасной и можетпривести к воспламенению шихты.5 Наиболее близкой к предлагаемомуизобретению является шихта для полученияврежиме СВС многослойных иэделий, имеющих подложку на основе железа,.содержащая смеси порошков алюминия, углерода,10 оксидов хрома У 1, титана 1 У, железа И, никеля П при следующем соотношении компонентов, мас,:Оксид хрома (У 1) 40-50Оксид титана (1 У) 5-1715 Оксид железа (11) 4-6Оксид никеля (11) .Алюминий 30-32Углерод 6-7Введение оксида железа и никеля повы 20 шает качество многослойного изделия засчет уменьшения гигроскопичности шихты.Однако вышеуказанное соотношениекомйонентов шихты не позволяет получитьнеобходимую износостойкость...

Номер патента: 1790146

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Дубовицкий, Крицкая, Макова, Пономарев, Савостьянов, Топников, Ягубский

МПК: C04B 35/00

Метки: висмутсодержащего, высокотемпературного, сверхпроводника

...(И), При этом найдено, чтопроцесс полимеризации начинается немедленно после образования смеси комплексов, проводймого простым смешиваниемААм и кристаллогидратов нитратов металлов. Вода. удерживается в образующемсясополимере.Экспериментально найдено, что нижний предел температуры (20 ОС) определяется эффективностью сополимеризации и,следовательно, резким снижением производительности процесса. Верхний температурный предел (60 С) определяется термической деградацией нитратных группв ААм-комплексах,В качестве ААм-комплексов нитратовметаллов взяты мономеры на основе В 1 (И),5 Са(И), Зй(1), РЬ(11)й Со(1)с цельюполучения ВТСП состава ВгСагЗггРЬо,з 4 СцзОзо.Экспериментально найдено, что обработку полученного металлосодержащего сополимера...

Номер патента: 1829812

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Возный, Галушко, Горбик, Дякин, Лавандовский, Левченко, Огенко, Чуйко, Янчевский

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...прессования, Прессование смеси осуществляли в пресс-форме с регулируемым обогревом на установке, позволяющей многократно автоматически воспроизводить температурно-временной режим нагрева, выдержку температуры пресс-формы при заданной температуре и охлаждение. После прессования определяли относительную магнитную восприимчивость полученных образцов ВТСП с помощью автодинной методики на частоте 1 кГц, Измеряли мнимую часть поверхностного импеданса ВТСП образцов, которая прямо пропорциональна магнитной восприимчивости.П р и м е р 1. 16 г порошка ВТСП формулы (РЬхВ 1-х)2 Са 23 г 2 СизОу и 4 г порошка ПХТФЭ после прибавления этилового спирта до полного смачивания смеси перемешивали при комнатной температуре до испарения спирта. Затем...

Номер патента: 1762555

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Заверюха, Казаджан, Ковалевский

МПК: C21D 8/12

Метки: анизотропной, высокотемпературного, отжига, стали, толщиной, электротехнической

СПОСОБ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПНОЙ СТАЛИ ТОЛЩИНОЙ 0,15 0,30 ММ, содержащей, мас. Si 2,8 3,3; Cu 0,1 0,6; Al 0,015 0,030; Ti 0,003 0,012; N 0,004 0,015; железо остальное, включающий многоступенчатый нагрев с изотермической выдержкой при 1150oС в течение 20 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения магнитных свойств стали за счет уменьшения содержания азота, дополнительно проводят изотермическую выдержку при 1170 10oС в течение 10 ч.

Номер патента: 1829811

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Иванов, Похолков, Савельев, Хасанов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокодисперсного, высокотемпературного, монофазного, порошка, сверхпроводника

...температуры синтеза, сокращение продолжительности помола после синтеза для получения монофаэного порошка высокотемпературного сверхпроводника УВа 2 Сцз 07-х с частицами субмикронных размеров,Применение УДП меди удельной поверхностью. на три порядка превосходящей удельную поверхность порошка СцО стандартного, приводит к увеличению скорости синтеза шихты, что способствует снижению температуры и времени синтеза порошка и увеличению степени гомогенности синтезируемого порошка.П р и м е р, Исходные компоненты шихты; У 20 з ("хч", ГОСТ 42-208-81), ВаСОз ("чда", ГОСТ 4158-80) и УДП меди, полученный методом электрического взрыва проводников (ВТУ 2-25-98) с размерами частиц 0,05 - 0,15 мкм сферической формы, берут в соотношении, мас,% У 20 з...

Номер патента: 1757360

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гришин, Мезин, Старостюк

МПК: H01B 12/00

Метки: yba2cu3o7-x, высокотемпературного, порошка, сверхпроводящего, соединения, типа

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПОРОШКА СОЕДИНЕНИЯ ТИПА YBa2Cu3O7-x, при котором растворяют в азотной кислоте взятые в стехиометрическом соотношении компоненты соединения, упаривают азотно-кислый раствор, полученный продукт упаривания растворяют в воде, упаривают водный раствор до получения сухого остатка и проводят термообработку до образования соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения путем обеспечения высоких дисперсности порошка, температуры сверхпроводящего перехода, доли сверхпроводящей фазы и однородности в широком интервале температур синтеза при одновременном упрощении процесса получения, указанную термообработку производят нагревом сухого...

Номер патента: 1831170

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Горелов, Иваков, Майзус, Парамонов, Сухарев, Тарасов

МПК: G21C 1/00, G21C 17/00

Метки: активной, высокотемпературного, зоны, исследования, критической, реактора, сборке, тепловыделяющими, физических, характеристик, шаровыми, элементами, ядерного

...активной зоны.Задачей предполагаемого изобретенияявляется расширение экспериментальныхвозможностей путем повышения представительности экспериментов при сокращении затрат на исследование.Способ исследования физических характеристик активной зоны ВТГР с шаровыми твэл на критической сборке заключаетсяв следующем,В корпус загружают шары-имитаторына высоту нижнего торцового отражателя,шаровые твэлы на высоту активной зоны ина них шары-имитаторы верхнего торцового. отражателя,С помощью нагревателей производятразогрев шаровой засыпки и экспериментально, при помощи заранее установленныхтермопар, определяют распределение температур в объеме засыпки шаров, ПроизвоФормула изобретенияСПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК АКТИВНОЙ ЗОНЫ...

Номер патента: 1828342

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Демьяненко, Дудырев, Егоров, Капелюшко, Никитин, Федорова

МПК: H01M 4/58

Метки: высокотемпературного, источника, катодная, композиция

1. КАТОДНАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ИСТОЧНИКА ТОКА, включающая хлорид никеля, отличающаяся тем, что, с целью снижения ее гигроскопичности и повышения предельной плотности тока разряда, она дополнительно содержит солевую систему галогенидов щелочных металлов, мас.NiCl2 10,0 30,0Солевая кислота галогенидов щелочных металлов 70,0 90,02. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что в качестве солевой системы галогенидов щелочных металлов содержит хлориды калия и натрия в эквимолярном соотношении при общем соотношении компонентов, мас.NiCl2 15,0 25,0NaCl 33,0 37,4KCl 42,0 47,63. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что в качестве солевой системы галогенидов щелочных...

Номер патента: 1128694

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Алексеева, Мокров, Педоренко, Семенов

МПК: G01B 7/16, H01C 17/00

Метки: высокотемпературного, тензорезистивного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА, включающий последовательное нанесение на металлическую подложку изоляционного, тензорезистивного и проводящего слоев и термообработку после нанесения каждого слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности, расширения диапазона рабочих температур и уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления, операцию нанесения тензорезистивного слоя осуществляют при температуре 360 10oС и выдерживают при ней в течение 3 - 5 ч.

Номер патента: 1805802

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Григорашвили, Гурова, Дербенева, Пожарский, Цейтлин, Чаплыгин

МПК: H01L 39/24

Метки: bi-pb-sr-ca-cu-o, высокотемпературного, сверхпроводникового, системы

...заключается в повышении химической однородности. высокотемпературного сверхнроводника и упрощении процесса,Это достигается благодаря тому, что к смеси оксидов висмута и меди и нитратов стронция и кальция, а также оксида или нитрата свинца добавляется концентрированная азотная кислота в количестве, не достаточном для образования средних нитратов, но достаточном для получения шликера со сметанообраэной консистенцией, Благодаря тому, что шликер не расслаивается и не образуется жидкость, которая может проникать сквозь стенки огнеупорного тигля, операции смешения и приготовления шликера проводятся непосредственно в алундовом тигле и применение посуды из драгоценных металлов исключается.Роль азотной кислоты заключается в активации...