Патенты с меткой «поверхностных»

Страница 19

Устройство на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1753918

Опубликовано: 27.08.2001

Авторы: Берковский, Малюков, Молотков, Рогачев

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных

Устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее пъезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в одном акустическом канале расположены два встречно-штыревых преобразователя (ВШП), первый из которых выполнен веерным, при этом средние линии его электродов является ломаными линиями, вершины которых лежат на отрезках гипербол, отличающееся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики, второй ВШП выполнен веерным, средние линии его электродов являются ломаными линиями с вершинами, лежащими на отрезках гипербол, при этом сечения апертуры акустического канала (ААК), соответствующие вершинам средних линий электродов второго ВШП,...

Линия задержки на поверхностных акустических волнах

Загрузка...

Номер патента: 778665

Опубликовано: 20.09.2006

Авторы: Белиц, Дряхлов, Сиротин, Сиротина

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

Линия задержки на поверхностных акустических волнах, содержащая звукопровод с расположенными на нем двухканальными встречно-штыревыми преобразователями, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения френелевских пульсаций амплитудно-частотной характеристики, все электроды с одинаковым порядковым номером, за исключением первых, обоих каналов преобразователей смещены относительно друг друга в направлении распространения поверхностной акустической волны пропорционально порядковым номерам электродов на расстоянии lk, величина которого выбрана из соотношения

Ультразвуковая линия задержки на поверхностных волнах

Загрузка...

Номер патента: 544323

Опубликовано: 20.09.2006

Автор: Дряхлов

МПК: H03H 9/42

Метки: волнах, задержки, линия, поверхностных, ультразвуковая

Ультразвуковая линия задержки на поверхностных волнах, содержащая звукопровод с расположенными на его поверхности входным и выходным преобразователями штыревого типа, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения входной (выходной) емкости преобразователя и улучшения согласования линии задержки с электронными схемами, входной (выходной) преобразователь разделен на n последовательно соединенных секций, путем выполнения разрывов в токопроводящих линиях, при этом одна шина каждой предыдущей секции соединена с противоположной шиной последующей при симметричном расположении разрывов в токопроводящих шинах.