Патенты с меткой «поверхностных»
Устройство на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1753918
Опубликовано: 27.08.2001
Авторы: Берковский, Малюков, Молотков, Рогачев
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, поверхностных
Устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее пъезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в одном акустическом канале расположены два встречно-штыревых преобразователя (ВШП), первый из которых выполнен веерным, при этом средние линии его электродов является ломаными линиями, вершины которых лежат на отрезках гипербол, отличающееся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики, второй ВШП выполнен веерным, средние линии его электродов являются ломаными линиями с вершинами, лежащими на отрезках гипербол, при этом сечения апертуры акустического канала (ААК), соответствующие вершинам средних линий электродов второго ВШП,...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 778665
Опубликовано: 20.09.2006
Авторы: Белиц, Дряхлов, Сиротин, Сиротина
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
Линия задержки на поверхностных акустических волнах, содержащая звукопровод с расположенными на нем двухканальными встречно-штыревыми преобразователями, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения френелевских пульсаций амплитудно-частотной характеристики, все электроды с одинаковым порядковым номером, за исключением первых, обоих каналов преобразователей смещены относительно друг друга в направлении распространения поверхностной акустической волны пропорционально порядковым номерам электродов на расстоянии lk, величина которого выбрана из соотношения
Ультразвуковая линия задержки на поверхностных волнах
Номер патента: 544323
Опубликовано: 20.09.2006
Автор: Дряхлов
МПК: H03H 9/42
Метки: волнах, задержки, линия, поверхностных, ультразвуковая
Ультразвуковая линия задержки на поверхностных волнах, содержащая звукопровод с расположенными на его поверхности входным и выходным преобразователями штыревого типа, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения входной (выходной) емкости преобразователя и улучшения согласования линии задержки с электронными схемами, входной (выходной) преобразователь разделен на n последовательно соединенных секций, путем выполнения разрывов в токопроводящих линиях, при этом одна шина каждой предыдущей секции соединена с противоположной шиной последующей при симметричном расположении разрывов в токопроводящих шинах.