Патенты с меткой «поверхностных»
Способ возбуждения нормальных или поверхностных волн в среде
Номер патента: 1396043
Опубликовано: 15.05.1988
Авторы: Егоров, Никифоров, Харитонов
МПК: G01N 29/04
Метки: возбуждения, волн, нормальных, поверхностных, среде
Устройство для измерения глубины поверхностных дефектов
Номер патента: 1397699
Опубликовано: 23.05.1988
Авторы: Белоконь, Иорш, Новобранец, Тишевич, Трубачев, Фадеева
МПК: G01B 5/18
Метки: глубины, дефектов, поверхностных
...16 с маховичком 17 и Фиксатором 18,Устройство для измерения глубиныповерхностных дефектов работает следующим образом,Устройство опорами 2 устанавливается на контролируемый объект 19 таким образом, чтобы измерительная игла 4 находилась над измеряемым участком поверхности, Путем отжатия Фиксатора 18 и поворота маховичка 17 эксцентрикового узла 16 перемещают ползун 7 до тех пор, пока стрелка индикатора 3 не будет показывать нулевое значение, Ползун 7 фиксируется посредством механизма 8 Фиксации. В результате приведения в действие механизма 6 перемещения упругий элемент 5 за счет поворота относительно подвески 10 выводится из-под конца измерительной иглы 4 и удерживается в этом положении Фиксаторо. 13, который взаимодействует с :".опк .й 14...
Автогенератор на линиях задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1406705
Опубликовано: 30.06.1988
Авторы: Ковалев, Огурцов, Сафонов, Эпинатьев
МПК: H03B 5/32
Метки: автогенератор, акустических, волнах, задержки, линиях, поверхностных
...со входа второго усилителя 2 через взаимный двухполюспик 1 связи поступают на вход первого усилителя . Это приводит к захвату колебаний первой и второй автоколебательных систем, в результате чего устанавливается единая частота н, изменения которой от температуры определяются амплитудами колебаниии 1. на входах первого и второго усилителей, временами задержек Т и Т соответственно первой и второй линий 5 и 6 задержки на ПАВ, и температурными коэффициентами задержки а и а соответственно первой и второй линий 5 и 6 задержки на Г 1 АВ. Взаимная синхронизация обеспечивает синфазность колебаний первой и второй автоколебательных систем в некоторой полосе расстроек между их автономными частотами в и 1 о Эта полоса синхронизма тем больше,...
Способ определения максимального теплового эффекта поверхностных процессов разрушающегося теплозащитного материала
Номер патента: 1413502
Опубликовано: 30.07.1988
Авторы: Иванов, Клишин, Мельников, Пасичный, Полежаев, Фролов, Цыганенко
МПК: G01N 25/44
Метки: максимального, поверхностных, процессов, разрушающегося, теплового, теплозащитного, эффекта
...максимального теплового эффекта поерхностных процессов материалов на основе кварцевого стекла.С целью исключения влияния пол упрозрачности на прогрев и разрушение кварцевого стекла для экспериментов используют легированную кварцевую стеклокерамику (например, добавка 0,5 - о" окиси хрома увеличивает степень черноты материала до 0,83 и исключает лучистую составляющую теплопереноса в условиях конвективного нагрева).В зависимости от диаметра высокотемпературной струи и распределения параметров по ее сечению выбирают соответствующий диаметр образцов исследуемого материала (10 1 О м) и длину 4010 з). Выбирают режим нагрева таким образом, чтобы энтальпия торможения в потоке газа была выше 8000 кДж/кг (12300 кДж/кг), на котором...
Способ защиты горных выработок от притока поверхностных вод
Номер патента: 1425330
Опубликовано: 23.09.1988
Автор: Никифоров
МПК: E21C 41/04
Метки: вод, выработок, горных, защиты, поверхностных, притока
...подработке русла реки, гралцы русла реки и расчетные границы оны влияния от подработки; на фиг,2 - ,оложение слабопроницаемого слоя и ременного водотока непосредственно еред началом подработки; на фиг.3 1 оложеиие лавы и русла реки после одработки.Способ осуществляется следующимбразом,Перед разработкой полезного искоаемого 1 под руслом реки 2 в граниах 3 определяют положение Расчетных раниц 4 зоны влияния от подработки, атем устраивают слой 5 слабопрониаемого материала, мощностью в любой очке подрабатываемой поверхности, авной расчетному оседанию земной поерхности для этой же точки, по плоади, оконтуренной границами 3 русла еки 2 и расчетными границами 4 зоны лияния от подработки. Одновременно 1 страивают временный водоток 6 речцого...
Устройство для бесконтактного измерения поверхностных распределений зарядов
Номер патента: 1427309
Опубликовано: 30.09.1988
Авторы: Вислова, Грищенко, Матвеева, Науменко
МПК: G01R 29/12
Метки: бесконтактного, зарядов, поверхностных, распределений
...потенциала в соответствии с кривой 11,представленной на фиг, 3.Устройство для бесконтактного измерения поверхностных распределенийзарядов работает следующим образом,Зондовый. датчик 1 перемещаетсявдоль поверхности носителя 2 зарядного рельефа, На измерительных электродах зондового датчика 1 индуцирует"ся сигнал, связанный с распределениемисследуемого поверхностного заряда.Сигналы, индуцированные на измерительных электродах зондового датчикапоступают на входы аттенюаторов 3и подаются с первого центрального иостальных нечетных электродов на неинвертирующий вход, а с четных - наинвертирующий вход сумматора 4. Сиг"нал с выхода сумматора 4 подается наиндикатор 5.Весовая функция, с которой складываются сигналы, определяется затуханием...
Устройство для измерения параметров поверхностных волн водоемов
Номер патента: 1434256
Опубликовано: 30.10.1988
Авторы: Абасов, Барков, Гостев, Мелик-Есаянц, Рудаков, Чиквиладзе
МПК: G01C 13/00
Метки: водоемов, волн, параметров, поверхностных
...З С НЯЗЬ Р СОСТОИТ Иэ СВЯЗаННЫХ ,;.ел 1 У собой бысгросьемными упругимк элементами жестких трубок вцутрет,нке полости которых герметичны, 3Ос пересечения кардацного подвеса 13 совпадают с центром измерительного буя 1:, это создает. При наклонах буя накболее благоприятнь.е условия для сохраненич карданным подвесом а 3 вертикали, кроме того, форма наружной поверхности датчика 3 и размеры его и кабельной линки б (диаметр макетного образца датчика 45 мм, высота 220 м, циаме пр кабеля 5 мм) обе спечцвают пинимальное СОротявлениеперемещению датчика в воде, которая в то же время, является естественной демпфирующей средой, вследствие этодатчи; 3 при зоздействии на буй горизонтальных нагрузок имеет минимальное откпонение от вертикали....
Устройство для очистки поверхностных проточных вод от нефтепродуктов и механических загрязнений
Номер патента: 1437478
Опубликовано: 15.11.1988
Авторы: Быков, Ильин, Ланина, Трунин
МПК: E02B 15/04
Метки: вод, загрязнений, механических, нефтепродуктов, поверхностных, проточных
...рекиЬк(м); Ь и йк - глубина реки и струе- направляющего канала (м).Ширина струенаправляющего канала 4 = 0,2 м определена исходя из условия механизированной его очистки, аЬрширина ЬЬР -- (м) - иэ условияЬкзначения скорости движения воды в канале, обеспечивающей поступление и задержание загрязнений в очистчой емкости в том случае, если это не обеспечивается скоростью и расходом воды в реке.Длина струенаправляющего канала (1) изменяется.в пределах от 0,5 м до 1 к1 0 Ь(м) . При длине канала(менее 0,5 м иэ экспериментальных опытов не будет Формироваться поток воды, обеспечивающий поступление загрязнений в очистную часть сборной емкости, выполнение же канала длиной более 1 О Ь(м) приведет к бесполезному увеличению капитальных эат рат, так...
Устройство для измерения высоты поверхностных волн
Номер патента: 1439406
Опубликовано: 23.11.1988
Авторы: Запевалов, Христофоров
МПК: G01C 13/00
Метки: волн, высоты, поверхностных
...регулируемых линий задержки соединены с входом сумматора 5 через интерфейс, согласующий магнитный накопитель с миня- ЭВМ сумматора (не показан),Измеритель 4 Фаэовой скорости выполнен в виде двух волнографов 7 и блока 8 вычисления времени задержки (например, ЭВМ "Электроникаф).55 Волнографы 7 аналогичны волнографам 2 и расположены вдоль прямой, в направлении которой ориентирована одномерная антенная решетка 1. Для стыковки волнографов 7 с блоком 8 (а также волнографов 2 и линий 3 задержки) могут быть использованы стандартные аналого-цифровые преобразователи (АЦП) 9, например, типа Ф 4880 или Ф 7077/2 и интерфейсные платы (не показаны), Выход блока 8 вычисления времени задержки является выходом измерителя 4 и соединен с входом...
Способ измерения угла наклона поверхностных трещин
Номер патента: 1442898
Опубликовано: 07.12.1988
Авторы: Давыдов, Денель, Шатерников, Шкатов
МПК: G01N 27/20
Метки: наклона, поверхностных, трещин, угла
...5 и б при втором измерении. к - угол наклона трещины относительно нормали к поверхности; Ь - глубина трещины, Ь = БО; О - "устье" окончания трещины. П р и м е р. Выполнение измерения угла наклона поверхности трещины.К контролируемому иэделию с помощью электродов 1 и 2 подводят постоянный ток заданной. величины (фиг. 1), Ток направляют так, чтобы силовые линии его проходили поперек оси Б-Б трещины. Проводят первое измерение. Устанавливают измерительные электроды на поверхность на Фиксированном расстоянии между ними, равном Х. Ось трещины Б-Б проходит между электродами на расстоянии А от измерительного электрода 3 по ходу 5 10 15 20 25 силовых линий электрического тока. Измеряют микровольтметром падение напряжения 11, между электродами 3 и...
Устройство для измерения ширины и глубины поверхностных дефектов
Номер патента: 1446439
Опубликовано: 23.12.1988
Авторы: Иванов, Коняхин, Шагинян
МПК: G01B 3/00
Метки: глубины, дефектов, поверхностных, ширины
...10 подпружинена к стенке окна д 0 6 пружиной 15. На верхней части 1 рядом с кареткой 10 установлен корпус 16 с возможностью возвратно-поступательного переменения вдоль шкалы 13 каретки 1 О и совмещения его нуля с нулем шкалы 13 каретки 10 на всем диапазоне перемещения последней, Для упрощения совмещения нулевых делений шкалы 13 каретки 1 О и нониуса 6 каретка 10 содержит упор 17. Каретка 10 и нониус 16 соединены с верхней50 частью 1 с помощью подпружиненных винтов 18, Дпя удобства перемещения нониуса 16 вдоль шкалы 13 каретки 10 на нем жестко укреплена рифленая кнопка 19. На верхней части 1 установлены кронштейн 20 с окуляром 21, содержаним линзу 22 и микрометрическую шкалу 23 цля измерения глубины дефектов, и фонарь 24 с...
Устройство для отвода поверхностных вод из микропонижений
Номер патента: 1449634
Опубликовано: 07.01.1989
Авторы: Габричидзе, Разумовская, Шатберашвили
МПК: E02B 13/02
Метки: вод, микропонижений, отвода, поверхностных
...и верхнимклапаном 12, отверстия 13 и 14 дляпоступления воды при высоких горизонтах с затворами, опорную плиту15 для сильфона 3 (или гибкой емкости с защитной сеткой) и стойки-упо"ры 16.Устройство работает следующим об"разом.В случае малой глубины воды в пониженной части местности или в"блюдце" процесс сброса воды начинается с погружения устройства в воду.Через обратный клапан 1 вода начинает поступать по трубе 2 в сильфон 3и одновременно в выходящую ветвь сместным сужением 4, затем емкость 5поднимают до максимального уровня,фиксируют упорами 6 и сверху в емкость 5 заливают воду (отверстия13 и 14 закрыты, клапан 1 закрыт),гибкая труба 7 сифона навешиваетсяна вспомогательную стойку-штатив 8ступенями постепенно вверх. Нижнийклапан 9...
Способ контроля поверхностных дефектов горячих слябов
Номер патента: 1453311
Опубликовано: 23.01.1989
Авторы: Олифиренко, Павленко, Урусов, Эмитрук
МПК: G01N 29/00
Метки: горячих, дефектов, поверхностных, слябов
...контролируемогоучастка уменьшает затухание ультрарвука, улучшает условия выявления опгического сигнала оптическим преобразователем, увеличивает коэффициентпреобразования оптической энергии вультразвук. Кроме того, в формировании сигнала участвует только тонкийохлажденный приповерхностный слой.При этом помехи, возникающие от внутренних дефектов, от поверхностныхдефектов, расположенных вне контроли"руемой эоны и от стенок сляба, исчезают.Способ осуществляется следующимобразом.Перед контролем труда 11 располагается перед контролируемой зоной. Лазер 1 направляют в точку 9 контролируемой зоны с одного края поверхности сляба 6, а лазер 4 - в точку 10 с другого края сляба 6. Импульсы от лазера 1 возбуждают УЗК в точке 9. Последние...
Способ контроля поверхностных дефектов горячих слябов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1453317
Опубликовано: 23.01.1989
Авторы: Змитрук, Олифиренко, Павленко, Урусов
МПК: G01N 29/04
Метки: горячих, дефектов, поверхностных, слябов
...2. Диффузно отраженное излучение принимается оптической системой 4 (светофильтр-объектив) оптического преобразователя 3 и попадает на плоскостьзеркала 18 блока поворотного отражателя 5. Отраженный луч блоком 6 фото- датчиков расщепляется на четыре луча,которые попадают на схемы 7 сравнения, а разностные сигналы с выходов последних через усилители 8, фильтры 9 высоких частот, выделяющие сигналы УЗК, схемы 10 согласования, импульсные трансформаторы 11, мостовыесхемы 12, схему ИЛИ 13 попадают нарегистрирующий прибор 14. При этомиз сигнала устраняются случайныепомехи, связанные с изменением интенсивности диффузно отраженного луча (влияние окалины и др.).лазера 1 непрерывного действия.В процессе работы устройства возможны различного рода...
Способ определения степени наклепа поверхностных слоев металлов и сплавов
Номер патента: 1462160
Опубликовано: 28.02.1989
Автор: Коробков
МПК: G01N 3/54
Метки: металлов, наклепа, поверхностных, слоев, сплавов, степени
...ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТЕПЕНИ НАКЛЕПА ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МЕТАЛЛОВИ СПЛАВОВ(57) Изобретение относится к измерениям механических свойств материалов, а именно к измерениям твердости поверхностных слоев. Целью изобретения является расширение номенклатуры исследуемых материалов засчет определения степени наклепа,вызванной растворением в поверхностныхслоях примесей внедрения. Нагреваютобразец, измеряют зависимость микротвердости его от температуры и потемпературе в точке излома этой зависимости судят о степени наклепа.1 ил. Я дят температуру первой точки изломаэтой зависимости, которая являетсятемпературой начала динамического деформационного старения материала(точка Т 1 кривая 1) и, сравнивая этозначение с температурой, аналогичнойточке испытания того...
Датчик микроперемещений на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1469351
Опубликовано: 30.03.1989
Автор: Сырмолотнов
МПК: G01B 17/00
Метки: акустических, волнах, датчик, микроперемещений, поверхностных
...травления. Входной ВШП 26 состоит из пластины 29и электродов 30 аналогичных деталям27 и 28 конструкции. Указанные формыэлектродов и канавки выбраны для повышения эффективности преобразования ПАВ.Устройство работает следующим образом,В среднем положении каретки 6 ипьезопластины 10 входной ВШП 25 возбуждает через воздушный зазор первуюПАВ, которая распространяется вдольповерхностного слоя верхней грани(фиг.1) пьезопластины 10, проходитчерез сопрягающую поверхность на левую грань и достигает выходной ВШП 13за времяТУгде Ь, - расстояние между ВШП 25 и 13по поверхности пьезопластины 10;Ч - скорость ПАВ.Аналогичным образом вторая ПАВ возбуждается входным контактным ВШП 26, распространяется вдоль поверхностного слоя нижней грани...
Способ определения параметров развития поверхностных усталостных трещин
Номер патента: 1481590
Опубликовано: 23.05.1989
МПК: G01B 7/16
Метки: параметров, поверхностных, развития, трещин, усталостных
...электрического шума, сформированная величина двоичного кода бу.дет отличной от величины двоичногокода, сформированного в моменты опроса вершин последовательности пря 1моугольных импульсов на участках,в которых в данный момент временинет электрического шума. Выбираяаналого-цифровой преобразователь спреобразованием по методу поразрядного уравновешивания, добиваютсяуменьшения значения амплитуды электрического шума, полученной в двоичном коде, вследствие потери значащих "1" при максимальной амплитуденормированного выходного сигнала и"О" при минимальной в разрядах сформированного двоичного кода на еговыходе. В основе метода поразрядногоуравновешивания лежит сравнение выходного сигнала внутреннего цифроаналогового преобразователя с входным...
Способ измерения скорости поверхностных акустических волн
Номер патента: 1490501
Опубликовано: 30.06.1989
МПК: G01H 5/00
Метки: акустических, волн, поверхностных, скорости
...волну и но пов на мо Ы. в исследуе- поверхностматериалаасстояний о к, чизлуч ом змен яю ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И 07 НРЫТИПРИ ГКНТ СССР ВТОРСНОМУ СВИ(56) Авторское свидетельство ССВ 1298549, кл. С О Н 5/00, 1 98 Изобретение относится кским измерениям и может бытэовано для измерения скоросверхностных акустических вов частности, в пьеэоэлектричматериалах.Цель изобретенияности измерений за счпазона изменения частемой ПАВ к разности р мников соответствовала условию озможные знаости ПАВ в иатериале;тносительная погреость измерения часповерхностной ак. Т. -(д 1.) где1,2,,и- номер диапазона, причем ЧмннпсЧ макс Чмин Г с(1 + 1/2)Чмакса 1. - д(аТ.) ам соответствующую минимсуммарного сигнала.Скорость ПАВ опред 0 м яют п где1,2 п...
Способ послойного неразрушающего контроля параметров поверхностных слоев ферромагнитных материалов
Номер патента: 1492325
Опубликовано: 07.07.1989
Авторы: Венгринович, Дегтерев, Зубко, Клюев, Цукерман
МПК: G01N 27/83, G01R 33/12
Метки: неразрушающего, параметров, поверхностных, послойного, слоев, ферромагнитных
...зависимость 1. Затеи электролитической полировкой удаляют верхний слой до толщины Ь. Повторно снимают зависимость 11. Эти операции повторяют вплоть до полного стравливания закаленного слоя, По мере удаления закаленного слоя кривые 1(1.) приближаются к кривой , полученной на основном металле. Имея набор кривых Ч(1), строят зависимости 1 от Ь при различных помехах 1. н логарифмических координатах, Получают линейные зависимости, тангенсы угла наклона которых равны 7 Затем строят зависимости 7, Особенность этих зависимостей н том, что они немонотонны, По этому для одно з нач ности решения амплитуду поля следует ограничить диапазономПри изменении амплитуды тока перемагничинания в преобразователе 5 возникает шумовой процесс, параметры...
Фильтр на поверхностных магнитостатических волнах
Номер патента: 1501198
Опубликовано: 15.08.1989
Авторы: Вашковский, Локк, Щеглов
МПК: H01P 1/218
Метки: волнах, магнитостатических, поверхностных, фильтр
...зависит от частоты: траектории ПМСВ более низких частот искривляются сильнее, Расположение выходного преобразователя 3 на пути ПМСВ, частота которых лежит между областями высоких и низких частот, обеспечивает селективность фильтра на ПМСВ.Изменение расстояния между стержнем 4 и поверхностью магнитной пленки 1 позволяет изменять глубину области с локальным неоднородным магнитным полем и тем самым перестраивать полосу пропускания фильтра на ПМСВ. Увеличение расстояния а между проекциями центров входного 2 и выходного 3 преобразователей позволяет дополнительно повысить селективность фильтра на ПМСВ.Открытый доступ.к ПМСВ на всем пути ее следования позволяет расширить функциональные возможности фильтра, например реализовать многоканальный...
Способ определения поверхностных деформаций образцов
Номер патента: 1516759
Опубликовано: 23.10.1989
Авторы: Горохов, Дульцева, Житков, Никулина, Овчинникова
МПК: G01B 7/16
Метки: деформаций, образцов, поверхностных
...при неподвижном зонде 5 точки равного потенциала наизолинии находят передвижением зонда6 вдоль силовой линии да тех пор, пока отсчет по гальванометру 8 не станет равным нулю, далее перемещаютопорный зонд 5 вдоль одного из непод-ключенных к источнику 4 электродовв новую краевую точку и повторяютсканирование поля зондом 6, при подключении к источнику второй пары электродов уже зонд 6 становится опорным,а зонд 5 - сканирующим.На фиг. 1 пунктиром показана исход.ная ортогональная сетка изолиний, получающаяся до нагружения образца,при однородном электропроводном покрытии по результатам таких измеренийраспределения электрического потенциала при последовательном подключениипротиволежащих пар электродов 2 кисточнику 4При нагружении...
Способ контроля поверхностных деформаций и устройство для его осуществления
Номер патента: 1516942
Опубликовано: 23.10.1989
МПК: G01N 27/82
Метки: деформаций, поверхностных
...генератора 30 гармонических сигналов после преобразования в прялоугольную форму через ключевой упранляемьп каскад 32 поступает ца магнитные головки 20, 21 ц 27.1-27,М, цацосящце на магцитць.е носители 24 и 28 магггитцьге метки.масле цацессшя меток трехканальныйй трехпозициоццый переключатель 41 ус.агганггивают н первую позицию и осуществляют нагружецие контролируемого объекта 29, что вызывает го деформацию, а следовательно, и смешение маггцтгых меток.Грц сканиронании этих леток магнитггай гела кой "7 сигнал поступает ца схему ИЛИ 47, сул.мируясь с сигцалом от магнитной головки 21 Импульсы с магцитцай гаг:овкц 20через илятульсцыг 1 ус илптеггь 43 поступают на генератор 44 жггущей вертикапьцой развертки, вызывая атклецешгс...
Устройство для забора воды из поверхностных источников
Номер патента: 1527383
Опубликовано: 07.12.1989
Авторы: Журба, Львов, Мезенева, Чудновский
МПК: E03B 3/04
Метки: воды, забора, источников, поверхностных
...К 554 СА 2 или собрать их на операционных усилителях (например К 140 УЛ 1 Б)В качестве счетчика поворота барабана, а также таймера используются серийные микросхемы К 155 ИЕ 7. Оба эадатчика реализованы на переключателях, например П 2 К.Логическая часть блока управления выполняется на серийных интегральных микросхемах (например, серии К 155) и включает в себя логические элементы И-НЕ, трактируемые Р-тригеры, дешифратор, элементы усиления. Принципиальная электрическая схема логической части проектируется с использованием известных инженерных методов синтеза цифровых автоматов.Кроме того, блок 17 управления может быть реализован на любом программируемом устройстве автоматики: программируемом контроллере, микро процессорном наборе,...
Устройство для забора воды из поверхностных источников
Номер патента: 1528873
Опубликовано: 15.12.1989
Авторы: Журба, Мезенев, Мезенева, Степанов, Чудновский
МПК: E03B 3/32
Метки: воды, забора, источников, поверхностных
...3 расположена наклонная от центра к периферииперегородка 11 с калиброванными отверстиями 12, при этом корпус надперегородкой выполнен на внутреннейповерхности с битерами 13 и имееткольцевое отверстие 14 для выпускаосадка.55Устройство для забора воды работает следующим образом,При включенном насосе 5 вода поступает в корпус 1 снизу и, пройдя пуса 1 в нижнюю, Зерна фильтрующейзагрузки медленно перемещаются вкорпусе 1 и, дойдя до перегородки11, расположенной наклонно от центрак периферии, выталкиваются через калиброванные отверстия 12, имеющиесяв перегородке, в верхнюю часть корпуса 1, в которой зерна фильтрующейзагрузки свободно всплывают вверх и,ударяясь о битеры 13, очищаются отвзвеси и эжектируются по центральнойтрубе 7 в нижнюю...
Способ термоэлектрического контроля поверхностных слоев материалов
Номер патента: 1529092
Опубликовано: 15.12.1989
Авторы: Кузнецов, Мельников, Семенов, Трояновский, Трушкевич, Филиппович
МПК: G01N 25/32
Метки: поверхностных, слоев, термоэлектрического
...в процессе перемещения. Определяют как мгновенные значения термоЭДС, так и ее среднее значение эа цикл перемещения, соответствующее размеру контролируемой поверхности в1529092 Составитель Ю.ПетренкоТехред Л.Сердюкова Корректор С.Черни Подписное Редактор С.Лисииа Заказ 7633/38 Тираж 789 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина, 101 направлении сканирования. При необходимости контроля поверхностного слоябольшей или меньшей глубины с помощьюмеханизма сканирования соответственноуменьшают или увеличивают скоростьотносительного перемещения изделия иэлектродов, При этом пользуются заранее полученными...
Датчик для измерения поверхностных трещин
Номер патента: 1118160
Опубликовано: 30.12.1989
Авторы: Алексеев, Базжин, Гордеева, Зверев, Храковский, Цикунов
МПК: G01B 7/16
Метки: датчик, поверхностных, трещин
...сжатияЦелью изобретения является повышение точности измерений параметров развития поверхностных трещин при большом числе отрываемых петель.Укаэанная цель достигается тем, что. датчик для .измерения поверхност-ных трещин содержащий диэлектрическую подложку, чувствительный элемент, состоящий из последовательно расположенных и соединенных секций, каждая из которых содержит два резистора, включенных параллельно, бдин иэ которых выполнен в виде петли, и защитное покрытие, снабжен вторым чувствительным элементом, петли резистора которого входят в промежутки между петлями резистора первого чувствительного элемента.На фиг.1 изображен общий вид датчика; на фиг.2 - электрическая схема измерения; на фиг.3 - формы сигнала, зарегистрированные на...
Устройство для измерения глубины поверхностных трещин в проводящих материалах
Номер патента: 1536289
Опубликовано: 15.01.1990
Авторы: Демишкевич, Комарова, Кущ, Пепеляев, Сопильник, Суменкова
МПК: G01N 27/20
Метки: глубины, материалах, поверхностных, проводящих, трещин
...зонда, н то время как потенциальный зонд отслеживает фоновый уровеньна бездефектной поверхности, определяемый величиной электрической прово.димости материала. Тем самым образована компактная система из двух зондов, которая имеет малую площадьконтроля и зонд потенциального типаконтактирует с поверхностью объектанепосредственно вблизи от зонда градиентного типа.Зонд потенциального типа малочувствителен к трещинам, перпендику 55лярным оси зонда градиентного типа,но позволяет замерить потенциал научастке, непосредственно примыкающемк контролируемому участку,89Оптимальные соотношения между ги г, отвечающие требованию максимальной чунстнительности, определеныэкспериментально г = (0,45-0,б)г, . Устройство работает следующим обр...
Способ лечения поверхностных кератитов
Номер патента: 1540820
Опубликовано: 07.02.1990
Автор: Пильганчук
МПК: A61F 9/00, A61K 31/721
Метки: кератитов, лечения, поверхностных
...мазь, аутокровь с гамма-глобулином под конъюнктиву, хинин, тавегил. Это лечение больной получал на протяжении 15 дней. Острота зрения правого глаза равна 1,0. Острота зрения левого глаза - 0,75. При этом слезотечение, светобоязнь уменьшились. Инфильтрация роговицы выражена меньше. Зрачок широкий. Рефлекс глазного дна виден четче. Такой офтальмостатус держался 5 дней. После одной инстилляции 10 О;-ного раствора реополиглюкина на физиологическом растворе острота зрения через 30 мин повысилась до 0,95. (с 0,75). Инстилляция (по 2 капли 3 раза в день) раствора реополиглюкина были добавлены к проводимому лечению известными препаратами. Через 3 дня светобоязнь, слезотечение, отек век почти прошли. Значительно уменьшился отек роговицы, ее...
Устройство для определения фазовой скорости поверхностных волн
Номер патента: 1543229
Опубликовано: 15.02.1990
Авторы: Запевалов, Христофоров
МПК: G01C 13/00
Метки: волн, поверхностных, скорости, фазовой
...1 устанавливают вертикально так, чтобы их нижние концы55всегда были погружены в воду. Высотаперфорированных цилиндров 1 выбирается такой, чтобы при прохождении волн максимальной высоты их верхний конец оставался над водой. Диаметр перфорированных цилиндров должен быть меньше в 10 и более раз минимальной длины исследуемых волн. Расстояние между перфорированными цилиндрами 1 устанавливается в пределах от яетверти длины измеряемой волны до половины длины.Поплавки 2 выполняют из пенопласта в форме дисков, Диаметр поплавков 2 на 10 Х меньше внутреннего диаметра перфорированных цилиндров 1. Направляющие 3 выполняются в виде натянутых тросов, проходящих через центр перфорированного цилиндра 1 и центр поплавка 2, К поплавкам 2 прикреплены...
Устройство для определения поверхностных свойств расплавов
Номер патента: 1543299
Опубликовано: 15.02.1990
Авторы: Каплан, Кононова, Лебедев, Литовский, Некрасов, Панкратов, Петухов, Федорова
МПК: G01N 13/02
Метки: поверхностных, расплавов, свойств
...сильфона 11 закреплен источник 12 ультразвуковых колебаний. На трубке 8 нанесена шкала 13 и выполнейа резьба 14, по которой может переме-. щаться гайка 15, снабженная нониусным отсчетом. Шток 7 снабжен штуцерами 16 и 17 для заполнения и прокачки воды через трубки 8 и 10.Устройство работает следующим образом.В кассету 5, расположенную в вакуумной камере 1, загружают образцы б, После достижения необходимого вакуума (10-10 мм рт.ст.) включают нагрев печи 2, температуру которой контролируют термопарой. После дополнительной откачки подают в шток 7 через штуцер 16 воду и перемещают его вверх до упора, При этом шток 7 проходит через отверстие в кассете 5, образец 6 попадает на торец 9 штока 7 и переносится в нагретую зону печи 2, После...