Кикинеши

Номер патента: 1559287

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Андрух, Балог, Зимомря, Кикинеши, Киш

МПК: G01N 31/22

Метки: теллура, экстракционно-фотометрического

...и зкстрагируют в течение 1 мин, Органическую Фазу отд ляют, центриФугируют и измеряют опти ческую плотность в кюветах.0,5 см пр длина волны 540 нм. Количество теплу ра определяют по градуировочному гра Фику, Раствором сравнения служит рас вор холостого опыта,В табл,1 представлена зависимость чувствительностч определения теллура от концентрации серной кислоты пр концентрации ФосФорной кислоты 4,0 моль/л и концентрации хлорида ли тия 1,4 моль/л.1559287 4время как в условиях известного способа он составляет 7,91 ОЯ Формула изобретения Как видно из табл,1-3, в заявленных условиях возрастает чувствительность определения теллура - молярный коэффициент погашения составляет (1,11-1,12)10 при использовании амилацетата и 6,71 ф 10 при...

Номер патента: 1076866

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Кикинеши, Пинзеник

МПК: G03G 5/08

Метки: варианты, его, материал, носителя, фотопроводящий, электрофотографического

...в ЙК-области спектра, и с резко пониженным 40 удельным сопротивлением23, что делает ненозможным применение такого фотопроводника в электрофотографическом носителе. В то же время разработка систем записи оптической 45 информации в ИК-области спектра требует создания материалов с соответствующими параметрами.. Наиболее близким к предлагаемому является фотопроводящий материал, состоящий из сплава селена, мышьяка и таллия 31.Однако спектр чувствительности известного материала расширен только до 0,85 мкм. Большое количество таллия резко понижает темновое сопротивление фотопроводника, что ведет к быстрой регрессии, скрытого изображения на злектрофотографическом носи". теле.Цель изобретения - смещениеспект ральной области...

Номер патента: 528799

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Кикинеши, Семак, Туряница, Химинец, Чепур

МПК: G03C 1/00

Метки: материал, фоточувствительный

...фотозаписи,получен из Сц 1 ОАзз 25 ез 6322 в тех же условиях, 45 что и в примере 1. В результате первой экспозиции светом Не - Ме лазера . (Л= =-0,633 мкц, падающая на слой интенсивность - 0,12 Вт(см 2) относительное пропусволя 1 ощих управлять спектральной областью,и величиной чувствительного слоя, температурами стирания записи, а также обладающих при этом свойством реверсцрования записи, т. е, удовлетворяющих возиожности многократного использования приемного, слоя.Поставленная цель достигается,использованием фоточувствительного материала, состоящего из стеклянной подложки и слоя аморфного полупроводника, где в качестве слоя аморфного,полупроводника использован сплав из систем халькогалогенидныхсте,кол Нд 5 А 520-ЗОЯе 40 605 зо или Сцз...

Номер патента: 570008

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Кикинеши, Семак, Туряница

МПК: G03G 5/00

Метки: записи, оптической, пластина, реверсивной

...Т ЦНИИПИ Государс Подписноемитета Совета МинистетРний и открытийРаушская наб., д, 4/5 ров СССГ 113035 Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная жецнь 1 м лежду подложкой и регистрируюЩИМ СЛОЕМ.1(а чертрже изображена предложеннаяпластина,Она представляет собой трехслоиный 5эгОтецт, состоящий из прозрачного несу 1 цего слоя 1, прозрачного токопроводящегослоя 2 с электродами и регистрируюпегослоя 3.Существенно понижается инерционностьрегистрирующей системы, что позволяетболее часто повторять циклы ,описи - термического стирания за счет сокращениявремени стирания при одноврелленной простотР и цадРжнос Ги управлР 1 п 1 я скорос тью стира 1 п 1 я путем изменения тока через нагреватРльный слой и возможности миниатюризации,создания...

Номер патента: 534731

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Кикинеши, Симак, Чепур

МПК: G03C 5/22

Метки: записи, изображения, полупроводниковом, слое

...- галоида - нагре- С. Известен спо на полупроводни получения изобр спектра в процес основе полупров вают до 80 - 200 В результате экспонирования светом интенсивностью порядка 10 МВт(см в течение 40 - 50 с получается изображение, которое наблюдается в отраженном свете, а при больших экспозициях хорошо про. сматривается и в проходящем свете. Дли. тельность экспонирования зависит от ин. тенсивности и спектрального состава освещения. Величина экспозиции может быть значительно сокращена в случае применения лазерного освещения, например в голографии. Однако такой способ имеет низкую фоточувствительность полупроводникового слоя и высокую температуру процесса экс понирования. Предлагаемый способ о т л и ч а е т с я тем, что, с целью повышения...