Патенты с меткой «поверхностных»

Номер патента: 1780140

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Жгун, Карташев, Негин, Штыков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...элементы связи 4,14,М, поглотители 5, пьезоэлектрическую подложку б, на которой расположены все выше перечисленные элементы.Фильтр работает следующим образом, Электрический сигнал, поступающий на один из ВШП 1 (например, на левый), преобразуется в ПАВ, которая направляется сопряженным с этим ВШП возбукдающим 5 10 15 35 40 45 волноводом 2. В месте пересечения волновода 2 и кольцевого вол новодного резонатора ПАВ 3.1 часть сигнала возбуждает этот резонатор, а оставшаяся в волноводе 2 волна гасится поглотителем 5, расположенным на конце волновода 2. Далее сигнал в месте пересечения резонаторов 3.1 и 3.2 ответвляется в резонатор 3,2 и так далее, С резонатора З.гч сигнал ответвляется в возбуждающий волновод 2, пересекающийся с этим...

Номер патента: 1780142

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Ромулов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...разница фаз в них обеспечивала требуемую АЧХ, что достигается, например, для формирования сверхузкополосной характеристики при разности фаэ 180, которая может быть получена, например, одним из следующих способов или их комбинацией.Увеличением расстояния между преобразователями б и 8 дополнительного канала на расстоянии Ы =(Л/2 + р 1)в направлении распространения акустической волны, где Ь 1 - увеличение длин ы до пол ител ьно 1780142го канала относительного основного; А - длина акустической волны; гр 1 - набег фазы в отражательной структуре основного канала.При этом преобразователи 5, 6, 7 и 8 включены параллельно синфазно,Расположением в дополнйтельном канале В металлической пленки 10, обеспечивающей равный фазовый набег в каналах А и В,...

Номер патента: 1780143

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Свешников

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, однофазный, поверхностных

...уровень ВП в согласованных фильтрах ПАВ на основе двунаправленных преобразователей составляет б дБ, при котором наблюдается, кроме того, паразитная неравномерность АЧХ ( 4,5 дБ), обусловленная "трехпролетными" сигналами. Однонаправленные же преобразователи в согласованном режиме практически не отражают падающие со стороны максимального излучения волны, что дает возможность реализовать фильтры с минимальными ВП, ограниченными лишь добротностью согласующих элементовпри почти полном устранении неравномерности АЧХ.Цель изобретения -уменьшение вносимых потерь однофазного акустоэлектронного преобразователя,Данная цель достигается тем, что в однофазном преобразователе, содержащем систему электродов с периодом Л, размещенных на...

Номер патента: 1780145

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Алексеев, Злоказов, Осипов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая, ультразвуковая

...своими штырееыми электродами взаимно ортогонально друг.тотносительно друга и под углом " го отно 4 шени:-о к ПДГ 3 и 4, управляющие электроды 7 расположенные на обеих противолежа 71ших Л-гранях звукопровода 1, края 8 и 9 одного из которы; 7, расположенного на рабсчей Е-грани звукопровода 1, выполнены параллельным; ПДГ 3 и 4, регулируемый источник 10 эд: ктрческого напряжения, подсоединенный к управляощим электродам 7,7, Штыревые электроды ВШП 5 и 6Х л составляют угол -; с ПДГ 3 и 4 и уголФмежду собой, при этом входной ВШП 5 целиком (за исклО.;Нем может быть его контактны 11 гцадок) расположен в Области домена 2 обратной погярностл и его штыревые электроды параллельны кристаллофизи,вской оси У материала зеукопровода вну", ри...

Номер патента: 1780146

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Груздев

МПК: H03H 9/46

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...сферических углублений 5 и б выбран н соответствии с указанным выше выражением.Фильтр на ПАВ работает следующим образом,При подаче входного сигнала на ВШП 2 н пьезоэлектрической подложке 1 возбуждается ПАВ, которая, распространяясь по ее герной основной годни, достигает ВШГ 3 и формирует на нем выходной электрический сигнал с амплитудно-частотной характеристикой АЧУ), состветству:сщей заданной, например АцХ полосового фильтра, Одновременно с генерацией ПАВ генерлруется и ОАВ, которая распространястся вглубь пьезоэлектрической подложки 1 и, попадая после отражения от второй ее основной грани на ВШ.П 3, можно вызнать появление некедательных полос пропускания что обычно выракается н уменьшении уровня подавления сигнала справа от рабочел...

Номер патента: 1780583

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Валин, Ершов, Малыгин, Потапов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, оптико-электронного, поверхностных

...(фиг, мирует информационный видеосигйад ЧЗ,1), Устройство оптико-электронного контро однозначно отображающий оптическое изоля поверхностных дефектов содержит ис- бражение поверхности. В каждом периодеточник 1 света,: освещающий сканирования видеосигнал ЧЯ поступает наконтролируемую поверхность 2. последова- вход дифференцирующего звена 4, выполтельно соединенные линейно-сканирую-. ненного на операционном усилителе, с выщую камеру 3 с линейным массивом;25 хода . которого полученныйфотоприемников, дифференцирующее зве- дифференциальный сигнал дЗ поступает нано 4; второе звено 5 выпрямления, блок 6 входзвена 5 выпрямления, реализованногоопределения отклонений информационного по стандартной схемотехнике на операцисигнала от базового...

Номер патента: 1782334

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Платонов

МПК: H03H 9/46

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...2 подается от внешнего генено перекрывает полосу частот фильтра Этим импульсом возбуждается поверхностная акустическая волна, в виде короткого 25 акустического импульса, который, проходя через все секции выходного ВШП 3, формирует ЛЧМ сигнал. В зависимости от соединения отводов секций выходного ВШП 3 на выходе фильтра формируется ЛЧМ сигнал, манипулированный по фазе в соответствии с тем или иным двухфазным кодом (ЛЧМФМ-сигнал). В частности, на фиг, 1 соединение секций выходного ВШП 4 соответствует коду 1101. Длител ьность сформированного ЛЧМФМ-сигнала(Т=й то,30 35 а ширина спектра И/ определяется в основ ном девиацией ЛЧМ-сигнала Ь Елчм при1условии, что Ь Е,мтоНа фиг. 2 и 3 в качестве примера показаны модули спектра комплексных огибающих...

Номер патента: 1782335

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Азовцев, Емелин, Корниенко, Травкин

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, термостабилизированием, фильтр

...поверхностью пластины звукопровода.На фиг, 1 схематически изображен предлагаемый фильтр на ПАВ с термостабилизированием; на фиг. 2 (а, б) - термостабилизирующий элемент; на фиг. 2 а - поверхность элемента с тонкопленочным резистором-термодатчиком; на фиг, 2 б - другая поверхность элемента с резистором- нагревателем.Фильтр на ПАВ с термостабилизированием содержит пластину 1 пьезоэлектрического звукопровода из ниобата лития, на верхней поверхности которой расположены входной 2 и выходной 3 встречно-штыревые преобразователи. Под нижней поверхностью пластины 1 звукопровода расположен термостабилизирующий элемент, выполненный в виде поликоровой пластины 4 с нанесенным на одну из ее поверхностей пленочным резистором-термодатчиком 5 из...

Номер патента: 1791707

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Запевалов, Мищенчук, Христофоров

МПК: G01C 13/00

Метки: волн, поверхностных, скоростей, фазовых

...(малые размеры), а также позволяет использовать новый параметр - уклон для измерений фазовой скорости поверхностных волн и является новым. Другие измерители; подобные предлагаемому, не известны. Поэтому устройство соответствует критерию изобретения "существенные отличия".На фиг,1 схематично изображен один из возможных вариантов выполнения предлагаемого устройства при прямом прохождении луча лазера; на фиг,2 - то же, для положения, когда луч лазера смещен на величину б.,Предлагаемое устройство представляет собой лазер 1, заключенныйв герметичный корпус с кварцевым окном, фотоприемник 2, вычислитель 3 и узел параллельного смещения лазерного луча 4, помещенный в герметичный корпус с окнами, Узел параллельного смещения лазерного луча 4...

Номер патента: 1793361

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Владычин, Учанин

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретокового, металлических, поверхностных, слоев

...при Опит = =сопзт.Устройство содеркит последовательнос,единенные первый 1 регистр, первыйцифроаналоговый преобразователь(ЦАП) 2, уг 1 равляемый автогенератор 3, амплитуднй детектор 4 и пороговый блок 5, последдвательно соединенные второй 6 регистр и торой ЦАП 7, подключенный выходом ко второму входу управляемого автогенератора 3, в колебательный контур которого включен ВТП 8, электронно-вычислительну 1 о машину 9 с магистраль 1 о 10, индикатор 11, подключенный к выходу амплитудного детектора 4, интерфейс 12, включенный между выходом порогового блока 5 и магисталью 10 ЭВМ, Первый выход интерфейса 12 соединен с объединенными первыми входами первого 1 и второго 6 регистров, втоорые входы которых подключены соответственно ко второму и...

Номер патента: 2000031

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Бельский, Домбровский, Русаков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, приемников, промежуточной, телевизионных, тракта, фильтр, частоты

...осуществляют весовую обработку одного из ВШП при постоянной длине перекрытий электродов различной полярности, Преобразователь. формирующий несимметричную ЛЧХ, изготовляют аподизованным.При использовании в конструкции телевизионного фильтра наряду с обычным аподизованным ВШП преобразователя с постоянной длиной перекрытий электродов различной полярности, имеющего импульсФормула изобретения Фильтр на поверхностных акустических волнах для тракта промежуточной частоты телевизионных приемников, содержащий звукопровод, размещенные на его рабочей поверхности аподизованный встречно-штыревой преобразователь (ВШП) и ВШП с весовой обработкой емкостным делением . напряжения группами электродов, расположенными в акустическом канале при постоянной...

Номер патента: 1795535

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Груздев, Пыхтин

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, акустоэлектронных, волнах, поверхностных, подстройки, устройствах, фазы

...фазы в акустоэлектронных устройствах на поверхностных акустических волнах, основанный на воздействии, например лазерного излучения на металлизированный участок поверхности эвукопровода, размещенный между встречно-штыревыми преобразователями, о тл и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения технологичности и выхода годных изделий,Составитель О.КудрявцеваТехред М,Моргентал Корректор Н.Слободяник Редактор В.Трубченко Заказ 435 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 При проектировании топологической структуры в зоне между встречно-штыревыми преобразователями...

Номер патента: 1795536

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Пасхин, Сандлер, Свешников

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторный, фильтр

...ке и может быть использовано в радиоэлектронных узкополосных частотноселектирующих системах с повышенной частотной избирательностью, Цель изобретения - повышение избирательности. На рабочей гра пьезоэлектрического звукопровода устано лены входной и выходной встречно-штыр вые преобразователи, а также отражатели. Входной преобразователь выполнен секционированным, а выходной преобразователь имеет длину, равную периоду секций входного преобразователя. Приведена зависимость общей длины входного преобразователя от его периода, 2 ил. расположен в центре резонатора, а центр среднего электрода другого преобразовате- Я ля сдвинут от центра резонатора на - ф ,4 гдеэф - эффективная длина реэо 9)ансной ъ полости, . 4Недостатком данного устройства при...

Номер патента: 1795537

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Гарова, Григоревский, Григорьевская, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/44

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...акустическихканалах напротив друг друга, и две дисперсиоцные решетки отражательных элементов, перпендикулярных продольным осямакустических каналов, одна из которых размещена в первом, а другая - во втором акустических каналах, причем отражательные 50элементы дисперсионной решетки, разме-щенной в первом акустическим канале, разделены по длине на две части, взаимносмещенные вдоль акустического канала царасстояние, равное ширине соответствующего отражательного элемента,В этой конструкции устранена возможность поступления на входной преобразователь пэразитцого сигнала от решеткиотражательных элементов, но остаются от- менцой величиной и определяется частотой1795537 510 20 25 30 35 40 45 б отражаемого этим элементом акустического сигнала (Ь...

Номер патента: 1795538

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Гарова, Григоревский, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/44

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...б и 7 расположена во втором 3 акустическом канале, Электроды одного из преобразсвателей о данном случае 9) разделены по длине на две части 10 и 11,смещенные одна относительно другой вдоль акустического канала 2 на величину пространственного шага. Наклонные отражательные элементы одной из решеток первой пары (о данном случае 5) также разделены по длине на две части 12 и 13, смещенные одна относительно другой одоль акустического канала 2 на ширину б отражательного элемента.. Предложенная ЛЗ работает следующим образом.На входной преобразователь 8 подается электрический сигнал, преобразуемый им о акустическую волну. Попадая на наклонные отражательные элементы решетки 5, акустическая волна отражается под углом 90 от взаимно смещенных...

Номер патента: 1796057

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Золотарев, Никитин, Петрушенко, Скулкин, Трифонов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, керамических, материалах, поверхностных, подповерхностных, стеклосодержащих

...исходя из требований чувствительности к исследуемым дефектам. Размеры частиц варьируются в смеси от 0,01 до 50 мкм.Например, при исследовании дефектовстеклофазы используют смесь вольфрамо вых частиц диаметром 0,7 мкм в количестве50 ф/ с частицами диаметром 1,2 мкм в количестве 50 . Толщина металлического порошкового слоя составляет от 0,1 до 300 мкм. Слой наносят в виде смеси металли ческих частиц с органическим связующимна основе ацетона и этилцеллюлозы, После нанесения слоя металлических частиц органическое связующее выжигают, а керамическое изделие спекают в восстанови тельной атмосфере в две стадии; сначалапри температуре 1200 С в течение 1-2 ч удаляют органическое связующее, затем при температуре 1530 С керамика и...

Номер патента: 1316533

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Лакиза, Малащенко, Мезенов, Овсищер, Шепшелей

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, пьезоэлектрическое

...и струк"турных дефектов 4, Структурные дефекты 4 обеспечинают напранленноерассеяние, частичное поглощение инаправление ОАВ, преимущественно наторцовые поверхности звукопровода 1,которые могут быть покрыты акустопоглотителем (не показаны), что обеспечивает эффективное подавление ОАВ,Часть ОАВ, рассеянных структурнымиэлементами 4 и прошедщих в направлении выходного преобразователя 3,претерпевают многократные отраженияот зоны структурных дефектов 5., поверхностей эвукопровода 1 и эффектив.ное их поглощение акустопоглотителем.Структурные дефекты 4, 5 могутобразовывать локальные структуры,.расположенные относительно преобразователей НАВ 2, 3 так,. что обеспечивается направленное рассеяние(отражение) ОАВ и распространениеОАВ преимущественно в...

Номер патента: 1797733

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Зима, Кизиитов, Корж

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, прибора, узкополосного, центральную, частоту

...2 - встречно-штыревые преобрасвязана с подложкойто упругие свойства зователи;:3 - диэлектрическая пленка; 4 - поверхностного слоя подложки измеряют- . инфракрасное излучение; 5 - потокионов ся, что приводит к изменению фазовой ско эргона; б - стравливаемый слой диэлектрирости ПАВ, С течением времени происходит ческой пленки; 7 - оставшийся слой диэлекрелаксация механических напряжений еди- трической пленки, толщина которого электрической пленке, что приводит к не- необходима для получения заданной цент- контролируемому уходу центральной ральной частоты узкополосного прибора на частоты прибора на ПАВ. Метод химическо ПАВ, Способ настройки на центральную чаго травления не устраняет эти недостатки. стоту узкополосного прибора на ПАВ...

Номер патента: 1802043

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Гайлитис, Смилга

МПК: E02B 11/00, E02B 9/04

Метки: вод, водоприемник, поверхностных

...хомута 11, имеющего фиксирующий болт 12. Кроме того, поплавок снабжен направляющим стержнем 13 и ограничителем перемещения 14 (13) с фиксирующим болтом 15 (14), установленным на стержне 13 над поплавком 7. Противовес 10 выполнен с отверстием и фиксирующим болтом 16 (15) и установлен отверстием на стойке 9. На консоли 4 имеется ограничитель 17 (1 6),взаимодействующий со стойкой 9 с противовесом 10.Работает устройство следующим образом.В начальном положении закрепления на одном конце двуплечевого рычага 6 гребенка 8 прилегает своими прутьями к прутьям защитной решетки 3. По мере накопления наносов на прутьях гребенки 8, которые расположены впереди прутьев защитной решетки 3, повышается уровень воды в отстойнике и уменьшается...

Номер патента: 1808046

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Гарманов

МПК: E03B 3/04

Метки: воды, забора, источников, поверхностных

...модуля пескоотделителя предусмотрен также сборный канал 16.Для обеспечения возможности установки всех модулей пескоотделителя на одной отметке в горизонтальной плоскости все модули пескоотделителя снабжены регулируемыми по высоте стойками-опорами 17,Изображенный на фиг,2-4 вариант модуля пескоотделителя рассчитан на производительность 32 л/с, имеет габариты округленно 1,2 х 2,0 х 0,7 (Н) и обеспечивает освобождение воды от песка и других грубо- дисперсных взвесей с гидравлической крупностью более 13,2 мм/с. При этом гидравлические потери напора при прохождении жидкости в пределах конструкции пескоотделителя не превышают 1,0 м, В зависимости от требуемой производительности и условий установки данный пескоотделитель может иметь другие...

Номер патента: 1810985

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Григоревский, Жданов, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...за их пределы,Для уменьшения влияния на параметры ДЛ 3 ложных сигналов, отраженных от краев звукопровода 1, на часть звукопровода 1 нанесен поглотитель 7.В режиме формирования сигнала предложенная ДЛЗ работает следующим образом, На входной преобразователь 4 подается короткий импульс, спектр которого содержит, в частности, все частоты в полосе пропускания ДЛ 3, Акустическая волна, излученная входным преобразователем 4, распространяется по рабочей поверхности звукопровода 1 в первом акустическом канале 2 и достигает системы металлизированных полосок 6. Токи наведенные падающей акустической волной в системе металлизированных полосок 6, вызывают регенерированные акустические волны, распространяющиеся в первом 2 и втором 3 акустических...

Номер патента: 1810986

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Григоревский, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...ними, в решетках венным шагом= и, и полосок 10 - с6 и 7 может, в частности, соответствовать пространственным шагом= ин. При этомсигналу с линейной частотной модуляцией образуются две системы отражательных.(ЛЧМ-сигналу). На чертеже показана конст . элементов с резонансными частотами н ирукция ДЛЗ на ПАВ для формирования так (являющимися в данном случае заданныминазываемогосигнала "ЛЧМ-вниз",прикото- частотами подавления), соответственно, иром пространственный шаг отражательных на краях АЧХ ДЛЗ реализуется заданноеэлементов решеток 6. и 7, увеличиваясь по подавление сигнала, уровень и форма которонаправлению от преобразователей 4 и 5, 45 го определяются количеством полосок М 1 и М 2,изменяется от мин = бмин+ д" мин = нИ 21 до Для...

Номер патента: 1813841

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Герценштейн, Некрасов, Орданович, Сухоруков

МПК: E02B 15/04

Метки: вод, охлаждения, поверхностных

...прикрепленнасос 1, который может увеличивать потокчерез трубу, например, в случае большойвысоты волн. К расширенной части приемной камерыпри,еплены тросы 7, соединенные с якорем 8,Устоойство работает следующим образом.Как и устройство прототипа, предлагаемое устройство устанавливают в естественных водоемах (озерах, внутренних морях, морских заливах, континентальном шельфе океана). Во время волнения устройство устанавливается таким образом, что рупор приемной камеры 5 направлен против ветра, что обеспечивает наибольшую производительность, вода по наклонному дну 6 поступает в трубу 1, Таким образом плавучие загрязнения накапливаются в трубе 1.Когда их количество выше порогового, они через. односторонний пропускной клапан 3 поступают в...

Номер патента: 1815795

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Банков, Кац, Финкельштейн

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, вносимыми, волнах, малыми, пав, поверхностных, потерями, фильтр

...за счет взаимного расположения штырей в группах таким образом, чтобы центры симметрии групп активных штырей располагались эквидистантно, то расчет расположения групп пассивных штырей, обеспечивающий однонаправленный режим работы ВШП ВОС, может быть выполнен следующим образом,Смещение штырей относительно центра симметрии в активной группей(Ах+в - ), щ=1,2фазовый угол Ьу, соответствующий смещению Лх, равен КЬ х, гдето 2 к/3 о Если вес невзвешенной группы равен 1, то вес взвешенной смещением группы равен А=соз Лр, тогдаЬ х = агссозА (1)2 лСмещение центра пассивной группы относительно центра активной группы, обеспечивающее синфазное сложение излученных и отраженных волн в одном направлении и противофазное их сложение впротивоположном...

Номер патента: 1816455

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Левин, Лосева, Романов

МПК: A61N 1/40

Метки: биообъекта, нагрева, поверхностных, тканей

...анодного тока 200 - 250 мА,Продолжительность процедуры 2 ч,: .П ример 1.Необходимо провести нагрев застарелых псориатических бляшек полигональной Бформы в области локтевых суставов, крестца, голеней. Состав иэ 2 объемных частейопилок (диаметр частицы до 0,8 мм) и однойчасти безводного глицерина шпателем наносят на псориатические бляшки. Индуктор- фкабель аппарата ДВКв виде петлипомещают продольно на кушетку от ножного конца по изголовья, на петлю укладывают (Лсложенное вдвое байковое одеяло и на при- (Лготовленную таким образом кушетку помещают больного, укрывая его простыней иодеялом. Устанавливают силу анодного тока200 мА и проводят процедуру в течение 2 ч,Высокочастотноемагнитное поле при такойсиле анодного тока не вызывает...

Номер патента: 1627045

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/00, H03H 9/145

Метки: акустических, волн, поверхностных

...подаче электрического сигнала на 20потенциальную 7 и общую 8 клеммы и соответственно на гальванически соединенныес ними суммирующую шину 3 и контактнуюплощадку 4 между раэнополярными электродами 1, 2 возникает изменяющаяся в соответствии с электрическим сигналомразность потенциалов. Напряжение междуэлектродами 1, 2 и, следовательно, величина зарядов на каждом из них зависит отвеличин электрических связей через резистивные 5 и емкостные 6 элементы, а такжеот резистивных и емкостных связей одногоэлектрода каждой секции второй группыэлементов с кон гактной площадкой 4 черезэлементы 5, 6 связи, 35В результате в пьезоэлектрическом звукопроводе (на чертеже не показан) возбуждается ПАВ, которая являетсясуперпоэицией ПАВ, излученных всеми...

Номер патента: 1818680

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Иванов, Макаров, Орлов, Швец

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, высокочастотный, поверхностных

...на фиг. 3 45и 4 - соответственно схема появления отраженных ПАВ и векторная диаграмма их компенсации, сигнала каждая секция 4 противофаэных электродов возбуждает ПАВ, распространяющиеся влево и вправо по поверхности пьезоэлектрического звукопровода 1 (фиг, 1).Каждый электрод в секции 4 можно рассматривать как элементарный источник ПАВ, амплитуда которого пропорциональна взаимному перекрытию активных участков 5 соседних электродов, соединенных с суммирующими шинами 2 и 3. Спектральная же функция элементарного источника (или акустическая частотная характеристика электрода) описывается, например, для модифицированной модели д,источников АэлЩ = 2 Б сов-у- ( Л - 1, (4)лампгде Ь = т/1 с - относительная частота;1 с - частота акустического...

Номер патента: 1818681

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Алексеев, Овсянкина, Осипов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая, ультразвуковая

...счет изменения местоположения ПДГ 4 в звуко- . проводе 1 под действием управляющего электрического напряжения от источника 10. При наличии на его выходе, а следовательно, и на управляющих электродах 7, 7 электрического напряжения, содержащего поле Еу, превышающее по величине соответствующее коэрцетивное значение Ео (ха. рактерное для данного материала), в силу сегнетоэлектрических свойств материала звукоп ровода 1, имеет место переполяризация, которая, благодаря сегнетоэластической природе материала звукопровода 1, осуществляется путем бокового перемещения ПДГ 4 параллельной самой себе. В зависимости от,знака приложенного электрического напряжения это приводит к уменьшению или увеличению геометрической длины акустического канала нэ...

Номер патента: 1828565

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...полученной суммы или разности. ЗТР отличается тем, что в устройстве каждая пара системы разомкнутых электродов заменяется двумя парами разомкнутых электродов так, чтаЬ- Ь - д. - ц. -О.-О. - +(3)где и - номер второй пары разомкнутыхэлектродов, если первая пара помечена номером и, 18285651 - натуральное число,при этом равенство (3) может нарушаться в местах смены амплитуды импульсного отклика системы разомкнутых электродов.На фиг.изображено устройство на ПАВ. Здесь 1 - пьезоэлектрическая подложка, 2, 3 - первый и второй входные преобразователи ПАВ, 4 - выходной преобразователь ПАВ, 5 - ось симметрии или ось, которую можно принять эа ось симметрии с точки зрения возбуждения ПАВ для преобразователя - 2, 6 - ось симметрии или ось,...

Номер патента: 1828877

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Владимиров, Городецкий, Гусева, Жильцова, Залавутдинов, Лаврова, Столярова, Томашов, Фомин

МПК: C23C 14/48

Метки: поверхностных, слоев, титана

...никелевогопокрытия на титановых токоотводах, посравнению.с покрытием, полученным методом прямой ионной имплантации,Покрытия полученные предложенным 45способом, проверены в лабораторных условиях, Электрохимические и коррозионныеиспытания проводили в 40 КОН + 5 г/лООН при поляризации в интервале потенциалов от -1,0 до+0,5 В, то есть в условиях 50работы ХИТ. Ресурс работы полученного никелевого покрытия на титановых токоотводах был проверен в макетной сборке ХИТ,За критерий коррозионной стойкости былапринята скорость коррозии никеля с поверхности модифицированного никелем титанового токоотвода, Электропроводностьповерхностных слоев токоотводящих элементов оценивали по значениям контактного сопротивления токоотводя щего элемента ьс...