Патенты с меткой «теллура»

Номер патента: 1206673

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Белова, Волкова

МПК: G01N 27/48

Метки: вольтамперометрического, селена, теллура

...мг мышьяка (У)(раствор На НАБ 04) и 2,5-3 г избыт;ка гипофосфита натрия, Пробы нагревают до кипения и кипятят 5-7 мин,после чего выдерживают на теплойплитке ,в течение 1 ч и оставляютна ночь. Отфильтровывают осадокчерез Фильтр "синяя лента", промывают теплым свежеприготовленным 12%-ным раствором гипофосфита натрияв (1:9) НС 1, а затем водой. Осадокна фильтре растворяют 5-7 мл теплойсмесью кислот ННО + НС 1 (50;1),фильтр промывают теплой водой. Раствор переносят в мерную колбу емкостью 50 мл, доводят водой до метки иоперемешивают. В стаканы емкостью100 мя отбирают аликвотные части55на определение селена и теллура.Для определения селена к аликвотной части добавляют 2,5 мл Н БОд (1: 73 2:1) и нагревают до появления первыхпаров серной...

Номер патента: 1212459

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Бузлаев, Веревкин, Торгов

МПК: B01D 11/04, C01B 19/00

Метки: галогенидных, кислых, растворов, состав, сульфатно, теллура, экстракции

...используют или его метилпроизводные с метильных заместителей 1-3,,73 Изобретение относится к составудля экстракции теллура из кислыхсульфатно-галогенидных.растворов иможет быть использовано в гндрометаллургии для извлечения теллура изкислых сульфатно-галогенидных, например, сернокислых растворов переработки шламов и из промывной сернойкислоты, а.также в аналитической химии для избирательного извлечениятеллура из растворов вскрытия твердых продуктов с последующим определением теллура в экстракте инструментальными методами,Цель изобретения - повышение степени извлечения теллура и уменьшениепродолжительности экстракции,3 11 р и м е р 1. Проводят экстракцию теллура (20 мг/л) из раствора,содержащего 8,7 М серной кислоты,0,005 М...

Номер патента: 1313479

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Бондарева, Веревкин, Матвеева, Михайлов

МПК: B01D 11/04, C01B 19/00

Метки: избирательного, извлечения, кислых, растворов, теллура

...в зависимостиот концентрации кислот и избыточнойконцентрации бромид-иона представле 25ны в табл. 1.П р и м е р 2. В условиях количественного извлечения теллура(8,7 моль/л хлорной кислоты,0,05 г-экв/л избытка бромид-ионов)проводят экстракцию элементов, пред,ставляющих различные группы Периодической системы, равным объемом диоктилсульфида с последующим спектральным анализом рафината.Полученные данные, представленные 35в табл, 2, показывают, что за однуступень в органическую фазу в этихусловиях переходят полностью лишьмедь., сурьма, золото, серебро, индий,40 9 2кадмий, частично цинк (80%), молибден (95%), висмут (70%), остальныеэлементы количественно остаются вводной фазе. Таким образом, по избирательности извлечения (т.е. по числу...

Номер патента: 1430803

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Васильева, Гринберг, Ефремов, Колотилина, Красавин, Морозов, Соловьев, Факеева, Шарвадзе

МПК: C01B 19/00, G01N 25/02

Метки: концентрирования, металлоорганических, селена, соединений, теллура

...индикаторов),оТемпература проведения процесса 18 С.Момент окончания разложения фиксируют по прекращению выделения пузырьков газа, Отделяют органическую фазу,содержащую концентрат примеси Теозоляют ее и определяют в ней содержание Те известными методами.П р и м е р 2, Условия проведенияэксперимента те же, что и в примере1, только вместо триметилгаллия взяттриметилалюминий, .содержащий примесь-5диметилселена с концентрацией 2 10 Е,соотношение органической и неорганической фаз 1:2, толщина слоя н-октао,на 10 мм температура в реакторе 20 С,расход азота 0,03 л/мл жидкости.В табл. 1 представлены экспериментальные результаты зависимости времени проведения и относительной погрешности (при доверительной вероятности0,95) анализа от...

Номер патента: 1491809

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Черкасов

МПК: C01B 19/00

Метки: диоксида, перекристаллизации, теллура

...до температуры 80 С с температурным перепадом 10 С.Время выдержки кварцевого реактора в стационарном режиме составляет 3 сут. Исходная шихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движением переносится в объем раствора, где эа счет температурного перепада и испарения растворителя происходит кристаллизация диоксида теллура. Выход диоксида теллура составляет 977. от веса исходнойзагрузки. Чистота кристаллов диоксида теллура аналогична той, что в примере 1.П р и м е р 3. Процесс получения кристаллического диоксида теллура осуществляют аналогично примерам1 и 2. Технологические параметрыкристаллизации: температура 100 С,оо,температурный перепад 20 С, концент 35 40 45 50 55 рация водных растворов НС 1 и Н 0соответственно 6 и...

Номер патента: 1504275

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Арамян, Восканян, Мкртумян, Саркисян

МПК: C22B 3/00

Метки: медьсодержащих, примесей, растворов, селена, сернокислых, теллура

...полученных после раэварки шламов медезлектролитного производства,Изобретение иллюстрируется следующими примерами,П р и м е р 1, Раствор после рварки шлама подвергают цементациимедным порошком ПМСн количестве приведен рошок беСоста л. естнора до и посл в таблице,рив мента асчетно шка, ка оличес ментат во медног по 10 ра, из 5,3дя из конримесей,деляют исхсаждаемых цент ции С н Нагрев раствора выш целесообразен из-эа и испарения, Температурнь цементации ниже 80 С н енсинног режимаз. е обе прим ечией,ае т полного о сажде ни ОПИСАНИ АВТОРСКОМ1504275 вводят в количестве 5,3-10 г на1 л раствора,Использование предлагаемого спосо- ба очистки позволяет проводить глубокую очистку растворов от вредных примесей; ликвидировать...

Номер патента: 1559287

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Андрух, Балог, Зимомря, Кикинеши, Киш

МПК: G01N 31/22

Метки: теллура, экстракционно-фотометрического

...и зкстрагируют в течение 1 мин, Органическую Фазу отд ляют, центриФугируют и измеряют опти ческую плотность в кюветах.0,5 см пр длина волны 540 нм. Количество теплу ра определяют по градуировочному гра Фику, Раствором сравнения служит рас вор холостого опыта,В табл,1 представлена зависимость чувствительностч определения теллура от концентрации серной кислоты пр концентрации ФосФорной кислоты 4,0 моль/л и концентрации хлорида ли тия 1,4 моль/л.1559287 4время как в условиях известного способа он составляет 7,91 ОЯ Формула изобретения Как видно из табл,1-3, в заявленных условиях возрастает чувствительность определения теллура - молярный коэффициент погашения составляет (1,11-1,12)10 при использовании амилацетата и 6,71 ф 10 при...

Номер патента: 1605190

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Клочковская, Клочковский, Костина

МПК: G01N 31/10

Метки: теллура

...добавляют все перечисленные реактивы в указанной последовательности и в тех же количествах. Обе полученные смеси энергично встряхивают. Через 15 мин после добавления нитрата ртути (1) анализируемый и холостой растворы одновременно ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕЛЛУРА ние относится к кинетим анализа теллура и позть чувствительность опре об основан на каталитиии теллура на реакцию я 12-молибдофосфорной том ртути в среде 3,0 кислоты. Чувствительения 1 10 мкг/мл, оттандартное отклонение л еОптическаяплотность Содержание реагентов в растворе Соляная кист 12-Молибдо- Нитратлота, М фосфорная ртути (1),кислота, г/л г/л 0,13 0,4 4,0 4,0 1,0 0,17 0,4 0,4 0,32 4,0 2,0 0,68 0,4 4,0 2,5 0,82 0,4 4,0 3,0 0,83 0,4 4,0 4,0 4,0 0,83 5,0 0,70 0,4 0,62 0,4 4,0 6,0 0,76...

Номер патента: 1606901

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Гайбакян, Мелконян, Оганян, Петросян, Торосян

МПК: G01N 30/90, G01N 31/00

Метки: других, иу, методом, разделения, сопутствующих, теллура, тонкослойной, хроматографии, элементов

...стартапластинки снимаются и проявлениемопределяются К ионов как в отдельности, так и при их совместном .присутствии. В качестве проявителя используется 107-ный раствор ЯпС 1 в НС 1,который восстанавливает Те (1 Ч), Те(Ч 1) и А 8 (1) до металлического состояния в виде темных пятен на хроматограмме. Идентификация пятен проводится по значениям К при сравнениис эталонными образцами Те (1 Ч),Те (Ч 1) и Ая (1).Конкретные примеры осуществленияпредлагаемого способа и контрольныепримеры по обоснованию заявленныхпределов технологических параметровприведены в табл, 5,Преимущества предлагаемого способа по сравнению с известными и контрольными примерами приведены втабл, 6,Формула из обр ет ения Способ разделения теллура (1 Ч)и других...

Номер патента: 1606902

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Гайбакян, Мелконян, Оганян, Петросян, Торосян

МПК: G01N 30/90, G01N 31/00

Метки: iy, методом, разделения, селена, теллура, тонкослойной, хроматографии

...7. плотность плотностьНег/см масса,Фг/ см сыпучести, рдо уилот- послеупнения лотнения ная доля,3,06 0,28 707,5 1971,9 41 36 1,920 получить слой сорбента размером 7 х х 12 см, толщиной 0,25 мм. Пластины высушиваются на воздухе, затем активируются при 105-110 С в течение 15 мин.Для приготовления растворов, содержащих 2 мг/мл Бе (1 Ч), Те (1 Ч) и Ад (1) используют соли БаБеОз, ИаТеО, А 8 Ю. На готовые пластинки, расположейные на расстоянии 1,5- 2 см друг от друга и 1 см от края сорбента, с помощью градуированного микрошприца наносят 1 мкл анализируемых растворов, после чего пластины погружаются в камеру с растворителем (подвижной Фазой) на глубину 0,5 см.В работе применяется восходящий метод, На стартовой линии наносятся ионы...

Номер патента: 1608561

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Витер, Каменев

МПК: G01N 27/48

Метки: инверсионного, ртути, теллура, теллуриде

...теллурида ртути можно проводить из одной пробы раствора на фоне 0,08-0,12 М бромида аммония на+ В присутствии 1 10 М Рв(П) и 2 10 М Сб,В присутствии 5 10 М Рв(П) и 1 10 М Сс 3 стеклоуглеродном электроде по следующей схеме: после растворения пробы в кислотах и введения фонового электролита определяют теллур при Еэ=(-1,1)+1,3) В методом добавок, Вводят в исследуемый раствор (1 - .5) 10 М свинцаи ведут электролиз при Еэ=(-1,2)+1,4) В до исчезновения сигнала теллура, затем вводят(1 - 5) 10 М кадмия , проводят электроконцентрирование при Еэ=(-1,2)+1,4) В до появления стабильного по величине аналитического сигнала ртути и определяют ее методом добавок.Отклонение от указанного порядка определения элементов и условий электролиза резко...

Номер патента: 1547331

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Дадонов, Мозго, Чарский

МПК: C22B 9/00

Метки: газа-подавителя, дистилляции, использованием, селена, теллура

...ГАЗА - ПОДАВИТЕЛЯ(57) Изобретение относится к устоойствам длл дистилляции теллура и селена с использованием газа-подавителя, Цель изобретенид - повышение чистоты дистиллирующего металла, упрощения и повышение безопасности работ за счет исключения газового хозяйства и обеспечения возможности взаимосвязи Выделения газа-подавителя с выделением предназначается дляпроцессах очистки ме Цель изобретения - повышение тоты дистиллируемого металла, упрощения и повышения безопасности работ а счет исключения газового хозяйства и обеспечения возможности взаимосвязи выделения газа-подавителя с выделением примесей по заданной программе.Сущность изобретения поясняется чертежом, где показано устройство для дистилляции металла,Устройство содержит...

Номер патента: 1629841

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Гайбакян, Мелконян, Оганян, Петросян, Торосян

МПК: G01N 30/90

Метки: iii», золота, иу, методом, разделения, селена, теллура, тонкослойной, хроматографии

...пример 3), нецелесообразно,так как это снижает точность разделения. Повышение концентрации карбоната натрия больше 0,5 М, например0,6 М НаСО (контрольный пример 2),и концентрации ИВКОВ в смеси больше6 М, например 7 М ИВ 40 В (контрольныйпример 4), также нецелесообразно таккак это приводит к излишнему расходуреагентов .без повышения точности определения,При применении в качестве сорбента травертина фракции (50 мкм (койтр.пример 5) время пробега подвижнойфазы до финиша увеличивается до 3 ч,в то время, как для фракции 50 - 80 мкмоно составляет 110-115 мин. В случаеиспользования более крупной Фракции)80 мкм (контр. пример 6) пятна нахроматограмме получаются расплывчатымы, что снижает точность определения.Согласно данным, приведенным втабл.4,...

Номер патента: 1635108

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Витер, Гусаров, Каменев

МПК: G01N 27/48

Метки: инверсионного, иу, кадмия, присутствии, твердом, теллура, электроде

...и вспол 1 ога 1 ельний электрод (платиновая пластинка 0.51.0 см или проволока) и вводят по каглям раствор (1 - 5) 10 М свинца (1), проводя электролиз в потенциостатическом режиме при Е,. - .-1,2 - -1,35 В (отн. х с.э) при перемешивании е течение 40-100 с до появления и стабилизации пп величине анали 1 ического сигнала кадмия и одновременного маскирования сигнала теллура Потенциалы сигналов кадмия и теллура соо 1 еетственно -0 8 и +0,5 В в ИВ и -0,8 и0,36 В в ИХП. Определение ведут методом добавок.В табл. 2 приведены результаты определения кадмия е присутствии теллура (Ч=-.4 В/С (ИВ); 11-. 1 5 мкА (ИХП); Еэ=-1,3 В; п=-5),Способ прост в исполнении, не требует деаэрации исследуемого раствора. В отличие от известного по предлагаемому...

Номер патента: 1641898

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллов, оксидно-галогенного, соединения, теллура

...свидетельствует об иххорошей чистоте,П р и м е р 2, В кварцевый реактор емкостью 1 л загружают 350 гТеО, устанавливают кварцевую перегородку с отверстиями и заливают водный раствор НВг концентрацией40 мас.Х. Соотношение жидкой и твердой фаз 4, б: 1, 5. Реактор герметизируют фторопластовым затвором с капилпяром, соединенным с резиновой трубкой, которая отведена в кварцевуюемкость с водой. Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления,где его нагревают до 80 С с температурным перепадом 5 С Время выдержкикварцевого реактора в стационарномрежиме составляет 5 сут. Исходнаяшихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движениемЗОпереносится в обьем раствора, гдеза счет температурного перепадаи испарения растворителя...

Номер патента: 1643457

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C01B 19/00

Метки: оксихлорида, теллура

...примере 1,П р и м е р 3. Процесс получениякристаллического оксихлорида теллураосуществляют по примеру 1. Технологические параметры кристаллизации:температура 90 С,. температурный перепад 25 С, концентрация водных растворов НС 1 и КС 10 17 и 2 мас.Х соответственно соотношение жидкой итвердой фаз 3,0;1, а жидких фазУВц ф 1 кСщ= 45:1, Время выдержкив режиме 5 сут. В результате описанного технологического процесса происходит образование кристаллического оксихлорида теллура, выход кото. рого составляет практически 99,6 Хгот массы загрузки.1В таблице приведены .основные технологические параметры получения кристаллического оксихпорида теллура. Вследствие достаточной величины растворимости диоксида теллура в смешанном водном растворе соляной...

Номер патента: 1658067

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Агасян, Витер, Каменев

МПК: G01N 27/48

Метки: вольтамперометрического, инверсионного, теллура

...Погрешность измерения не бо- йлее 0,04.4 ил,новая проволока), опускают в раствор рабочий стеклоуглеродный электрод и электрод сравнения (х.сэ.)Проводят электроконцентрирование при -0,7 - 1,3 В при перемешивании на стеклоуглеродном электроде в течение 20-60 с и регистрируют вольтамперограмму при Ч = 4 В/с или хронопотенциограмму при 1 а = + 5 мкА в интервале -1,3 + 0,8 В, Потенциал инверсионного пика + 0,5 В, потенциал площадки окисления теллура (ИХП) составляет + 0,36 В. Содержание теллура определяют методом добавок. При содержании в растворе 0,635 мкг/мл теллура определенная методом МВ концентрация 0,630 мкг/мл (и = 5) характеризуется относительным стандартным отклонением Яг = 0,008,а методом ИХП - 0,632 мкг/мл при Бг =0009 (Еу1 ф 3...

Номер патента: 1661142

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Драпкин, Желнин, Исаев, Кудряшов, Розенцвейг, Хорева

МПК: C01B 19/00

Метки: диоксида, теллура

...при 600 С в течение 2510 ч.Выход диоксида теллура 23,6 кг, чтосоставляет 94,4 от теоретического,П р и м е р 5, В реактор заливают 105дм воды и 20 дм концентрированной азотной кислоты ( р= 1420 кг/мз), В полученныйраствор азотной кислоты (с массовой долейоколо 15) загружают порциями 20 кг порошкообразного теллурэ, СоотношениеТе:НМОЭ =- 1:1. 35По окончании подачи теллура суспензию прогревают в аппарате при 80 С в течение 3 ч при перемешивании. Затем осадокпромывают водой в отжимают.Пасту диоксида теллура обрабатывают 40перекисью водорода с массовой долей 30%(в количестве 100 г на 1 кг отжатых кристаллов) и прокаливают при 700 С в течение 3 ч.Выход диоксида теллура 23,8 кг, что составляет 95,20 ь от теоретического. 45В таблице приведено...

Номер патента: 1726370

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Пекарь, Погойда, Турок

МПК: C01B 19/00

Метки: диоксида, теллура

...не С - содержащей кислотой до рН 7. При этом происходит выделение гидро- окиси теллура, которая разлагается при нагревании до температуры выше 80 С с 15 образованием мел кок ристаллического осадка диоксида теллура. Диоксид теллура отделяют путем фильтрации, промывают теплой водой до нейтральной среды и сушат на воздухе. Полученный диоксидтеллура со держит 110 мас.алюминия и 1.10 мас.железа.В пробе диоксида теллура, полученной по предлагаемому способу и растворенной в азотной кислоте, не обнаружены хлорид ионы с помощью ионов серебра (открываемый минимум ь 1 10 мас.;). Выход составляет 93-96,5 мас,.П р и м е р 2. Берут 100 г элементарного теллура и 1 л азотной и соляной кислот 30 (" царская водка"), Содержание примесей в теллуре и...

Номер патента: 1747381

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Калашник, Клымкив, Особа, Руденко, Саенко, Скуина, Ференсович

МПК: C01B 19/00

Метки: диоксида, теллура

...в присутствии штрилона Б, малоэффективно по отношению 35 лпримесей А 1, Ре, Ю Мо, Т 1, так как идет внезначительная очистка от последних нКроме того, осаждение Те 02 из щелоч- . (2ной среды до рН 4 влечет эа собой соосаждение большинства элементов А 1, Т 1, Мо, Ю, 40 7Сц, Ф, Мп, Со, Ге и др,Сопоставляя представленные результа- нты анализа двух методов - кислотного и бщелочного - и сравнивая степень очистки,кприходим к выводу, что более предпочтительным является кислотный, иПоэтому, анализируя вышеизложенное, нделаем заключение, что данный способ ма- олоэффективен по отношению степени чис- лтоты конечного продукта Те 02, а также 50 сприменение двухстадийной очистки увели- Мчивает трудовые затраты по изготовлениюготовой...

Номер патента: 1752796

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Котухова, Рыжов, Тер-Оганесянц

МПК: C22B 3/00

Метки: извлечения, медьсодержащих, растворов, сернокислых, теллура

...путем выщелачивания огарка от окислительного обжига медьэлектролитного шлама в растворе серной кислоты и содержит, г/л; теллур 1,56; медь 78,3;серная кислота 215Электролизер представляет собой стеклянный стакан объемом 1 л с опущенными внего двумя свинцовыми анодами и меднымметодом. Перемешивание электролита и нагрев осуществляют с помощью магнитной10 мешалки. Питание на электроды подают отвыпрямителя ВСА. Осаждение проводятв две стадии. На первой стадии в ячейкизаливают 0,75 л раствора и проводят электролиз, при плотности тока 10 кА/м и силе15 тока 15,5 А, удельном растворе электричества З,З А ч/г и температуре ЗООС, Затем токотключают, нагревают раствор до 90 С иперемешивают в течение 60 мин с аэрациейвоздухом. В растворах и...

Номер патента: 1755147

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Венгринович, Лапатнюк, Стасик

МПК: G01N 25/04

Метки: аморфного, бинарных, кристаллизации, основе, сплавов, теллура, температуры

...Экстраполируя лийейную зависимость Тх от состава на нулевое содержаниегаллия было найдено, что температура кристаллизации аморфного теллура составляет318 К.0 Формула изобретения1, Способ определения температурыкристаллизации аморфного теллура и бинарных сплавов на его основе, не поддающихся переводу в некристаллическое5 состояние, включающий измерение термических параметров, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения точности идостоверности определения, используют неменее трех образцов - сплавов на основе0 теллура, долускающйх перевод в аморфноесостояние, переводят сплавы в аморфноесостояние; определяют их температуру кристаллизации, строят зависимости температуры кристаллизации от состава,5 экстраполируякоторую на...

Номер патента: 1767049

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Водолазский, Глыва, Кособуцкий, Хапко

МПК: C30B 23/02, C30B 29/02

Метки: пленок, теллура

...не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки,пленка; 2 - подложка), наличие которой не- З удовлетворительно сказывается на механи- у ческих свойствах пленок теллура, т.е. имеет место их отслаивание от подложек при тер- С. моударе,Цель изобретения - увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленок к термоудару. -ФйСпособ осуществляют следующим образом, Поверхность подложки подвергают химико-динамической полировке, затем отмывают в деионизированной воде, сушат в потоке сухого азота, производят термоот- к, жиг в вакууме при температуре, при которой + происходит эФфективное испарение анион- сОной составляющей...

Номер патента: 1778687

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Алекперов, Мамедов, Рамазанова

МПК: G01N 31/22

Метки: теллура

...при экстракции с теллуром и не мешают его определенио при фотометрии.Таким образом экстракции и определенио теллура не мешают любые количества щелочных и щелочно-земельных металлов, РЗЭ, железа и цветных металлов(Сц, М 1, Со, В 1, Мп, Сг, Мо, Ч/, Рб) и более 500 кратные количества Яе (И), Ац (11), РЬ (1 ), Ас, Рс(И).В таблице приведены данные о влиянии посторонних ионов на определение теллура.Отдельные элементы, частично экстрагируемые в органическую Фазу, легко разру 1778687шаются при промывке экстрактов 3 н. раствором НС.П р и м е р 1. Анализ искусственных растворов,Из раствора, содержащего, г/л: теллур 0,05; кобальт 6,0; никель 4,0; железо 5,0; селен 4,0; хром 6,0; кадмий 5,0; марганец 5,5; серебро 2,0, переносят 0,5 мл в дели-...

Номер патента: 2002840

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Ельцин, Сергеева, Сидоренко, Смирнов

МПК: C22B 61/00

Метки: теллура

...при 700 С, а интенсивно протекает при температурах выше800 С,Водорастворимые соединения МПГ приуказанных температурах превращаются вводонерастворимые, При последующем выщелачивании огарка водой теллурит натриярдстворяется, МПГ и неразложившийся теллурат натрия остаются в нерастворившемсяостатке, Оптимальный температурный интервал термической обработки определен экспериментально. Ниже 800 С скорость превращения очень мала, Увеличение температуры в интервале 800-1000 С приводит к ускорению процесса. Увеличение выше 1000 С нежелательно, так как приводит к нерациональному расходу электроэнергии и резкому повышению коррозии стальных пратвиней, в которых теллурат натрия загружается в печь.Использование предполагаемого изобретения позволяет...

Номер патента: 1777371

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Артемьева, Герасимов, Герасимова, Николаева

МПК: C22B 61/00

Метки: примесей, теллура

СПОСОБ ОЧИСТКИ ТЕЛЛУРА ОТ ПРИМЕСЕЙ, включающий растворение технического теллура в перекиси водорода, кипячение полученной теллуровой кислоты при добавлении теллура, приготовление раствора теллурата калия и выделение очищенного теллура из него электролизом с получением маточника, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса очистки от селена и повышения степени чистоты теллура, раствор теллуровой кислоты подвергают очистке ионным обменом с последующей кристаллизацией твердой теллуровой кислоты и возвратом жидкого маточника кристаллизации на стадию растворения, а образовавшийся после электролиза маточник направляют на приготовление раствора теллурата калия с добавлением твердой теллуровой кислоты до содержания теллура 50 -...