Способ получения высокотемпературного магнитного экрана
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1586095
Авторы: Загоскин, Литвиненко, Малько, Могилко, Павлюк, Пирогов, Помазунов, Рамакаева, Семиноженко, Шешина
Текст
(5)5 С 04 В 35/00 ЕНТНО ГОСУДАРСТВЕННОЕ ВЕДОМСТВО СССР ГОСПАТЕНТ СССР) ЕТЕНИ ЕТЕЛЬСТ ТОРСКОМУ ние коэффиеской темпероводящее ряженности температуртения - увеличе Ования, критич ода в сверхп тической нап и уменьшение ПИСАНИЕ И(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО МАГНИТНОГО ЭКРАНА(57) Изобретение относится к керамическойтехнологии получении изделий сложнойконфигурации со сверхпроводящими свойствами и может быть использовано в электронике, энергетике, машиностроении ибиологии для изготовления магнитных экранов из порошков сверхпроводящего состава,например, УВа 2 Соз 07-х (иттрий-бариевый,Изобретени технологии по конфигурации с вами и может б нике, энергет биологии для из нов из порошко например УВа купрат). Цель изобре циента экранир ратуры перех состояние, кри магнитногО поляе относится к керамическои лучения изделий сложной о сверхпроводящими свойстыть использовано в электроике, машиностроении и готовления магнитных экрав сверхпроводящего состава, 2 Соз 07-х (иттрий-бариевый купрат), Цель изобретения - увеличение коэффициента. экранирования (К), критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние (Т,), критической напряженности магнитного поля (Н,1) и уменьшение температурного интервала перехода в сверхпроводящее состояние (ЬТсо). Способ получения высокотемпературного магнитного экрана включает засыпку порошка иттрий-бариевого купрата в резиновую оболочку, помещенную в матрицу пресс-формы, прессование при давлении 300 - 1500 МПа с выдержкой под давлением 10-20 мин, высверливание полости в отпрессоаанной заготовке и термообработку заготовки при 920 - 940 С в течение 4 - 6 ч, со скоростью нагрева и охлаждения до/от этой температуры 50 - 70 С/ч, у Оптимальные параметры составили; К =8 10 : Нс 1 = 79,5 Э; Тс = 90,5 К; ЬТсо = 2,8 К, 1 табл,ного интервала перехода в сверхпроводящее состояние.П р и м е р, Порошоксверхпроводящего состава УВа 2 Соз 07- засыпают в цилиндрическую пресс-форму из закаленной стали, в которую плотно вставлен цилиндр из вакуумной резины с внутренним отверстием, соответствующим по диаметру внешнему диаметру прессуемой заготовки. После засыпки порошка в отверстие резинового цилиндра его плотно закрывают вкладышем из вакуумной резины и сверху вставляют пуансон.Прессование проводят на прессе Д 24 34 В. прикладывая давление 900 МПа в течение 15 мин, Отпрессованную заготовку изме 15 б 15 6 15 8,0 7,7 7,9 7,8 7 7 7 Пред- лагае- мый 5 5 5 1060 2060 15 50 60 7,60 60 60 50 70 9 30 30 20 ОО ОО ОО ыи бработки; ого поля;дящего перехода; дящего перехода влекают из пресс-формы и выполняют в ней полость высверливанием. Затем ее нагревают на воздухе со скоростью 60 С/ч до 930 С. выдерживают при этой температуре в течение 5 ч и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 60 С/ч.Для проведения сравнительных испытаний экранов, изготовленных по известноФормула изобретения Способ получения высокотемпературного магнитного экрана, включающий формование заготовки с внутренней полостью из порошка сверхпроводящего состава У Ва 2 Соэ 07 и последующую термообработку, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения коэффициента экранирования, критической температуры перехода в сверх- проводящее состояние, критической напряженности магнитного поля и уменьшения 930 930 930 93 О 930 930 930 930 930 930 Р - давление пресования;И - время выдержки под давлением;Т 1 - скорость нагрева;Т - температура термообработки;12- время выдержки при температуре термТ 2- скорость охлаждения;К - коэффициент экранирования;Нс - напряженность критического магнитнТс - критическая температура сверхпровоАТЬ - температурный интервал сверхпров му и предлагаемому способам, были получены экраны с одинаковыми габаритными размерами: высота 40 мм, внутренний и внешний диаметр 11 и 13 мм соответственно. Сравнительные свойства экранов (попримерам) приведены в таблице. температурного интервала перехода в сверхпроводящее состояние, формование заготовки проводят путем изостатического сжатия с использованием в качестве передающей давление среды вакуумной резины под давлением 300-1500 МПа с выдержкой в течение 10-20 мин и последующего формирования полости высверливанием, а термообработку проводят при 920-940 С в течение 4 - 6 ч со скоростью нагрева и охлаждения до/от этой температуры 50 - 70 С/ч,
СмотретьЗаявка
4630189, 03.01.1989
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6496
ЗАГОСКИН В. Т, ЛИТВИНЕНКО Ю. Г, МАЛКО Ю. Б, МОГИЛКО Э. Т, ПАВЛЮК В. А, ПИРОГОВ А. С, ПОМАЗУНОВ Ю. Ф, РАМАКАЕВА Р. Ф, СЕМИНОЖЕНКО В. П, ШЕШИНА С. Г
МПК / Метки
МПК: C04B 35/00
Метки: высокотемпературного, магнитного, экрана
Опубликовано: 30.11.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1586095-sposob-polucheniya-vysokotemperaturnogo-magnitnogo-ehkrana.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения высокотемпературного магнитного экрана</a>
Предыдущий патент: Способ электронно-лучевой сварки
Следующий патент: Дискретный емкостный уровнемер
Случайный патент: Бородок