Патенты с меткой «поверхностных»
Способ контроля глубины поверхностных дефектов в объектах из ситаллов
Номер патента: 1721483
Опубликовано: 23.03.1992
Авторы: Дубовик, Ивченко, Непомнящий, Райхел
МПК: G01N 21/88
Метки: глубины, дефектов, объектах, поверхностных, ситаллов
...повышенная температура обработки, достижение которой в случае использования органических в основе люминесцентных жидкостей не представляется возможным, Таким образом, атомы углерода диффундируют в полости дефектов значительно глубже молекул веществ, входящих в состав люминесцентных жидкостей, Это приводит к повышению точности определения глубины дефектов.П р и м е р. Производят дефектоскопию наружной поверхности изделий из кордиеритового ситалла в системе МОО-МпО-АгОзОг-ТЮг. Механическую обработку наружной поверхности изделий осуществляли путем шлифования алмазным кругом 1 А 1 100 х 10 х 3 х 32 по следующему режиму: угловая скорость вращения заготовки 50 об/мин, угловая скорость вращения круга 6000 об/мин, глубина резания 1,0...
Устройство на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1721789
Опубликовано: 23.03.1992
Авторы: Абрамов, Бойченков, Иванов, Петров, Чулин
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, волнах, поверхностных
...апертуры, в котором выполняетсяусловие акустического синхронизма для полосы пропускания выходного ВШП, а егоэлектроды, размещенные по разные стороны от общей шины, включены противофазно.На чертеже показана топологическаяструктура устройства на ПАВ,На пьезоэлектрическом звукопроводе 1размещено звукопоглощающее покрытие 2,входной ВШП 3, выходной ВШП 4 и заме -дляющая фазосдвигающая металлическаяпленка 5. Электроды входного В Ш П 3 объединены сигнальной шиной 6 и общей шиной7. Электроды выходного ВШП 4 обьединеныобщей шиной 8 и сигнальными шинами 9,Входной 3 и выходной 4 ВШП выполненывеерными, Замедляющая фазосдвигающаяметаллическая пленка 5 выполнена трапецеидальной формы,10 Устройство на ПАВ работает следующим образом,При воздействии на...
Двухвходовый резонаторный фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1721791
Опубликовано: 23.03.1992
Авторы: Пасхин, Сандлер, Свешников
МПК: H03H 9/25
Метки: акустических, волнах, двухвходовый, поверхностных, резонаторный, фильтр
...резонатора,Лгде Ьф, = Ьо+ 2 Ьр, и Ьр - "глубина проникновения" ПАВ в отражательные струтуры,Резонаторный фильтр работает следующим образом.Собственные частоты резонатора Ьп)удовлетворяют обычному дисперсионномууравнению2 7 г 1 п)2 .о - 2 Р(1 п =2 ЛГП. (1)Чгде и) - целое;р Щ - фаза коэффициента отражения "зеркал".В дальнейшем будем считать, что.одна из собственных частот, удовлетворяющая уравнению (1), совпадает с центральной частотой полосы эффективного отражения, В этом случае расстояние между "зеркалами" 1 о выражаем из (1): гп Н Я Чо 2 та о Вводя глубину проникновения акустической волны в отражатель 4 3 пр = -(о) 1 Н диэ 4 д д 1 с помощью уравнения (1) легко показать, что набор собственных частот можно представить в видебп о+ гп...
Выключатель для каскадного фильтра на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1721792
Опубликовано: 23.03.1992
Автор: Евдокимов
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, выключатель, каскадного, поверхностных, фильтра
...соединен с второй выходной клеммой 5 для подключения фильтра, первую50 катушку 6 индуктивности, основной выходной ключ 7, содержащий первый диод 8,анод которого соединен с первой выходнойклеммой 9 для подключения фильтра, второй диод 10, катод которого соединен с вто 55 рой выходной клеммой 11 для подключенияфильтра, первую катушку 12 индуктивности,дополнительный входной ключ 13, содержащий третий диор 14, анод которого соединен с третьей выходной клеммой 15 дляподключения фильтра, четвертый диод 16,катод которого соединен с четвертой выходной клеммой 17 для подключения фильтра, вторую катушку 18 индуктивности, дополнительный выходной ключ 19, содержащий третий диод 20, анод которого соединен с третьей выходной клеммой 21 для...
Водоприемник поверхностных вод дренажной системы
Номер патента: 1724803
Опубликовано: 07.04.1992
МПК: E02B 11/00
Метки: вод, водоприемник, дренажной, поверхностных, системы
...верхняя из которых изготовлена с возможностью утапливания в нижнюю неподвижную до уровня днища отстойника, при этом стенки водо- приемной трубы по всей длине выполнены с перфорацией и покрыты фильтром,Такое устройство работоспособно, но плохо очищает поступающую в нее поверхностную воду, что ухудшает эксплуатационную надежность;Целью изобретения является повышение эксплуатационной надежности.Поставленная цель достигается тем, что водоприемник снабжен внутренним отстойником, расположенным концентрично относительно верхней части корпуса с внешней стороны и выполненным в виде перфорированного с фильтрующим покрытием кольцевого цилиндра, помещенного в фильтрующую засыпку, причем верхняя часть корпуса имеет сетчатое покрытие,На чертеже...
Способ контроля устойчивости поверхностных витков и слоев нитей паковки
Номер патента: 1730585
Опубликовано: 30.04.1992
Авторы: Градыская, Линник, Тимощук, Шильдер
МПК: G01N 33/36
Метки: витков, нитей, паковки, поверхностных, слоев, устойчивости
...интеграла сдвиговой деформации торцовых образующих паковки в радиальной плоскости его сечения, проходящей через траекторию скольжения индентора.С целью повышения объективности контроля механическое воздействие к поверхностным виткам и слоям нитей паковки осуществляют при амплитуде, частоте и скорости перемещения индентора, усилии прижима его к поверхности паковки и климатических условиях, соответствующих условиям транспортировки паковок.На чертеже изображено устройство для реализации предлагаемого способа.Процесс контроля устойчивости поверхностных витков нити и слоев паковки выполняют следующим образом.Контролируемую паковку 1 закрепляют в неподвижных держателях 2, К поверхности паковки 1 поджимают с определенным усилием индентор 3,...
Фазовзвешенный встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн
Номер патента: 1730717
Опубликовано: 30.04.1992
Автор: Нелин
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волн, встречно-штыревой, поверхностных, фазовзвешенный
...л 1ап = соз К ЛХд = соз ЛХпЧ где К = 2 х/Л, Л - длина ПАВ;.Ч и 1 - соответственно скорость и частота ПАВ,будут частотно-зависимыми. Частотная зависимость весовых коэффициентов ограничивает точность воспроизведения заданной частотной характеристики, что ухудшает поте н циал ьно достижимую избирательность.Целью изобретения является уменьшение вносимых потерь,Поставленная цель достигается тем, что в фазовзвешенном преобразователе ПАВ, содержащем пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены перекрывающиеся полосковые электроды различной полярности, объединенные соответственно первой и второй суммирующими шинами, причем каждый из электродов выполнен с разделением на две одинаковые первую и вторую части,...
Аттенюатор на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1737704
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Жаров, Малолыченко
МПК: H03H 9/25
Метки: акустических, аттенюатор, волнах, поверхностных
...от них тонкопленочные резистивные нагреватели.На чертеже представлена конструкция аттенюатора на ПАВ.Аттенюатор на ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложку 1, входной 2 и выходные 3 и 4 преобразователи ПАВ и многополосковый ответвитель 5, средняя часть 6 каждого электрода которого (или их части) выполнена из ЧО 2, электропровод- ность которого изменяется скачком при температуре фазового перехода.Контактные площадки 7 служат для подключения внешних источников постоянного электрического тока, которым может быть изменена при необходимости температура и сопротивление полоски 6,В области средней части 6 электродов МПО, выполненных из ЧО 2, расположены электрически изолированные от них посредством диэлектрической пленки 8 тонкопленочные...
Электромагнитно-акустический преобразователь поверхностных волн
Номер патента: 1739280
Опубликовано: 07.06.1992
Авторы: Бабкин, Илясов, Комаров, Рубцов
МПК: G01N 29/04
Метки: волн, поверхностных, электромагнитно-акустический
...полюс и закреплена внутри сердечника 2 (например, приклеена), ЭМА-катушка соединена с дефектоскопом, а намагничивающая катушка - систочником тока (не показаны). ЭМАпреобразователь устанавливают на поверхность исследуемого образца 1.Преобразователь работает следу 15ющим образом,С помощью намагницивающей системыв поверхностном слое образца 4 подкатушкой 1 создают подмагничивающееполе (Фиг. 2). При подаче на катушкувысокочастотного импульса от дефектоскопа (не показан) в образце возбуждается поверхностная волна. В за"висимости от образца это может бытьволна Рэлея, волна Лэмба или волна вслое. Длина волны соответствует периоду решетки Ъ (фиг. 1). Каждый элемент катушки 1 х возбуждает. волну,распространяющуюся в двух противопо"-ф...
Способ изготовления пьезокерамических фильтров на поверхностных акустических волнах по групповой технологии
Номер патента: 1739477
Опубликовано: 07.06.1992
Авторы: Алексеев, Веневцев, Попов
МПК: H03H 3/08
Метки: акустических, волнах, групповой, поверхностных, пьезокерамических, технологии, фильтров
...между электродами - равным или большим расстоянию между элект родами аподизова нного В Ш П.Аналогично выбирают длину, ширину электродов и расстояние между ними в другой группе меандровых структур в соответствии с размерами неаподизованного ВШП фильтра. Апертуру одной из групп ВШС выбирают пропорциональной суммарной длине перекрытий противофазных электродов аподизованного ВШП, расстояние между электродами ВШС - равным расстоянию между противофазными электродами аподизованного ВШП, а ширину электродов ВШС - равной или большей ширине электродов аподизованного ВШП, Аналогично выбирают апертуру, расстояние между электродами и их ширину в другой группе ВШС на основе размеров неаподизованного ВШП фильтра, Под длиной перек р ытий В Ш П Ьи...
Согласованный фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1739478
Опубликовано: 07.06.1992
Авторы: Андреева, Марголин, Петров, Поддубный, Сиротин, Сиротина
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, поверхностных, согласованный, фильтр
...имеющие одинаковую начальную фазу "0", подключены к одной шине, а электроды кодовых групп с начальной фазой П подключены к другой шине, Форма электродов каждой кодовой группы определяется дугами окружностей, концентрическими для кодовых групп одной фазы, т.е. дугами окружностей, проведенных из одного центра(например, П 1). Электроды кодовых групп другой фазы также являются дугами концентрических окружностей, но проведенными из другого центра (П 2), расстояние между центрами определяется в соответствии с условием подобия по формуле где р - угол между нормалью к серединерасстояния 1 между центрами П 1 и П 2;Р- дополнительный фазовый сдвиг коМинимальный радиус гмин электродоввходного декодирующего ВШП 2 следуетвыбирать из условияГминЗП ф...
Устройство для локальной фиксации поверхностных вен
Номер патента: 1741784
Опубликовано: 23.06.1992
Авторы: Борский, Карханин, Кривощеков, Шарлот
МПК: A61B 17/12
Метки: вен, локальной, поверхностных, фиксации
...фиг, 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг, 1 (в ; д нерабочем положении); на фиг, 3 - то же. в 1 рабочем положении; на фиг. 4- общий вид. Ъ. вариант исполнения: на фиг. 5 - устройствоа в работе. 4Устройство для локальной фиксации по- р верхностных вен содержит основание, выполненное в виде камеры 1, имеющей поверхность в виде тела вращения куполообразной формы и выполненной из прозрачного материала, Камера 1 может быть та кже кон ичес кой рорм ыНа рабочем торце 2 камеры 1 выполнена выемка 3. На камере 1 закреплен источник разрежения, выполненный в виде полой эластичной ручки 4, соединенной с внутренней полостью 6 камеры 1 посредством каналов 7, причем у внутренней полости 6 стенка 10 выполнена с толщиной,...
Способ измерения параметра затухания поверхностных магнитостатических волн
Номер патента: 1614671
Опубликовано: 30.06.1992
Авторы: Крышталь, Лисовский, Медведь, Попков
МПК: G01R 33/05
Метки: волн, затухания, магнитостатических, параметра, поверхностных
...10 циркулятор 3. Частота ПАВ Р при которой уровень сигнала отраженной ПИСВ частоты Го " РА максимален, соответст. вует резонансу рассеяния при попутном распространении ПИСВ и ПАВ, это рассеяние происходит в области А исследу емой пленки. Частота ПАВ Г, при которой имеет максимум сигнала частатц Г + Рь, соответствует резонансу рассеяния при встречном распростране нии НИСВ и НАВ, которое происходит в области В пленки. Определив частоту Р (или Р), снимают зависимость уровня сигнала отраженной ПИСВ частоты Г - РА(или й + Р ) от частоты Х 25Ь падающей ПИСВ в окрестности заданной частоты Г. Иащность ПАВ при этом устанавливают не больше той, при которрй ширина измеряемой частотной зависимости уже начинает зависеть от мощности ПАВ. Затем нахоцят...
Бесконтактный датчик поверхностных зарядов и потенциалов
Номер патента: 1744656
Опубликовано: 30.06.1992
Авторы: Грищенко, Демидов, Макарова, Матвеева
МПК: G01R 29/12
Метки: бесконтактный, датчик, зарядов, поверхностных, потенциалов
...каскада, включающая5 10 15 20 25 30 35 40 50 55 емкости Свх, Сзз, См, где Свх - собственная емкость зонда, т.е. емкость с измерительного электрода 1 на исследуемый объект; Сзэ - входная емкость усилителя - это емкость с электрода 1 на электростатический, экран 2; См - емкость соединительных экранированных проводов между зондом и затвором полевого транзистора (емкость монтажа), она сведена к нулю в предлагаемой конструкции датчика,Устройство содержит измерительный металлический электрод 1 с рабочим торцом; размещенным над контролируемой.поверхностью, помещенный в полый электростатический экран 2, и диэлектрическую вставку 3, расположенную между боковой поверхностью металлического электрода и электростатического экрана. В...
Водоприемник бетонной плотины для забора воды из поверхностных слоев водохранилища
Номер патента: 1749368
Опубликовано: 23.07.1992
Авторы: Бычков, Евстратов, Екимов
МПК: E02B 9/04
Метки: бетонной, водоприемник, водохранилища, воды, забора, плотины, поверхностных, слоев
...им, С,Я,Жука":- -"-":. ::.. с (72) Ю.И.Евстратов, В.В.Бычков иЮ;Ф,Еки- с мов:. ., .";". с ,(56) Авторское Свидетельство СССР ."-, в М 523974, кл, Е 02 В 9/04, 1973.(54) ВОДОПРИЕМНЙК БЕТОННОЙ ПЛОТИНЫ ДЛЯ ЗАБОРА ВОДЫ ИЗПОВЕРХНОСТ- . л ЙЫХСЛОЕВ НОДОХРАНИЛИЩА.:-:; " б (57) Изобретение относйтся к гидротехнике; в Оно рещает заДачу йовышения надежности . м работы и упрощения эксплуатации, Водо- "шБ.с . СоставителТехред М,М Редактор И Ю. Евстратгентал О. Кравцова ул Корре Заказ 2570 .Тираж ВНИИПИ Государственного комитета по изоб 113035, Москва Ж, РауПодписноетениям и открытикая наб 4/5 при ГКНТ СССР роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина. 10 7 .1749368 .8те и упрощения эксплуатации, йанайорной ством понтона,...
Устройство для определения напряжений в поверхностных слоях деталей и конструкций
Номер патента: 1756775
Опубликовано: 23.08.1992
Автор: Ялов
МПК: G01L 1/00
Метки: конструкций, напряжений, поверхностных, слоях
...датчик к тензометрируемой поверхности, завинчивая винт 6 и следя за тем, чтобы фиксатор основания датчика 45 был прижат к корпусу 1. Прижатие датчика производят до тех пор, пока его основание 2 неупрется "в поверхность конструкции.Дополнительчо прижимают датчик к корпусу боковым винтом, Присоединяют датчик к 50 измерителю статических деформаций, К нему же присоединяют аналогичный компенсационный датчик, который устанавливают в специальной струбцине. На активный датчик устанавливают гидроэкран 17. В корпус 55 9 устройства для подреза вставляют увлажняющиевставки 16 и соединяют его с корпусом 1, Соединяют гибкий вал 15 с электроприводом, Снимают отсчет на шкале измерителя статических деформаций,Включают электропривод и...
Способ контроля толщины металлических поверхностных слоев
Номер патента: 1758413
Опубликовано: 30.08.1992
Авторы: Зубко, Кулеш, Лугаков, Сакович, Франюк
МПК: G01B 7/00, G01N 27/90
Метки: металлических, поверхностных, слоев, толщины
...согласно способу частотывыбирают по глубине проникновения так,что один раз вихревые токи в изделии возбуждают в слое, заведомо меньшем, чемначало переходного слоя, а другой раз - взаведомо большем, чем глубина переходного слоя.Повышение точности контроля толщины металлического поверхностного слоядостигается эа счет выбора месторасположения катушек для измерения тангенциальной и нормальной составляющейпеременного магнитного поля, а также засчет выбора частот подмагничивания одной с глубиной, заведомо меньшей глубины проникновения переходного слоя. а другой - заведомо большей глубины переходного слоя, что позволяет отстроиться от влияния самого переходного слоя на показания толщины металлического поверхностного слоя.На чертеже...
Система многоэлементного анализа сточных и поверхностных вод
Номер патента: 1762163
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Гогоберидзе, Дзагания, Кахеладзе, Кикошвили, Круашвили, Шульман, Яшвили
МПК: G01N 1/26
Метки: анализа, вод, многоэлементного, поверхностных, сточных
...слива 28 расположен под агрегатом роторных кассет 1, Над вторым рядом кассет 3 с ячейками 27 расположены блоки плунжерных дозаторов 9 с плункерами 29, измерительных преобразователей 11 и трубопровод 30 многоканального пропорционального дозатора 19. Ротор 2 агрегата роторных кассет 1 должен обеспечивать возможность перемещения кассеты 3 в направлении ао от сигналов блока 7 управления электродвигателем через редуктор 5 при помощи электродвигателя 6,Система работает следующим образом.Вытекающая из патрубков 26 трубопровода 25 жидкость непрерывно поступает на первый ряд кассет 3, заполняя ячейки 27, а лишняя жидкость переливается через края ячеек 27, попадая на открытый сверху сливной трубопровод 28 и далее удаляется в окружающую...
Рекурсивный фильтр на поверхностных акустических волнах (пав)
Номер патента: 1762384
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Калашников, Назаренко
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, волнах, пав, поверхностных, рекурсивный, фильтр
...паразитный сигнал появляется на выходе генератора входного сигнала.Целью изобретения является уменьшение искажения формы выходных сигналов,Поставленная цель достигается тем, что в рекурсивном фильтре на ПАВ, содержащем три ВШП, размещенные на пьезоэлектрическом звукопроводе, соответствующие суммирующие шины которых соединены с 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 общим проводом, вторая суммирующая шина первого ВШП соединена с входом устройства, усилитель, фазовращатель, предусмотрены следующие отличия: вторая суммирующая шина второго ВШП соединена с входом усилителя, выход которого соединен с выходом устройства и с входом фазовращателя, выход фазовращателя соединен со второй суммирующей шиной третьего ВШП, первый и третий ВШП размещены в...
Генератор на преобразователях на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1764132
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Гончаров, Караван, Неверов, Нижник, Яцук
МПК: H03B 5/32
Метки: акустических, волнах, генератор, поверхностных, преобразователях
...изобретения является повышение стабильности частоты генератора в режиме перестройки, расширение диапазонаперестройки частоты и задание требуемогозакона изменения частоты генерации от угла поворота пьезоподложки относительнонепьезоэлектрического основания,Указанная цель достигается тем, что вгенераторе на ПАВ, содержащем усилитель,входной и выходной ВШП, расположенныена непьезоэлектрическом диэлектрическомосновании, пьезоэлектрическую пластину,расположенную над преобразователями свозможностью вращения относительно диэлектрического основания с постоянным зазором, не превышающим шага электродовпреобразователей, ВШП выполнены в видеспиральь о изогнутых веерных преобразователей, а пьезоэлектрическая пластина - ввиде прямоугольной...
Рекурсивный фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1764137
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Калашников, Назаренко
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, волнах, поверхностных, рекурсивный, фильтр
...(АЧХ) устройства, что не позволяет осущест передаЧи аттенюатора - к изменению веливлять достаточное подавление внеполос-чины возрастания, На частотах, близких к ныхсигналов при использовании: . резонансной, фазовращательвносит пбсторецйркулятора в качестве полосовогофиль-: янййй фазовый сдвигв "выходной сигналтра:,. - .-. -. устройства, что приводит клинеййымискаЙаиболее близким к изобретению явля жениям спектра входного сигнала (искажеется рекурсивный фильтр на ПАВ, содержа- ния отсутствуют. только в случае линейнО щий два ВШП, размещенные на ;: зависящего от частоть фазового сдвига - . пьезоэлектрическом звукопроводе, соот- .: .задержка сигнала). За пределами полосы ветствующие суммирующие шины которыхпропусканйя фильтра на ПАВ,...
Устройство на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1764138
Опубликовано: 23.09.1992
Метки: акустических, волнах, поверхностных
...м;: : тбте синхроййзма акуСтическая энергия,р, 9 - внешнее и внутреннее попереч- отраженная отражающими структурами 3, ные волновые числа соответственно; .5 ответвляетсявследующую пару связанных1 О - длина участка направленной свя- врлноводов (фиг. 8, эпюра АЧХ в точке "г"), зи, выраженная в длийэх поверхностных Каскадное соедйнение связанных волновоакустических волн.:;: " .. дов увеличиваетвнеполосйое подавление иНа фиг, 1 приведены частотные зави-:приводит краздвоению цейтрального лепесимости: 1 - отражения от отдельной отра стка в точке "д"; Как известно, внеполосное жающей структуры; 11 - . множителя," "подавление в резонаторах типа Фабри-Певозникающего из-за взаимного сдвига двух:роогранйчиваетсяпрямым прохождением с отражающих...
Способ обнаружения сквозных и поверхностных дефектов в полых изделиях
Номер патента: 1770798
Опубликовано: 23.10.1992
Автор: Данченко
МПК: G01M 3/02
Метки: дефектов, изделиях, обнаружения, поверхностных, полых, сквозных
...энергоагрегата, состоящий из соединенных сварными швами 3тонкостенных деталей 2 (труб, переходников, сильфонов и др, элементов), Трубопровод служит для длительного (10 - 15 лет)хранения и транспортировки агрессивного коррозионно-опасного продукта, утечка которого даже в незначительных количествахможет нарушить работу изделия или привести к образованию взрывоопасной смеси. Утечка продукта может происходить через сварные швы 3 или цельный металл деталей 2.В сварных швах 3 показаны возможные разветвления сквозных и несквозных деФектов 4, образуемых с внутренней и наружной поверхности трубопровода 1.Предлагаемый способ обнаружения сквозных и поверхностных дефектов 4 в полых изделиях (трубопроводах) осуществляется следующим...
Устройство для измерения поверхностных деформаций
Номер патента: 1770884
Опубликовано: 23.10.1992
Автор: Фридман
МПК: G01N 27/82
Метки: деформаций, поверхностных
...головками 23 узлов 7 сканирования исследуемого объекта,Как видно из схемы электронного блока по фиг, 2, полярностью подключения потенциальной общей точки запараллеленных диодных делителей 54, 55 и 56, 57 к выходному ВС-звену 58, 59 в преобразовательном канале, связанном с головкой 14 узла 6 сканирования носителя эталонного объекта, противоположна полярности подключения потенциальной общей точки запараллеленных диодных делителей 42, 43 и 44. 45 к КС-ячейками 46, 47 в преобразовательных каналах, связанных со всеми узлами 7 сканирования исследуемого объекта, - что обусловливает питание резистивных делителей 48, 49, 50 узлов сравнения разнополярными потенциалами и выдачу с подвижных контактов потенциометга 50 на раздельные входы...
Способ обнаружения местоположения источника поверхностных акустических волн
Номер патента: 1770892
Опубликовано: 23.10.1992
Автор: Левитан
МПК: G01N 29/14
Метки: акустических, волн, источника, местоположения, обнаружения, поверхностных
...стальной пластины 1 толщиной 3 мм, в ней возникла усталостная трещина, которая является источником сигналов акустической эмиссии. При-выбранном значении толщины пластины волны акустической эмиссии в ней могут распространяться в виде нормальных и поверхностных волн. Таким образом, трещина является источником поверхностных волн. На пластину устанавливают призматический пьезопреобразователь, являющийся направленнымприемником акустических поверхностныхволн 2. Его ориентируют таким образом, чтобы его диаграмма направленности 3 проходила через источник поверхностных акустических волн 4; при этом амплитуда воспринимаемых приемником колебаний будет максимальна. Таким образом, устанавливают, в каком направлении находится источник поверхностных...
Способ определения поверхностных свойств расплавов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1772691
Опубликовано: 30.10.1992
Автор: Харлашин
МПК: G01N 13/02
Метки: поверхностных, расплавов, свойств
...смещение, установлены две фотокамеры на чертеже условно не показаны),С противоположных сторон в горизонтальной плоскости к корпусу 3 перпендикулярно смотровым окнам 8 приварены симметричные камеры 11 коробчатого типа с выкуумноплотно закрывающейся крышкой 12 для размещения, хранения и подачи подложки 13, которая размещена на механизме ее подачи 14, установленной внутри камеры 11 на направляющей 15, установленной на основании камеры 11,Механизм подачи 14 выполнен из тугоплавкого материала; например, молибдена, в виде плоского кольца с наружнымбуртом, соединенного из двух секций - большей 16 и меньшей 17.Механим подачи 14 снабжен ограничительным ребром 18 и втулкой 19, соединенной с осью вращения 20, оканчивающейся винтовой...
Частотный дискриминатор на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1774466
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Абрамов, Бондаренко, Опарин, Петров
МПК: H03D 3/00
Метки: акустических, волнах, дискриминатор, поверхностных, частотный
...дискриминационной характеристики от линейной формы, В самом способе получе ния дискриминационной характеристики уже заложена неточность, так как используется аподизация эквидистантных ВШП, которая в принципе лишь приближенно обеспечивает треугольную форму АЧХ полосовых фильтров, составляющих дискриминатор, Кроме того, аподизирующие функции должны быть неограниченными во времени, с быстро уменьшающимися по амплитуде боковыми лепестками. Но, так как преобразователи имеют конечную протяженность, приходится использовать один центральный лепесток аподизирующей функции. Такое,усечение вызывает дополнительное отклонение АЧХ полосовых фильтров от треугольной формы, т.е. дополнительное ухудшение точности демодуляции. Использование...
Способ исследования влияния поверхностных свойств пористой среды на фильтрацию нефти
Номер патента: 1775554
Опубликовано: 15.11.1992
Авторы: Газизова, Ишмурзина, Ковалева, Овсюков, Репин, Саяхов
МПК: E21B 43/22, E21B 47/10
Метки: влияния, исследования, нефти, поверхностных, пористой, свойств, среды, фильтрацию
...Далее модель пласта с остаточной нефтью разрезается на элементы и производится качественный П р и м е р. Для создания модели пласта взяли полихлорвиниловую трубку длиной 1 м и диаметром 0,022 м, засыпали в нее кварцевый песок фракции 0,1 б,25 мм общей массой, равной 0,7 кг и уплотнили его равномерным постукиванием по всей длине трубки, после чего оба конца трубки закрыли штуцерами,Приготовленная модель пласта устанавливается в стенде насыщения нефтью и подключается к гидравлической схеме (рис.1). Затем азот под давлением 0,2 МПа из баллона 1 подается в колонку 3 с водой, последняя, в свою очередь, вытесняет дегазированную нефть Арланского месторождения вязкостью 15 МПа с и плотностью 0,893 кг/м из колонки 4 в модель 6, Давление на...
Способ элементного анализа поверхностных слоев твердых тел
Номер патента: 1777187
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Миловзоров, Шерозия, Шишлаков
МПК: H01J 49/14
Метки: анализа, поверхностных, слоев, твердых, тел, элементного
...уровень увелицивает вероятность ионизации атома при взаимодей- щ ствии с поверхностью распыленного , образца. Взаимодействие в этом слуцае происходит на расстоянии от поверхности, равном 1"104 А, так как ра" диус орбиты возбужденного электрона зависит от главного квантового числакак г п и при и= 85 составляет около 1 мкм, Таким образом, при переводе атома в высоковозбужденное состояние вероятность его ионизации рас тет с уменьыением высоты и шириныпотенциального барьера.Вероятность Р; ионизации атома при воздействии лазерного излуцения И 2 - вероятность ионизации врезультате взаимодействия с поверхностью, равная ко" эффициенту прохождения потенциального барьера Р.При .знацениях ., интенсивности излуцения лазера 11 яо...
Дисперсионное устройство на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1777232
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Забузов, Литвиненко, Чулин
Метки: акустических, волнах, дисперсионное, поверхностных
...расположенияпассивных и активных электродов выбраныодинаковыми.На чертеже показана конструкция дисперсионного четырехполюсника на ПАВ,Дисперсионный четырехполюсник наПАВ содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, на рабочей грани которого расположены входной ВШП, выполненныйнаклонным и неэквидистантным, и выходной эквидистантный ВШП 2, рабочие апертуры которых вдоль направленияраспространения ПАВ совпадают, Наклонный неэквидистантный ВШП содержит активные 3 и пассивные 4 электроды.Пассивные электроды 4 размещены вдольпродольной оси входного ВШП, начиная отпоследнего его активного электрода в сторону выходного В Ш П 2, Активные электроды 3 одной фазы входного ВШПподключены к токопроводящей шине 5, аактивные электроды 3 другой фазы и...