Патенты с меткой «поверхностных»

Номер патента: 726646

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Жуков, Коновалова, Сиротин, Чернышев

МПК: H03H 7/18

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фазовращатель

...расположенной с противоположной стороны звукопровода под замедляющей металлической пленкой и регулируемый источник постоянного напряжения, подключенный к замедляющей металлической пленке и дополнительному электроду.Предложенный фазовращатель имеет амплитудно-частотную характеристику, близкую к прямоугольной и позволяет получить постоянный фазовый сдвиг во всей полосе пропускания устройства,Формула изобретения 726646 пьезоактивного материала с нанесенными йа его полированную поверхность входным 2 и выходным 3 веерообразными встречноштыревыми преобразователями для возбуждения и приема акустических поверхно стных волн и замедляющую тонкую металлическую пленку 4, выполненную в форме трапеции и расположенную между входным 2 и выходным 3...

Номер патента: 726647

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр

...другом варианте предложенного устройства один или оба преобразователявстречно-штыревого типа могут быть выполнены аподизованными, т. е. с переменнымперекрытием электродов, закон изменениякоторого определяется по заданному импульсному отклику фильтра (фиг. 2).зэ Входной 2 и выходной 3 преобразователимогут быть размещены по одну сторону отэлектродных структур 8 - 10, как это показано на фиг. 2,Независимо от конструкции входного 2и выходного 3 преобразователей на дополнительной структуре 10 может быть расположено поглощающее ПАВ покрытие. Привыполнении такого покрытия из материалас высокой диэлектрической проницаемостьюуменьшаются габариты устройства, посКольм ку в этом случае уменьшается величина максимального перекрытия электродов в...

Номер патента: 726648

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Андреев, Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...соответствующих электродов 12 и 13, В результате в пьезоэлектрическом Материале возбуждаются ПАВ в полосе частот вблизи центральной частотыполосы пропускания устройства, Амплитуда ПАВ, возбуждаемых каждой парой алектродов 10 и 11, пропорциональна величине напряженности электрического поля между нйми и, следовательно, зависит от величины участков перекрытия соответст вующих электродов 12 и 13, Таким обра зом, взвешивание интенсивности возбужде ния ПАВ электродов 10 и 11 и, соответственно, формирование заданного импульсного отклика осуществляется путем задания определенного закона покрытия электродов 12 и 13. При атом ПАВ, возбуж- даемые в структуре 6, имеют равномерный волновой фронт по апертуре луча, твк как все электроды этой...

Номер патента: 726651

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Жуков, Никитин, Сиротин, Чернышев

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, узкополосный, фильтр

...четверти длины акустической поверх ностной волны, а относительная ширинаэлектродов биполярной решетки и меандрового электрода должна быть не более. одной восьмой длине. волны на центральной частоте фильтра, Для исключения влияния отра жеций акустической поверхностной волныот торцов звукопровода 1 последние покрыты звукопоглошвюшей мастикой 5; Входной преобразователь 3 электрически соединен с генератором 6, а выходной 4 - снагрузкой 7.При подведении радиосигнала ко входному преобразователю 3 возбуждаетсяакустическая поверхностная волна, которая распространяется в обе стороны отпреобразователя 3 и при достижении отражвюших структур 2 отражается каждойотражающей полоской, соэдвя тем самым 4стоячую акустическую поверхностную волцу...

Номер патента: 726652

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Пирогов, Чалабян

МПК: H03H 9/02

Метки: акустических, волн, поверхностных

...при этом контактные площадкина нижней части резисторного участка 4расположены с шагом, равными, а контактные площадки (а - а) в верхней части резисторного участка расположены и точкахсоответствующих максимумам импульсногоотклика преобразователя. Злектроды 2 второй фазы преобразователя заземлены в точках (в - в), соответствующих минимумамимпульсного отклика преобразователя, Центральный электрод преобразователя подсоединен к его входу с помощью навесного проводника.Предлагаемое устройство работает следуюцьим образом.При подаче на вход электрического сигнала 1.3 вх электроды 2 возбуждают поверхностную акустическую волну. Вклад 1-го электрода 2 будет пропорционален величине напряжения 13 п 1, действующего ца нем. Величина 31 обратно...

Номер патента: 729817

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Бондаренко, Клешнев, Орлов, Савченков, Сиротин

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...шиной одного7298 7 предлагаемой конструкции позволяет получитьподавление сигнала тройцого прохождения, икак следствие, уменьшение искажений АЧХ вцгирокой полосе частот.Предложенный фильтр обладает малыми ис.кажециями АЧХ, менее 0,3 дЬ при давлениисигнала гройцого прохождения до (45-48) дБПредложенный фильтр технологичец в изго.товлеции. Фильтр на поверхностных акустических волнах, содержаший пьезоэлектрический звукопровод ц расположенные ца его поверхности двавстречно.штырсвых преобразователя, один изкоторых вьшолнец из двух парциальных преоб.раэователей, расположенных ца одинаковомрасстоянии от другого преобразователя и сое.дицецгпях электрически противофазцо друг сдругом с цомошыо общей шины, и входныец выходные клеммы,...

Номер патента: 742773

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Басов, Белокур, Гаврилин, Дайкер, Конаш, Москвин

МПК: G01N 21/91

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных, подповерхностных

...113035, йэсква, Ж, Раушская наб., д, 4 /5ФИлиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Цель изобретения в , повышение точности и осуществление автоматическоймаркировки дефектов.Для этого после нанесения фонообраэующего вещества на поверхность изделия наносят контрастообразующее вещество, сушат его, а затем поверхность изделия подвергают нагреву токами высокой частоты до появленияизображения дефектов.При нагреве заготовки токами высокой частоты в местах нарушения Ооплошности материала изделия (дефектах) наблюдается неравномерность распределения плотности вихревых токов,За счет этого дефектные участки поверхности нагреваются значительно 15сильнее бездефектных, и контрастообраэующее вещество на них претерпевает термохимическое...

Номер патента: 744301

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Басов, Белокур, Гаврилин, Дайкер, Конаш

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных, подповерхностных

...плотности вихревых токов на этихучастках.В районе дефекта происходит концентрация магнитного поля, вследствие чего удельная плотность вихревых токов становится вьпае, Большей плотности вихревых токов при прочих равных условиях соответствует и большая температура в нагреваемом участке.Задача повышения чувствительности способа сводится к обеспечению максимальной неравномерности плотности вихревых токов в местах дефектов,Максимальная неравномерность плстности вихревых токов в местах дефектовдос тига ется лишь в том случае, когдатолщина прогрева равна глубине преимущественного залегания дефектов(толщина слоя, подлежащего контролю)Градиент температур на поверхности заготовки между дефектными и бездеФектными участками может достигать...

Номер патента: 767941

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита, Медведь, Федорец

МПК: H03F 3/04

Метки: акустических, волн, поверхностных, усилитель

...систему металлических полосок, размещенных на пути звукового луча между преобразователями, металлические полоски объединены в пары, образующие встречно-штыревые преобразователи, причем один из преобразователей соединен со входом, а другой - с выходом усилителя, подключенного к каждой паре преобразова- телей.На чертеже представлена схема устройства.На пьезоэлектрическом звукопроводе 1 расположены электромеханические преобра- . зователи поверхностных акустических волн 2 и 3, осуществляющие соответственно возбуждение и прием акустических волн. На пути распространения звукового луча размещена система металлических полосок, объединенных в пары, образующие встречно-штыревые преобразователи (на чертеже изображены, в частности, три...

Номер патента: 629932

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Абдуразаков, Беляев, Мартынов, Плетнев, Фелянин

МПК: A61N 5/00

Метки: злокачественных, лечения, опухолей, поверхностных, спосоь

...ткани, коагулируют От периферии к центру. Необходимая глубина коагуляции зависит от характера опухоли и степени инфильтрации подлежащих тканей и регулируется экспозицией луча в зоне коагуляции.В результате коагуляции рбразуется дефект ткани округлой или овальной формы, покрытый коричневатой, местаии черной, сухой пленкой из коагулированных некротических масс. По окончании коагуляции окружающую кожу обрабатывают спиртом и на рануь629932 Составитель В,ГоловинТехред И, Бабурка ЕорректорИ,Муска Редактор Е.МесроПРВа Заказ 7 В 55/75 Тираж 673 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретениФи открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное филиал ППП Патент, г. ужгород, ул.Проектная, 4 накладывают сухую стерильную...

Номер патента: 777606

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Ананских, Голиков, Козловский, Комарова, Куцева, Лернер, Романов

МПК: G01S 7/28

Метки: акустических, волнах, поверхностных, сигналов, сложных, формирования

...того же спектра. Линии задержки 3 расставляют расфильтрованные сигналы по времени через интервалы ть Далее эти сигналы поступают на входные электроды б двухканальной МЛЗ 4, расставленные через интервалы т 2 так, что т + т = Т/У, где Т - полная длительность сигнала. Затем, пройдя по звукопроводу МЛЗ 4, акустический спгнал попадает на выходные решетки 6 с равномерно расставленными через Л/ = = У/1 электродами. Равномерная расстановка электродов позволяет получить на выходной решетке б спектры шириной Р/У, периодически повторяющиеся через ту же величину Ч/У, т. е, сплошной спектр.МЛЗ разделена вдоль на два акустических канала, работающих в квадратуре, так как верхние и нижние части входных электродов 5 сдвинуты друг относительно друга на...

Номер патента: 789114

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Ковалевская, Корнеева, Щеглова

МПК: A61K 39/108

Метки: антигенов, группы, кишечной, микробов, поверхностных, растворимых

...фракция представляет 1 пик, который собирают и высушивают лиофильно без последующегоподогрева. Молекулярный вес полученной фракции 1,6-2 млн. дальтон,Выход антигенного комплекса поотношению к исходному весу сухой биомассы 3,2-3,9.15Оптимальные, минимальные и максимальные показатели режима при получении протективной фракции микробовЗонне представлены в табл.20 При изменении параметров режима,как в сторону уменьшения, так и всторону увеличения, свойства протективной фракции,ее растворимость, аследовательно, возможность использо вания для иммунизации, снижается.Предлагаемый способ позволяетвыделить протективную фракцию 5 сЬ е 1)а Еоппе. Этапы получения протективной Фракции Свойства протективной фракции Показатели Получение...

Номер патента: 789729

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Гуревич, Козьяков, Мелконян

МПК: G01B 7/06, G01N 27/90

Метки: дефектов, натяжения, поверхностных, полосы, прокатки, стальной, стане, толщины, холодной

...1 2сигнала и входу блока 5 разложения сигнала на активную и реактивную составляю щие, первый выход которого по реактивной составляющей подключен х регулируемому реактивному плечу моста 3 и кпервым входам второго (13) и третьего(14) формирователей сигналов, вторыевходы которых подключены ко второмувыходу по активной составляющей блока5 и регулируемому активному плечумоста 3,Устройство работает следующим образом.До начала измерения с одной стороныПолосы 1, имеющей толщину ,. устанавливают П-образный мвгнитопровод собмоткой датчика 2, причем зазор междуполосой и электромагнитом может составлять около 20 мм.Величина магнитного потока Ф, создаваемая индуктивным датчиком, зависитот магнитной проницаемости металлаО .Относительное...

Номер патента: 789870

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Забузов, Кравец, Петров, Семенов, Сиротин

МПК: G01R 23/16

Метки: анализатор, волнах, поверхностных, спектра, ультразвуковых

...совмещенными с входнымипреобразователями, причем входныепреобразователи расположены с линейно возрастающим смещением относительно излучающих краев волноводав зависимости от номера входногопреобразователя, а выходные преобразователи расположены по дуге окружности, радиус которой равен минимальному значению границы дальней зоныизлучающих краев волноводов, размещенных по дуге окружности с вдвое боль.шим радиусом.На чертеже схематично изображена 40конструкция анализатора спектра радиосигналов,Устройство содержит звукопровод1, выполненный из пьезоактивнаго материала, на рабочую поверхность которого нанесены входные преобразователи поверхностных волн 2 и волно воды 3, излучающие края которых располагаются по дуге окружности, радиус которой...

Номер патента: 792539

Опубликовано: 30.12.1980

Автор: Сыромолотнов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, датчик, поверхностных

...Подвижная пластина 6 устанонле792539 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 9598/62 Тираж 995 Подписное илиал ППП Патент, г, Ужг Проектная,на на неподвижной оси над преобразователями 3 и 4 параллельно плоско.сти их расположения. Преобразователи 2,3,4,5 представляют собой слой7 и, 8 пьезоэлектрического вещества,выполненные на диэлектрической подложке 1, с нанесенной на них системой электродов. Датчик работает следующим образом.С помощью преобразователя 2 возбуждается поверхностная акустическая волна, которая распространяется вдоль поверхности пьезоэлектрического слоя 7 и достигает преобразователь 3, который возбуждает ПАВ на поверхности подвижной пластины, б, Преобразователь 4 принимает акустическую поверх.ностную волну от подВижной пластины и...

Номер патента: 792540

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Боженко, Лямов, Солодов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, акустоэлектронный, аналоговых, волнах, коррелятор, поверхностных, сигналов

...например, из ниобата лития. На однойиз его сторон расположена пара преобразователей ПАВ - первого входногосигнала 2 и опорного сигнала 3, Напротивоположной стороне расположенапара преобразователей ПАВ - второговходного сигнала 4 и выходного сигнала 5, Все четыре преобразователямогут быть выполнены, например,встречно-штыревого типа. Смещение х ЗОмежду преобразователями 3 и 4 вдольпродольной оси 6 звукопровода 1 составляет величину, выбранную из условия равенства отношения этого смещения к толщине звукопровода 1 отношению скоростей ПАВ и объемной волны. Поверхности звукопровода 1 могутбыть покрыты пленкой полупроводника (на чертеже не показано.На преобразователи 2 и 4 подаются 40входные сигналы равных частот. Напреобразователь 3...

Номер патента: 792547

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Анисимкин, Котелянский, Морозов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, циклическая

...с бруском 2 и, распространяясь в области перекрытия по нижней поверхности бруска 1, возбуждает на верхней поверхности бруска792547 В месте состыковки брускон для болееэффективного перехода волны черезвоздушный зазор должны выполнятьсяусловия синхронизма,Кроме уменьшения уровня паразит ных сигналов устройство позволяеттакже увеличить длительность входныхимпульсов. Это достигается увеличением длины пробега волны между входным и выходным преобразователям засчет покаскадного соединения брускови спирального распространения волныв пределах каждого из покаскадносоединенных брусков,Использование устройства позволитповысить чувствительность цикличесИ ких линий задержки, а увеличение длительности входных импульсов позволитувеличить объем...

Номер патента: 792553

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Акпамбетов, Брицын, Карпеев, Киселев, Речицкий

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр

...обратно пропорциональны проходнойемкости фильтра. Варианты выполненияиэображения предполагают размещениемежду секциями многополоскового ответвителя,заземленных электродов,а также равенство расстояний междуЗаказ 9599/ 3 Тираж 995 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,краями заземленных электродов и соседних с ними электродов зазорам между электродами многополоскового ответвителя,, На чертеже представлена структурная схема фильтра.Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах содержит входной 1 и выходной 2 встречно-штыревые преобразователи, расположенные на поверхности звукопровода 3 и акустически...

Номер патента: 806928

Опубликовано: 23.02.1981

Автор: Кузнецов

МПК: F16F 9/02

Метки: демпфер, колебанийжидкости, поверхностных

...является демпферповерхностных колебаний жидкости,выполненный в виде набора элементовс положительной плавучестью, располагаемых на поверхности жидкости 2 .Однако разобщенность набора элементов не обеспечивает необходимогодемпфирования колебаний жидкости806928 фоРмула изобретения оставитеЛь О. МальцевРедактор Г. Кацалап Техред М.федорнак,Корректор Е. Рошко аказ 225/54 Тираж 1017 ВНИИПИ Государственного коми по делам изобретений и 113035, Москва, Ж, РаушскПодписноеета СССРоткрытийя наб., д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная После введения в емкость 3, заполненную жидкостью, элементов 1 с положительной плавучестью, они могут свободно перемещаться по поверхности жидкости вследствие отсутствия связей между ними, Так как...

Номер патента: 807137

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Горбунов, Моисеев, Степанов

МПК: G01N 3/58

Метки: изнашивания, инструментав, обработаннойдетали, поверхностных, распределенияпродуктов, слоях

...заключающийся в том, что обрабатывают деталь инструментом 20 частиц, образующихся в материале детали в результате бомбардировки нуклонами 121Недостатком известных технических решений является низкая эффективность и недостаточная радиационная безопасность, что обусловлено неВозможностью снятия без. изменения расположения продуктов изнашивания инструмента тонких слоев с поверхности об- ЗО С СтепановУ,807137 Составитель В. ДаниловРедактор В. Данко Техред М, Голинка Корректор Н. Григорук Заказ 272/65 Тираж 918 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 слоях у образцов размером 8 х 8 х 2 мм, вырезанных...

Номер патента: 813824

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Бондаренко, Дуковский, Крутов, Соболев

МПК: H04R 17/00

Метки: акус-тических, волн, поверхностных

...1 помещены две группы штырей 2 и 3. Штыри двух групп расположены встречно. В каждой группесодержатся по три штыря на одинаковых расстояниях друг от друга. Группы сдвинуты на один штырь. Суммы длин противоположно расположенных штырей составляют постоянную величину. Длина наиболее короткого крайнего штыря не превышает пятую часть апертуры преобразователя. Увеличение ширины полосы пропускания преобразователя достигается за счет того, что средняя часть преобразователя излучает поверхностную акустическую волну на первой и третьей гармониках с одинаковой эффективностью, а крайние секции преобразователя служат для выравнивания амплитудно-частотной характеристики преобразователя. Линия задержки на звукопроводе из Я -среза ниобата лития с...

Номер патента: 822316

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Дементьев, Добровольский, Леманов, Прокопенко, Сафиуллин, Смоленский, Шерман

МПК: H03H 9/00

Метки: акустическихволнах, поверхностных, свертки, электрическихсигналов

...металла, например алюминия, 515в виде металлической пленки нанесенна нижнюю поверхность подложки 1 вобласти под параметрическим электродом 3, ограниченной его внешнимиграницами. Источник 5 первичного элек 20тронного пучка, состоящий, например,из подогревного вольфрамового катода6 и источника 7 напряжения, расположен над параметрическим электродом3 выходного преобразователя таким образом, чтобы создаваемый пучок обеспечивал эмиссию вторичных электроновиз всей поверхности пьезоподложки 1под параметрическим электродом 3,Устройство свертки электрическихсигналов на поверхностных акустических волнах работает следующим образом,Сигналы, один из которых является .входным, а второй - опорным, подают-ся на соответствующие входные...

Номер патента: 823893

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Асмоловский, Рождественский

МПК: G01H 5/00

Метки: акустическихволнах, деформа-ций, механических, поверхностных

...преобразователя 46, к общей шине (начертеже не показан) которых подключен соединительный вывод б на половину длины волны. Электроды приемногопреобразователя 4, соединенные общей шиной с электродами возбуждающихпреобразователей 2 и 3, также сдвинуты относительно друг друга на полонину длины волны. К измерительнойсхеме возбуждающие преобразователи2 и 3 подключаются с помощью выводов7 и 8, а приемный преобразователь с 40помощью выводов 5 и б.Работа преобразователя механических деформаций на поверхностных акустических нолнах иллюстрируется нафиг. 2, где по оси У отложена амплитуда волнового процесса при интерференции двух синфазных поверхностных акустических волн в функции отволнового числа 1 с, п.е, А (М), а пооси Х - текущая...

Номер патента: 836772

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Акпамбетов, Карпеев, Киселев

МПК: H03H 9/145

Метки: акустическихволн, поверхностных

...структуру и прилегающую к ним тонкую пьезоэлектрическую пленку, ширина пьезоэлекТрической пленки изменяется вдоль продольной оси преобразователя по закону огибающей заданного импульсного отклика.На чертеже показана конструкция предложенного преобразователя.На поверхности непьезоэлектрического звукопровода 1 расположена встречно-штыревая электродная структура 2. Пьезоэлектрическая пленка 3 может быть создана на звукопроводе 1 до формирования структуры 2 либо нанесена поверх нее.836772 Формула изобретения Составитель В. БанковТехред А. БойкасТираж 988Государственного комитетам изобретений и открва, Ж - 35, Раушская нПатент, г. Ужгород, ул. едактор Е. Братчиковааказ 3205/44ВНИИП Корректор ЮПодписноеСССРийд. 4/5Проектная, 4 акаренк Ипо...

Номер патента: 849428

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Кантор, Петряков

МПК: H03H 9/00

Метки: волнах, наакустических, поверхностных, пьезоэлектрическое

...тонкий слой диэлектрика, жесткость которого меньше, чем жесткость подложки, что приводит к еще большему замедлению волны на поверхности, покрытой электродами. Аналогичный результат может быть достигнут при, напылении на свободную часть поверхности подложки диэлектрика, жесткость которого больше жесткости подложки.Цилиндр не обязательно должен быть круговым, однако поверхность его должна быть плавной с радиусами кривизны, в 10-20 раз превышающими длину волны. Подложка может быть выполнена из пьезоэлектрического монокристалла или из пьезокерамики, или же снабжена пленкой пьезоэлектрика, нанесенной на цилинд ио непьеэоэлектрического материала. В случае использования подложки из монокристалла скорость поверхностной волныможет быть различной...

Номер патента: 849447

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Дашенков, Синица, Юревич

МПК: H03H 9/64

Метки: акусти-ческих, волнах, поверхностных

...с частотными характеристиками без пульсаций.Таким образом, технико-экономические преимущества предлагаемого изобретения по сравнению известными заключается в возможности частотно-независимого подавления сигналов, испытывающих тройное прохождение более 50 дВ по отношению к сигналу, испытывающего однократное прохождение и расширение области применения данного устройства нв ПАВ. Формула изобретения Устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезоэлектрический звукопровод, входной преобра зователь и расположенные в разных акустических каналах первый и второй выходные цреобразователи, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью частотно- независимого подавления сигналов, испытывающих тройное прохождение, продоль ная осьсимметрии...

Номер патента: 859880

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Егоренков, Жуковский

МПК: G01N 19/02

Метки: исследования, поверхностных, свойств

...3 и 4. На боковой поверхности кожуха 10 выполнены прорези 11, в которых располагаетсяконтробразец 9. Для уменьшения отвода тепла из промежутка между образцом 7 и кожухом 10 последний снабжен шторками 12,. Узел нагружения контробразца на чертеже не показан. Устройство позволяет определять фрикционные (трение и износ) и механические (мнкротвердость) свойства материалов в широком интервале температур.Устройство работает следующим образом.Перед началом испытаний вал 2 и кожух 10 прогреваются в термостатах 3 и 4 до тех пор, пока вдоль осн образца 7 не установится нужный градиент температуры.Дальнейшая последовательность операций зависит от цели испытания.При определении фрикционных свойств материалов контробраэец 9 прижимается к...

Номер патента: 860177

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Балакирев, Богданов, Федюхин

МПК: H01L 41/08

Метки: акустических, волнах, параметрический, поверхностных, частоты

...штыревые преобразователи 2 и 3 и слой полупроводника 4. Зазор между пьезоди электрической пластиной 1 и полупроводником 4 обеспечивается за счет диэлектрической пленки 5, расположенной вне апертуры преобразователей 2 10 и 3. На слое полупроводника 4 расположены регулярные металлические полоски 6, параллельные электродам преобразователей 2 и 3. Ширина полосок 6 и расстояние между ними равны дгине 15 синхронного взаимодействия волн. В качестве пьезодиэлектрика может быть использован, например, монокристалл .ниобата лития. В качестве полупроводника - например, монокристалл гер-, мания.Нелинейный параметр дисперсионной среды периодически изменяется вдоль длины слоя полупроводника 4 за счет наличия металлических поло 25 сок 6. При этом...

Номер патента: 860272

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Захарьящев, Сырмолотнов

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волн, генератор, поверхностных

...осей подвижной пластины, что скорость первой ПАВ составляет некоторую среднюю величину на восходящем участке зависимости скорости от угла распространения. Вторая пара преобразователей 4 и 5 развернута на угол р относительно первой пары 2 и3 таким образом, что скорость вто- , рой ПАВ составляет некоторую среднюю величину на нисходящем участке зависимости скорости от угла распространения. При повороте пластины 1 вокруг неподвижной оси в одном направлении происходит увеличение резонансной частоты первой ПАВ и уменьшение частоты второй ПАВ за счетизменения скоростиПредлагаемый генератор ПАВ обеспечивает расширение диапазона перестройки частоты, Получена девиациячастоты порядка 8-10, которая зна-чительно превосходит достигнутый внастоящее...

Номер патента: 860283

Опубликовано: 30.08.1981

Автор: Рождественский

МПК: H01L 41/04, H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...положением воздушного пузыря 5 на поверхности пьезоподложки 1. Акустический луч, распространяющийся по пьезоподложке, имеет ширину, равную апертуре преобразователей и размеру воздушного пузыря 5. Места склейки полуцилиндра 3 с пьезоподложкой 1, а также молекулярный слой жидкости между воздушным пузырем 5 и рабочей поверхностью пьезоподложки 1 вносят незначительное постоянное затухание в линию задержки, порядка 1-3 дБ. Следовательно, начальное затухание в ЛЗ, обусловленное влиянием мест склейки полуцилиндра 3 с пьезоподложкой 1 и 35 молекулярным слоем жидкости между воздушным пузырем 5, перекрывающим: акустический луч, и рабочей поверхностью пьезоподложки 1, не превышает 3 дБ, При изменении пространст О венного положения ЛЗ...