Установка для изготовления активного слоя радионуклидных поверхностных источников
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
4426759/25, 18.05.1988
Фаддеев С. Л, Воробьев А. И, Феофилов О. Г, Грищенко С. В
МПК / Метки
МПК: G21G 4/00
Метки: активного, источников, поверхностных, радионуклидных, слоя
Опубликовано: 20.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1542304-ustanovka-dlya-izgotovleniya-aktivnogo-sloya-radionuklidnykh-poverkhnostnykh-istochnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Установка для изготовления активного слоя радионуклидных поверхностных источников</a>
Предыдущий патент: Способ отжига ионно-легированных полупроводников
Следующий патент: Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений
Случайный патент: Способ борьбы с солеотложениями в нефтяных скважинах