Патенты с меткой «поверхностных»

Номер патента: 1093891

Опубликовано: 23.05.1984

Автор: Пугачев

МПК: G01B 17/00, H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, датчик, поверхностных, поворота, угла

...поверхностных акустических волн,снабжен поглотителем акустических волнна одной из пластин, концентрично сосью поворота, выполнен паз в видеокружности радиусом не менее 100длин поверхностных акустических волни глубиной не менее одной длины, наэтой же пластине вдоль радиуса внутренней окружности закреплен поглотитель, а диаметрально противоположноему расположен встречно-штыревой.преобразователь.На чертеже представлена структурная схема предлагаемого датчика.Датчик содержит две параллельныепластины 1 и 2, установленные с возможностью поворота вокруг их общейоси 3 симметрии, н нанесенные симметрично на поверхность пластины 2встречно-штыревые преобразователи4 и 5 ПАВ. На пластине 1 концентричнос осью 3 выполнен паз 6 в виде...

Номер патента: 1096542

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Кисиль, Малько

МПК: G01N 13/02

Метки: жидкостей, поверхностных, свойств

...жидкостей,заключающемуся в формировании каплиисследуемой жидкости и измерении вней давления, формируют каплю фиксированного объема,Предлагается также с целью повыше.ния точности при определении поверхностного натяжения формировать каплюна острой кромке и измерять давление на уровне основания капли,Кроме того, предлагается с цельюповышения точности при определениикраевого угла смачивания формироватькаплю на поцложке из исследуемоготвердого тела и измерять давлениена уровне основания капли.Отличительной особенностью предлагаемого технического решения является то обстоятельство, что оно даетвоэможность исследовать динамику измерения поверхностных свойств награнице раздела Фаз во времени.На фиг,1 изображено устройство,позволяющее...

Номер патента: 1099384

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Вайнорис, Врубляускас, Гайвянис

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных, широкополосный

...аналогичные электроды 45 дополнительных (ь -1) каналов, разнесенные по направлению распространения ,поверхностной акустической волны на За 1 д, 2 Ъаь.,п -1)ЯОпсоответственно, -де за - длина повеРхностной 5 О акустической волны на частоте 1 а,общее число каналов, которые подключаются к отводам электрической линии, что точки подключения незаземленных электродов второго, третьего и т.д й -го каналов разнесены в сторону распространения электромагнитной волны относительно отводов основного канала на Я э )о, 2 эп,, . :ь -1 Ъэи соответственно, где ъз - длина электромагнитной волнына частоте 1 оНа чертеже изображен предлагаемыйширокополосный преобразователь поверхностныхакустических волн. 65 Широкополосный преобразователь ПАВ содержит...

Номер патента: 1100372

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Буткус, Кяршулис, Стульгис, Якелайтис

МПК: E02B 11/00

Метки: вод, водоприемник, поверхностных

...цель достигается тем, что в водоприемнике верхняя часть корпуса снабжена по периметру возвышающейся над пахотным слоем призмой с пазами, по наружной стороне которой выполнен внешний от; 15 стойник.При этом стенки призмы имеют коэффициент откоса, равный коэффициенту откоса боковых стенок верхней части корпуса.Кроме того, водоприемник снабжен внутренним отстойником, приподнятым к верх ней части корпуса.На фиг. 1 изображен водоприемник поверхностных вод, вид в плане; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1.Водоприемник поверхностных вод содержит заглубленный в пахотный слой 1 корпус, состоящий из верхней части 2, размещенной на уровне пахотного слоя 1, и нижней части. 3.Верхняя часть 2 корпуса снабжена треугольной призмой 4 с пазами 5,...

Номер патента: 1111215

Опубликовано: 30.08.1984

Автор: Эберхард

МПК: H01J 37/30

Метки: зондов, лучевых, наклонной, поверхностных, установки

...изображение диафрагмы, формирующей луч, т.е. поверхностного лучевого зонда.Кроме этого, на торцах дополнительной линзы размещается отклоняющая система для фиксации центра переполюсовки на точке фиксации при изменении формата и при необходимости другая отклоняющая система для предотвращения сферической аберрации в апертурной диафрагме, которая соединяется с генератором тока через переключатель полярности. К отклоняющим системам можно встречно подключать дополнительные отклоняющие системы, чтобы устанавливать точки опрокидывания отклонения луча в желаемой плоскости. Для ограничения поля в пространстве дополнительная линза может быть заключена в ферритовую оболочку, а в качестве отклоняющей системы может быть использованатороидальная...

Номер патента: 1113882

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Алексеев, Бондаренко, Дугина, Злоказов, Соболев

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...ПАВ.Цель изобретения - уменьшение ам, плитудных и фазовых искажений сигнала. Поставленная цель достигается тем, что в линии задержки на ПАВ, содержащей монокристаллический звукопровод, входной и выходной электроакус тические преобразователи ПАВ, звуко- провод выполнен из полидомелного сегнетоэлаетического материала, содержащего две системы взаимноортогональных плоскопараллельных доменов, плоскости границ которых нормальны поверхности звукопровода, а входной и выходной электроакустические преобразователи ПАВ расположены по разные стороны от биссектриссы плоского прямого угла, образованного пере" сечением плоскостей границ взимо" ортогональных плоскопараллельных доменов с поверхностью звукопровода.На чертеже схематически представлена...

Номер патента: 1113883

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Алексеев, Ермолов, Каразеев, Плужников

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, режекторный, фильтр

...вид (двепроекции); на фиг. 2 - состояниенамагниченности магнитострикционнойпленки в исходном состоянии (а) и. 50после приложения постоянного магнит-ного поля (б) в направлении, обратном первоначальной намагниченностипленкиРежекторный фильтр на ПАВ содер жит звукопровод 1, входной и выходной преобразователи ПАВ 2 и 3, полос.ковые отражательные элементы 4, выполненные, например, в виде металлических полосок, поликристаллическуюмагнитострикционную пленку 5 регулируемого источника постоянного магнитного поля 6.фильтр работает следующим образом,В исходном состоянии, в отсутствии внешнего магнитного поля, пленка 5 с одноосной анизотропией полностью намагничена вдоль ОЛН (фиг, 2 а).Амплитудно-частотная характеристикарежекторного фильтра в этом...

Номер патента: 1117506

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Канченко, Крынько, Мельник, Находкин

МПК: G01N 23/225

Метки: анализа, количественного, поверхностных, слоев, твердых, тел

...20 01 ЗО 40 концентрация рассеивающих центров в образце второго химического элебг 190-- дав кого элемента пространственном распределении упругоотраженных электронов для первого химического элемента при энергии первичных электронов Е 1,поток первичных электронов с энергией, при которой наблюдается минимум в пространственном распределении упруго- отраженных электронов при угле рассеяния Я дляобразца первогохимического элемента; мента;сечение упругого рассеяния первичных электронов вторым химическим элементом при угле рассеяния 91длина свободного пробега электроновс энергиеи Е от 1 носительно неупругих соударений; телесный угол регистрации упруго 1117506отраженных электронов- угол скольжения1потока первичныхэлектронов при 5угле рассеяния Я-...

Номер патента: 1123096

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Алексеев, Ермолов, Каразеев, Теряев

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных

...до на" сыщения, как в областях низкокоэрцитивнык каналов 3, так и в окружающем их высококоэрцитивном массиве.В рабочем состоянии преобразователя ПАВ в ниэкокоэрцитивных каналах 3 пленки 2 образуются домены обратной намагниченности, Пля их образования от источника 9 управляющего сигнала по центральному управляющему электроду 4 пропускается импульс то" ка, параметры которого выбираются таким образом, чтобы знак и величина создаваемого им магнитного поля обес" печивали зарождение доменов обратной намагниченности в областях низкокоэр" цитивных каналов 3 магнитной пленки 2, примыкающих к данному управляюще" му электроду.Далее, при включении внешнего постоянного магнитного ноля (продвигающего), в зоне действия источника которого...

Номер патента: 1123097

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Алексеев, Ермолов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волн, поверхностных

...управляющимшинам (стоп-шинам) пропускается ток,магнитное поле которого противоположно по направлению продвигающемуи превосходит его по величине. В реэультате геометрические размеры до доменов в низкокоэрцитивных каналах могут быть различными в зависимости от выбора тех или иных шин управления в качестве стоп-шин. ДляФВ уничтожения (стнрания) доменов в низ" кокоэрцитивных каналах по одной или нескольким шинам управления (шинам стирания) подается импульс тока, магнитное поле которого совпадает с направлением намагниченности высококоэрцитивного яассива пленки. Если же одновременно с этим часть шин управления будет использована в качестве стоп-шин, то можно осуществить стирание лишь определенных частей доменов и, тем самым, выборочно...

Номер патента: 1123098

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Карро-Эст, Поляков, Рябоконь

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...и расположенные на егопротивоположных плоских гранях входной и вщищной встречно-штыревыепреобразователи (ВШП), размещенныесо стороны мескругленного торца звуко провода Щ,Недостатком этой линии задержкина ПАВ являются большие вносимыепотери, обусловленные использованиемлишь той части акустической волны, 2 Оизлучаемой входным ВШП, которая раслространяется к выходному ВШП.Наиболее близким к изобретениютехническом решением является линиязадержки на пАВ, содержащая цнлиндрический ассиметричнцй звукопровод,выполненный в виде плоскопараллельной иьезоэлектрической пластины соскругленными торцами, и расположенее на его противоиоложных плоскихГранях входной и выходной ВШП 2.Недостатком известной линии задержки на ПАВ являются большие вносимые...

Номер патента: 1126902

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Гуртяченко, Евтюхов, Фимушкин, Шенфельд

МПК: G01R 29/24

Метки: зарядов, поверхностных

...эаэемлен через щетку 5и столик 6. Щетка 5 установлена. отнасительно столика 6, несущего заряженную поверхность 2, таким образом, чтобы заземление каждого индуктора 3 нарушалось в момент полного совпадения заряженной поверхностии индуктора 3, Для обеспечения условия однородности полязаряженной поверхности 2 расстояниеа между ею и индукторами 3 должноудовлетворять условию йй Ъ, 1, где Ъ,- линейные размеры заряженной поверхности 2. Размеры индукторов 3должны превосходить размеры заряженной поверхности 2, а расстояние междуиндукторами 3 много больше величинызазора Й. Для исключения электризации диска 1 о воздух гри его вращении устройство во время измеренийпомещается в вакуумную камеру (1010 мм рт. ст.). Индукторы 3 черезщетку 7 связаны с...

Номер патента: 1131024

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Акпамбетов, Брицын, Галанов, Ржанов

МПК: G01L 11/04

Метки: акустических, волнах, давления, датчик, поверхностных

...элементом, выполненным в виде пьезоэлектрической пластины, на одной грани которой выполнена выемка, 45 а на противоположной грани расположены два ВШП ПАВ, размещенные в одном акустическом канале и подсоединенные к актогенератору, выемка в пьезоэлектрической пластине выполнена с попе речным сечением в форме прямоугольника, две стороны которого параллельны электродам ВШП и полностью перекрывают акустический канал по апертуре, а глубина выемки постоянна по 55апертуре акустического канала и монотонно изменяется в направлении, перпендикулярном электродам ВШП, уменьшаясь от центральной области выемки к ее периферии.На фиг. 1 изображен датчик давления на ПАВ; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на Фиг. 3 - разрез Б-Б на фиг. 1.Датчик...

Номер патента: 1131025

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Биргер, Дашенков, Лайков, Синица

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...с ними, протяженность каждой из областей сплошной металлизации с окнами составляет 25-307 протяженности неаподизованного ,преобразователя, а числоэлектродов последнего выбрано из соотноше- ния 4161/где 1 - центральная частота полосыОпропускания фильтра;31 - частотный интервал междупервыми нулями АЧХ Фильтра.На чертеже изображен Фильтр на ПАВ, пример выполнения.Фильтр на ПАВ содержит пьезоэлектрический звукопровод 1 и расположенные на его поверхности ВШП 2 и 3, подключенные, соответственно, к источнику высокочастотного сигнала и нагрузке 5. Неаподизованный преобразователь 2 состоит из двух электродных структур, образованных штыревыми электродами 6 и 7, соединенными, соответственно, к контактным шинам 8 и 9. На поверхности...

Номер патента: 1131026

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Алексеев, Злоказов, Карро-Эст, Поляков

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волн, поверхностных, фокусирующий

...сходящегося волнового фронта,Целью изобретения является повыше ние эффективности фокусирования энергии ПАВ.Поставленная цель достигается35 тем, что в фокусирующем преобразователе ПАВ секции преобразователя в каждой группе из 1 секций выполнены с возрастающим к периферии преобразователя количеством пар встречноштыревых электродов, выбранным из соотношения На чертеже представлен фокусирующий преобразователь ПАВ.Фокусирующий преобразователь ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложкус расположенной на ней системой встречно-штыревых электродов 2, разделенной по апертуре симметрично относительно оси преобразователя на (2 М+ 1) с екций 3 .Секции преобразователя в каждой группе из 1 секций выполнены с возрастающим к периферии числомпар...

Номер патента: 1131027

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Абрамов, Бондаренко, Жуков

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...зователи электрически соединены между собой и расположены, по.,разные стороны и на различных расстояниях от входного, в одном с ним акустическом канале, введено два металлических покрытия, первое нэ которых расположено между входным и первым Ъыходным преобразователями, а второе - между входным и вторым выходным преобразователями, и каждое иэних выполнено с переменной по апертуре акустического канала протяженностью, при этом в любом-и сечении апертуры суммарная протяженностьобоих металлических покрытий одинакова по величине и вычисляется по формуле 2 к 6+ б Кг (Ь - Ья)где К - коэффициент электромеханической связи материала звукопровода для ПАВ;Ьи Ь 2- расстояния между входным ипервым и вторым выходными преобразователями...

Номер патента: 1136300

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Баржин, Колесник, Коропец

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линии, перестраиваемый, поверхностных

...потенциометрического трехполюсника, а вторые электрические выходы первого и второго однонаправленных акустических ответвителей подключены к другому входу регулируемого потенциометрического трехполюсника, первые акустические выходы первого и второго однонацравленных акустических ответвителей подключены к акустическим входам соответственно первого и второго выходных акустоэлектронных преобразователей, вторые акустические выходы первого и второго однонаправленных акустических ответвителей подключены к акустическим входам соответственно третьего и четвертого выходных акустоэлектронных преобразователей, электрические выходы которых подключены к соответствующим входам третьего сумматора, электрические выходы первого и второго...

Номер патента: 1136309

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Бондаренко, Дугина, Соболев

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...тому же дополнительными искажениямиамплитудно-частотной и импульснойхарактеристик Д 313. Цель изобретения - повышение степени интеграции Д 113Поставленная цель достигаетсятем, что в Д 313 на ПАБ, содержащуюпьезоэлектрический звукопровод, наповерхности которого в параллельных,акустических каналах расположенывходной и выходной ВШ 11 и и ОС с не 1равномерным шагом элементов в них,расположенных одна под другой по однусторонуот входного и выходного ВШП,введены иреверсивных элементовсвязи (РЭС) ПАВ, расположенных назвукопроводе между входным и выходным ЫШП в соответствующих ипаралельных акустических каналах смежныхОС,При этом каждая ОС выполнена ввиде двух отражательных решеток типаелочкаНа чертеже изображена дисперсионная линия задержки...

Номер патента: 1137567

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Алексеев, Ермолов, Каразеев, Плужников, Теряев

МПК: H03H 9/00, H03H 9/64

Метки: акустических, волн, поверхностных

...магнитного поля магнитоодноосная пленка 2 однородно намагниченадо насыщения (как в областях низкокоэрцитивных каналов 3, так и в окру-.жающем их высокоэрцитивном массиве).При приложении внешнего магнитногополя, направленного параллельно осилегкого намагничивания (ОЛН)пленки ипревышающего по значению напряженности порогового поля Н, происходитперемагничивание низкокозрцитивных,каналов 3, Величина напряженностипорогового поля Н опреДеляется вы- ражением где Н, - коэрцитивная сила доменныхстенок;6 л - плотность энергии доменнойстенки;е 11- - намагниченность насыщенияпленки;О - ширина низкокоэрцитивного "канала.Перемагничивание низкокоэрцитивныхканалов начнется пои наппяженности внешнего поляее,"еее - .л 5 омах и закончится...

Номер патента: 1138732

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Гуров, Слюсаренко, Таран, Трахтенберг

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектов, поверхностных, ультразвукового

...и отражается от дефектов, и определяют дефектность материала по параметрам отраженной волны 11,15Недостатком данного способа является невозможность контроля поверхностных дефектов иэ-за наличия сигнала от поверхности изделия,Наиболее близким к изобретению потехнической сущности и достигаемомурезультату является способ ультразвукового контроля поверхностных дефектов иэделий, заключающийся в том,что контролируемое изделие погружаютв иммерсионную жидкость, возбуждаютв нем пбверхностную волну ирегистрируют сигналы, рассеянные дефектом Г 23.Недостатком известного способаявляется низкая надежность контролякрупнозернистых материалов из-за высокого уровня структурных помех.Целью изобретения является повышение надежности контроля.Эта цель...

Номер патента: 1138925

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Алексеев, Ермолов, Злоказов, Осипов, Проклов

МПК: H03H 9/00, H03H 9/64

Метки: акустических, волн, поверхностных, фокусирующий

...размещенный на рабочей поверхностиизотропного непьеэоэлектрического звукопро вода, на котором размещены встречно- штыревые прямые эквидистантные электроды, пьезослой выполнен иэ монокрис 925 2таллйческого сегнетоэлектрика в видепленки или пластинки 2-среза с регулярной доменной структурой, состоящейиз размещенных по апертуре фокусирую-,щего преобразователя ПАВ нечетногочисла плоскопараллельных 180-градусных доменов чередующейся полярности,причем стенки доменов ориентированыперпендикулярно к встречно-штыревымпрямым эквидистантньщ электродам, приэтом домены размещены симметрично от-носительно домена, продольная ось которого совпадает с акустической осьюфокусирукщего преобразователя ПАВ,и выполнены с убывающей от акусти,ческой оси...

Номер патента: 1142533

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Круглова, Пилат, Пироженко, Чайка

МПК: C30B 35/00

Метки: загрязнений, металлов, поверхностных, расплавов

...градиент температуры, который направляет плавающие окислы и загрязнения в противоположную сторону от сифона. Длядополнительных удобств сифон всвоем начале и конце выполнен вформе капилляра, Первый капиллярв начале сифона способствует пре. -дотвращению поступления плавающихокислов в сифон. Второй капиллярв конце сифона служит местом отпайки части ампулы с очищенным материалом. Весь процесс проводится не винертной атмосфере, а.при непрерыв;4цой откачке в вакууме 10 - 1 С мм рт. стчто дает возможность одновременнопровести дегазацию расплава и избавиться от летучих .;омпонентов. Дополнительный нагреватель имео ет температуру на 100-150 С выше температуры основного нагревателя, благодаря чему создается мощный градиент температуры вдоль...

Номер патента: 1150729

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Орлов, Речицкий

МПК: H03H 9/145, H03H 9/42, H03H 9/64 ...

Метки: акустических, волн, поверхностных

...формы с четырьмя прямолинейными участками, два противоположных из которых параллельны акустической оси преобразователя, диэлектрическое звукопоглощающее покрытие, расположенное поверх соответствующих трех прямолинейных участков витков спиральной электродной структуры, сплошной электрод, расположенный на нерабочей поверхности звукопровода и соединенный с общей шиной, четвертые прямолинейные участки витков спиральной электродной структуры выполнены наклонными относительно нормали к акустической оси преобразователя в сторону внутренней части плоской многовитковой спи 5 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 55 рали на угол к, величина которого определяется соотношением где Чо. - скорость распространения ПАВ впьезоэлектрическом...

Номер патента: 1152615

Опубликовано: 30.04.1985

Авторы: Буткус, Якелайтис

МПК: B01D 21/02, E03B 3/04

Метки: вод, водоприемник, поверхностных

...и отверстия 7 имеют достаточнуюдлину для обеспечения пропуска нужного количества воды при малой ширине, а дугообразная их форма обеспечивает касание наименьшей длиныкромки щели при наезде сельхозтехники,Изобретение относится к устройствам для приема поверхностных вод и может быть применено в мелиорации, сельскохозяйственном водоснабжении. 5Известно водопоглощающее устройство, выполненное в виде колодца с отверстиями и отстойником в верхней части 11,Недостатками известного устройст О ва являются возможность занесения наносами водоприемных отверстий, сложная конструкция, трудоемкость эксплуатации, невозможность применения в местах перемещения сельско хозяйственной техники.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и...

Номер патента: 1157420

Опубликовано: 23.05.1985

Автор: Сумин

МПК: G01N 21/91

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных

...изделия и визу ально-оптического контроля 23,Недостатком известного способа является ограниченность его технологич ческих возможностей контролем только 55 сквозных трещин в непористых материалах и только по горизонтальным поверхностям изделий. 20 2Цель изобретения - обнаружение дефектов в пористых материалах иупрощение способа.Укаэанная цель достигается тем,что согласно способу обнаружения поверхностньм. дефектов путем нанесения на изделие пенетранта, нагрева его и визуально-оптического контроля, в качестве пенетранта используют парафин который нагревают до расплавления, выдерживают в нем изделие и, вынув, охлаждают изделие до застывания пенетранта, а о дефектах. судят по наличию белых линий или участков с мато" вым оттенком.П р...

Номер патента: 1158668

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Григорьев, Колосов, Ларионов

МПК: E02B 9/04

Метки: водоприемник, водохранилища, воды, забора, поверхностных, слоев

...шарнира к напорной грани плотины.Цель изобретения " упрощение монтажа,сЦель достигается тем, что водоприемник для забора водц иэ поверхносгных слоев водохранилища, включающий вертикальные опорные элементы,размещенные по обе стороны от водозаборного отверстия и прикрепленные 45верхней частью к плотине, экран,шарнирно прикрепленный к нижним концам опорных элементов, и поплавок,прикрепленный тягами к кромке экрана, фиксирующий ее на заданной глу- Ю.бине, снабжен натяжными устройствамис гибкими тягами, установленными нагребне плотины, а вертикальные опорные элементы вцпопнены Г-образными,причем верхние ригели опорных элементов оперты на гребень плотиныпосредством катковых опор, и к ригелям подсоединены гибкие тяги,Кроме того, опорные...

Номер патента: 1159149

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Баржин, Василенко, Колесник, Коропец

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линии, перестраиваемый, поверхностных

...источников высокочастотных коле бан ий, предп азн аче нных для различных радиотехнических систем.Целью изобретения является расширение диапазона перестройки и повы. шение стабильности выходных колеба О ний.На чертеже представлена структур.ная электрическая схема перестраиваемого генератора на линии задержки на поверхностных акустических волнах.15I )Перестраиваемый генератор на линии задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ) содержит линию 1 задержки на ПАВ, входной встречно- штыревой преобразователь (ВШП) 2, 2 О первый выходной ВШП 3, второй выходной ВШП 4, дополнительный фазовраща.тель 5, второй управляемы фазовращатель 6, первый управляемый фазовращатель 7, сумматор 8, блок 9 управ ления и усилитель 10Перестраиваемый...

Номер патента: 1159152

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Кундин, Мальцев, Щукин

МПК: H03H 9/00, H03H 9/64

Метки: акустических, волн, поверхностных

...частоты акустического синхронизма из-за недостаточного подавления (до 20 дБ) сигнала на этой частоте,Целью изобретения является повышение избирательности преобразователя при работе на гармониках частоты акустического синхронизма.Поставленная цель достигается тем, что в преобразователь ПАВ, со-, держащий пьезоэлектрический звуко- провод с расположенными на его поверхности двумя токопроводящими площадками и основной встречно-штыревой структурой электродов, образованной электродами первой группы, гальванически соединенными с первой токопроводящей площадкой, и электродами второй группы, каждый из которых имеет постоянное перекрытие с соответствующими электродами первой группы, и выполненной секционированвой, содержащей четное количество...

Номер патента: 1159153

Опубликовано: 30.05.1985

Автор: Пугачев

МПК: G01L 9/08, H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, датчик, поверхностных, тензочувствительный

...к радиоэлектронике.и может быть использова- но в устройствах для измерения усилий, ускорений, давлецьй и линейных перемещений, 5Целью изобретения является поз вышецие точности измерений.На чертеже представлена структурная схема тензочувствительцого датчИка. 10Датчик содержит пьезопластицы 1 и 2, пьезоэлектрические звукопро -з воды 3 и 4, входной и выходной встречно-штыревые преобразователи 5 и 6 ПАВ, считывающие электроды 15 7 и 8, размещенные ца тордах держателя 9, основание 10,Датчик работает следующим образом.На ньезопластинах 1 и 2 в первом и втором пьезоэлектрических звукопроводах 3 и 4, где расположены входной и выходной встречно-штыревые преобразователи ПАВ 5 и 6, при подключении генератора ультразвуковых импульсов (не...

Номер патента: 1159155

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Базлова, Бондаренко, Дроздова, Крутов, Савченков, Салынский

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...составляет 40-70 мас.Ж.1159155 Составитель В,Банков в Техред М.Пароцай Редактор И. Рыбченко Корректор А.Зимокосов Заказ Зб 07/55 Тираж 872 . Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ПГП 1 "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится к радиоэлектронике иможет быть использованон акустоэлектронных устройствах на поверхностных акустических волнах (йВ),Целью изобретения является уменьщение уровня ложных сигналов н линиизадержки на ПАВ,На чертеже представлена конструкция линии задержки.Линия задержки на ПАВ содержит 1 Опьезоэлектрический звукопровод 1,расположенные на его рабочей поверхности входной и выходной электроакустические...