Патенты с меткой «поверхностных»

Номер патента: 1715047

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Борисенко, Соловей

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, поверхностных

1. Способ автоматического контроля поверхностных дефектов, заключающийся в том, что создают изображение поверхности контролируемой детали посредством телекамеры, видеосигналы, поступающие из телекамеры, преобразуют в цифровые, запоминают и сравнивают с заданными пороговыми значениями, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и быстродействия контроля, предварительно записывают в памяти строчные координаты локального окна, соответствующего форме контролируемой детали так, что в каждой строке формируют четное число координат контура локального окна и каждая нечетная координата является началом локального окна в данной строке, а каждая четная концом, затем совмещают локальное окно с телеизображением зафиксированной относительно...

Номер патента: 1834545

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Борисенко, Горбас, Иванченко, Калашников, Новиков, Пивен, Соловей

МПК: G06F 17/00

Метки: дефектов, поверхностных

...соответствующих границам локального окна в данной строке, выделяют видеосигналы телекамеры, лежащие только в пределах границ локального окна, производят обнаружение дефектов 55 детали путем сравнения выделенных видеосигналов с эталонными и пространственные характеристики обнаруженных дефектов сравнивают с заданными пороговыми значениями, отличающийся тем, что, с целью повышения качества Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано в системах автоматического При выявлении несовпадения позиций локального окна и телеизображения контролируемого кольца, т.е, влияния разброса Формула изобретения СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО. КОНТРОЛЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕФЕКТОВ ДЕТАЛЕЙ, заключающийся в том, что...

Номер патента: 1828672

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Ольховский, Петров, Степанов

МПК: E02D 1/00

Метки: грунта, поверхностных, прочности, слоев

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОЧНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ГРУНТА, включающий метание зонда на поверхность грунта и регистрацию параметров проникания, при котором определяют прочность, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, метание осуществляют двумя зондами, имеющими одинаковые начальные аэродинамические параметры с заданным углом рыскания для каждого зонда под углом к поверхности грунта с известной скоростью, в качестве параметров проникания измеряют расстояние между точками входа зондов в грунт и точками выхода зондов из грунта, а прочность поверхностных слоев грунта определяют в зависимости от скорости удара, угла метания и рыскания зондов по разнице между измеренными параметрами, используя предварительно установленную указанную...

Номер патента: 1634113

Опубликовано: 20.09.1996

Автор: Жуков

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...шагу двух соседних электродов ВШП. Устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в общем акустическом канале размещены входной встречно-штыревой преобразователь (ВШП), выходной ВШП и отражающая решетка, отличающееся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения заданной амплитудно-частотной характеристики за счет уменьшения уровня ложных сигналов, элементы отражательной решетки размещены перпендикулярно оси При распространении области "сжатия " (или "растяжения" ) под углом к электродам выходного ВШП 3 она попадает одновременно в соседние промежутки между электродами выходного ВШП 3. Величина напряжения, возникающая на паре электродов ВШП, прямо...

Номер патента: 1662324

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Доберштейн, Литвинов, Малюхов, Николаенко

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...ЫМЬОз рекектирование будет эффективно в достаточно широкой полосе частот и позволит подавать частотные отклики на третьей и пятой гармонике,Следует заметить, что на работу однонаправленного ВШП такое выполнение электродов МПО никак не скажется, поскольку эквивалентная "отражательная решетка" "прозрачная" для акустической волны основной частоты.Улучшение избирательности предложенного фильтра связано с выполнением последнего электрода 7 каждого МПО и последнего электрода 8 центральных аподизованных ВШП 5 и 6 без зазора между собой и с зазором относительно общих входных 9 и выходных 10 клемм. В этом случае источник напряжения 12 или нагрузка 14 подключаются к фильтру симметрично через эквивалентный развязываю щий акустоэлектрический или...

Номер патента: 1256654

Опубликовано: 10.10.1996

Автор: Николаенко

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, генератор, поверхностных

1. Генератор на поверхностных акустических волнах, содержащий первый и второй усилители, соединенные последовательно, в цепь обратной связи каждого из которых включены соответственно первая и вторая акустические линии задержки с размещенными на поверхности звукопровода входным и основным выходным встречно-штыревыми преобразователями (ВШП), нулевые контактные шины которых заземлены, отличающийся тем, что, с целью улучшения спектральной чистоты выходного сигнала, основной выход первой акустической линии задержки соединен с входом первого усилителя, выход первого усилителя соединен с входом второй акустической линии задержки, основной выход второй акустической линии задержки соединен с входом второго усилителя, выход второго усилителя...

Номер патента: 1489552

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Болотюк, Евдокимов, Николаенко

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, многоканальный, поверхностных, фильтр

Многоканальный фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), каждый канал которого содержит первый и второй развязывающие дроссели, первый вывод каждого из которых соединен с катодом первого и второго диодов соответственно, третий и четвертый диоды, развязывающий конденсатор, включенный между общей шиной и клеммой управления, полосовой фильтр, один из выводов которого соединен с общей шиной, аноды первого и второго диодов соединены соответственно с входом и выходом этого же канала фильтра, а вход и выход каждого из каналов фильтра соединены с входной и выходной клеммами фильтра соответственно, между каждой из которых и общей шиной включены соответственно входной и выходной развязывающие дроссели фильтра, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1762726

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кондратьев, Тимошев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, резонаторов, центральной, частоты

Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора при использовании в качестве рабочего газа соединений фтора, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, перед плазмохимическим травлением обрабатывают рабочую поверхность кристалла резонатора пучком ионов аргона при энергии 4 5 кэВ в течение 2 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 8 мин.

Номер патента: 1783948

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, кристаллов, поверхностных, резонаторов

Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий фотолитографию встречно-штыревых преобразователей и отражательных решеток, ионно-химическое травление канавок в материале подложки, напыление металла, взрывное травление фоторезиста и последующее удаление металла из канавок отражательных решеток, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных резонаторов, после напыления металла наносят второй слой фоторезиста, в котором вскрывают окна над структурами электродов встречно-штыревых преобразователей, в этих окнах вытравливают металл, затем проводят ионно-химическое дотравливание канавок под электроды встречно-штыревых преобразователей заданной глубины, напыляют второй слой металла с толщиной,...

Номер патента: 447993

Опубликовано: 10.09.1998

Авторы: Ермолаев, Музалевский, Новоселов, Щербатюк

МПК: A01K 73/02

Метки: воды, других, лова, объектов, поверхностных, рыбы, слоях

1. Устройство для лова рыбы и других объектов в поверхностных слоях воды промысловыми судами, состоящее из трала, приспособления для передачи улова на промысловое судно и двух распорных балок, шарнирно укрепленных в носовой части судна и соединенных по концам ограничительным тросом, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения эффективности лова, нижняя подбора трала прикреплена к ограничительному тросу, боковые - к распорным балкам, а верхняя подбора укреплена под корпусом судна.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что трал имеет в плане W-образную форму.3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что нижняя часть каждой распорной балки снабжена пластиной для дополнительного раскрытия устья трала.

Номер патента: 1811350

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Гарова, Григоревский, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/44

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая звукопровод, на поверхности которого в одном акустическом канале размещены преобразователь ПАВ, решетка наклонных отражательных элементов и дисперсионная решетка отражательных элементов, перпендикулярных продольной оси этого акустического канала и разделенных по длине на две части, взаимно смещенные вдоль акустического канала на расстояние, равное ширине соответствующего отражательного элемента, и дополнительная решетка отражательных элементов, расположенная в направлении, перпендикулярном продольной оси акустического канала соответственно напротив решетки наклонных отражательных элементов, отличающаяся тем,...

Номер патента: 1627049

Опубликовано: 20.07.1999

Автор: Боритко

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая звукопровод и расположенные на его рабочей грани в одном акустическом канале входной встречно-штыревой преобразователь, соединенный с генератором синусоидального сигнала, и выходной преобразователь, выполненный в виде поперечных относительно продольной оси звукопровода металлических полосок, между которыми размещен слой полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью увеличения полосы пропускания и расширения рабочего диапазона частот в сторону нижней границы, между электродами входного встречно-штыревого преобразователя размещен слой полупроводника, а пространственный период расположения электродов в этом преобразователе...

Номер патента: 1409004

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Бусыгин, Григорьев

МПК: G01R 31/26

Метки: мдптранзисторах, параметров, поверхностных, состояний

Устройство для изменения параметров поверхностных состояний в МДП-транзисторах, содержащее клеммы для подключения затвора, стока, истока и подложки испытуемого прибора, криостат с датчиком температуры, импульсный генератор, источник напряжения и блок регистрации и обработки данных, один из входов которого подключен к выходу датчика температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено вторым источником постоянного напряжения, преобразователем ток - напряжение и операционным усилителем, причем выход операционного усилителя подключен к первому входу блока регистрации и обработки данных и к клемме для подключения затвора испытуемого транзистора, первый источник...

Номер патента: 1181413

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Баженов, Либенсон, Макин

МПК: G02B 5/18

Метки: периодических, поверхностных, структур, формирования

Способ формирования периодических поверхностных структур, включающий воздействие на полированную поверхность двух интерферирующих пучков лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью снижения энергозатрат на обработку при одновременном повышении ее качества, указанное воздействие осуществляют Р-поляризованными пучками при длине когерентности излучения, превышающей длину зоны обработки, и при углах падения пучков, определяемых из соотношения2sin( /2) cos =

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...

Номер патента: 1297286

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Ахтямов, Лещенко, Мошнин, Танков

МПК: A61N 5/06

Метки: кожи, лечения, микозов, поверхностных, форм

Способ лечения поверхностных форм микозов кожи путем облучения пораженных участков светом, отличающийся тем, что, с целью сокращения сроков лечения и снижения числа рецидивов, перед облучением за 30 - 90 мин на пораженные участки кожи наносят препараты класса фурокумаринов, а облучением проводят светом с длиной волны 315 - 400 нм.

Номер патента: 1542304

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Воробьев, Грищенко, Фаддеев, Феофилов

МПК: G21G 4/00

Метки: активного, источников, поверхностных, радионуклидных, слоя

Установка для изготовления активного слоя радионуклидных поверхностных источников, содержащая емкость для размещения контейнера с радионуклидом и подложек, устройство для нанесения защитного покрытия и нагревательный элемент, отличающаяся тем, что, с целью повышения радиационной безопасности процесса изготовления и качества готовой продукции за счет исключения контакта заготовок источника с воздушной средой, емкость для размещения контейнера с радионуклидом и подложек установлена в устройстве для нанесения защитного покрытия, которое снабжено механизмом запирания с крышкой для емкости, имеющей со стороны указанной емкости устройство вскрытия контейнера с радионуклидом.

Номер патента: 1535335

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Анисимкин, Гуляев, Котелянский, Магомедов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, встречно-штыревой, поверхностных

Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод с размещенными на его рабочей грани канавками, в которых расположены основные электроды, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот в сторону высоких частот, в него введены дополнительные электроды, размещенные на участках рабочей грани звукопровода между канавками, причем по крайней мере часть основных и/или дополнительных электродов соединена с выходами двухфазного источника высокочастотного сигнала, а ширина электродов и глубина канавок выбраны в соответствии с выражениями

Номер патента: 1535336

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Гуляев, Котелянский, Магомедов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, встречно-штыревой, поверхностных

1. Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий подложку, на поверхности которой размещена пьезоэлектрическая пленка, и две группы основных электродов, включенных противофазно одна относительно другой, одна из которых расположена на пьезоэлектрической пленке, другая - под ней, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот в сторону высоких частот, продольные оси симметрии основных электродов одной группы расположены с продольными осями зазоров между основными электродами другой группы в одной плоскости, перпендикулярной поверхности подложки, а расстояние между продольными осями симметрии соседних электродов из разных групп выбрано...

Номер патента: 1535337

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Гуляев, Котелянский, Магомедов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, встречно-штыревой, поверхностных

1. Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий подложку, на поверхности которой размещена пьезоэлектрическая пленка, и две группы электродов, расположенных под пьезоэлектрической пленкой и на ней, одна из которых состоит из чередующих электрически противофазно включенных электродов, другая - из основных электрически изолированных электродов, с размещением продольных осей симметрии электродов одной группы с продольными осями зазоров между электродами другой группы в одной плоскости, перпендикулярной поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот в сторону высоких частот, ширина электродов в группах и ширина...

Номер патента: 1533496

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Аристов, Ерохин, Никулин, Снигирев

МПК: G01N 23/20

Метки: деформации, кристаллической, поверхностных, слоев, структуры

Способ измерения деформации кристаллической структуры поверхностных слоев в контролируемом образце, включающий измерение угловой зависимости дифрагированной волны многокристальным рентгеновским дифрактометром и определение деформации по этой зависимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, изготавливают тестовый образец из того же материала и по технологии, полностью соответствующей контролируемому образцу, деформирующим воздействием на поверхности исследуемого образца формируют периодическую структуру из чередующихся с постоянным периодом из интервала значений от 0,1 мкм до 2 длин экстинкции рентгеновского излучения областей с нарушенной и ненарушенной структурой,...

Номер патента: 902608

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Гудзенко, Дерюгин, Днепровский, Теричев, Тищенко

МПК: G06K 19/00

Метки: акустических, волн, записи, носитель, поверхностных, стоячих

Применение тонких пленок халькогенидного стекла в качестве носителя для записи стоячих поверхностных акустических волн.

Номер патента: 1064852

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Ковалев, Яковкин

МПК: H03H 9/42, H03H 9/64

Метки: акустических, волн, поверхностных

Преобразователь поверхностных акустических волн, содержащий два гребенчатых электрода, один из которых расположен на поверхности пьезоэлектрического звукопровода, отличающийся тем, что, с целью расширения рабочего диапазона частот и обеспечения излучения и регистрации поверхностных акустических волн в двух независимых направлениях, в нем второй гребенчатый электрод расположен над первым под углом относительно его продольной оси, при этом гребенчатые электроды разделены слоем диэлектрического материала.

Номер патента: 1655280

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Никитин, Орлов, Шепшелей

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

Фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в параллельных акустических каналах размещены две секции входного встречно-штыревого преобразователя (ВШП), первый дополнительный ВШП и идентичные секции входного ВШП, второй дополнительный и два выходных ВШП, расположенные по обе стороны от входного ВШП, а выходные ВШП, соединенные с выходными клеммами фильтра, включены относительно дополнительных ВШП, соединенных с соответствующими эквивалентами нагрузки, с фазовым сдвигом 90o, отличающийся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения заданной амплитудно-частотной характеристики за счет...

Номер патента: 1501876

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Никитин, Шепшелей

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

Фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены входной секционированный преобразователь, содержащий последовательно соединенные секции, и выходной преобразователь, выполненный секционированным, эквиваленты проводимостей нагрузки, источники сигналов, соединенные соответственно с одними суммирующими шинами входного и выходного преобразователей, другие суммирующие шины которых соединены с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью уменьшения уровня паразитного сигнала тройного прохождения (СТП), в него введены индуктивный и резистивный элементы, включенные параллельно входному преобразователю, в качестве...

Номер патента: 1598818

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Молотков, Рогачев

МПК: H03H 9/145, H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в общем акустическом канале размещены входной и выходной веерные встречно-штыревые преобразователи (ВШП) с переменными вдоль апертуры каждого преобразователя шириной каждого штыря и величиной зазора между соседними штырями, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения искажений обрабатываемого сигнала, штыри выполнены расщепленными, причем зазор между электродами каждого штыря выполнен в форме клина с шириной в любом сечении апертуры акустического канала, определяемой выражениемгде...

Номер патента: 698470

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Баранов, Лукин

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных

Преобразователь поверхностных акустических волн, содержащий пьезоэлектрическую подложку и расположенную на ней встречно-штыревую металлическую пленочную структуру, состоящую из трех решеток, расположенных акустически параллельно друг другу, отличающийся тем, что, с целью увеличения подавления боковых лепестков амплитудно-частотной характеристики, крайние решетки включены противофазно по отношению к центральной решетке.

Номер патента: 1683476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Карманов, Никитин, Новиков, Чулин, Шепшелей

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, поверхностных

Преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий пьезоподложку и расположенные на ее рабочей грани основную и дополнительную электродные структуры, каждая из которых состоит из двух групп параллельных перекрывающихся электродов, в первой из которых электроды соединены гальванически с соответствующей контактной площадкой, а во второй - с соответствующими электродами другой электродной структуры, а перекрывающиеся участки электродов в основной электродной структуре выполнены с постоянной длиной, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов, в дополнительной электродной структуре перекрывающиеся участки электродов выполнены с постоянной длиной и снабжены...

Номер патента: 1683478

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Малюков, Молотков, Рогачев

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого в общем акустическом канале размещены входной и выходной встречно-штыревые преобразователи (ВШП) с переменными вдоль апертуры каждого ВШП шириной каждого электрода и величиной зазора между соседними электродами, отличающаяся тем, что, с целью повышения технологичности, угол между продольными осями симметрии центральных электродов входного и выходного ВШП выбран из выражениягде

Номер патента: 1793821

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Малюков, Молотков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах, содержащая пьезоэлектрический звукопровод и расположенные на его рабочей поверхности в одном акустическом канале два наклонных неэквидистантных встречно-штыревых преобразователя (ВШП), отличающаяся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики, в нее введены две неэквидистантные отражательные структуры (ОС), внутренняя контактная площадка каждого ВШП выполнена удлиненной в сторону сближения с другим ВШП до края апертуры преобразователя, соответствующего величине электрода этого преобразователя, ближайшего к другому ВШП, причем ОС размещены между электродами удлиненной части ВШП в...