Патенты с меткой «поверхностных»

Номер патента: 1161735

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Кравченко, Кузнецов, Соболев

МПК: F16F 9/02

Метки: демпфирования, жидкостей, колебаний, низкокипящих, поверхностных

...и достигаемому результату является способ демпфирования поверхностых колебанийнизкокипящих жидкостей, заключающийся в введении в поверхностный слойнизкокипящей жидкости газообразныхвеществ с температурой перехода втвердое состояние выше температурыэтой жидкости 1 2 .Недостатком сопособа является то,что вследствие наличия запаса тепловой энергии у газа, вводимого вемкость, заполненную низкокипящейжидкостью, часть этой жидкости испаряется, нарушая тем самым Физико-химические условия внутренней газовойсреды емкости, например давление ихимический состав, что ухудшаетпрочность и структуру демпфера и замедляет процесс его образования.Цель изобретения - ускорение спо 40соба демпфирования,Указанная цель достигается тем,что по способу...

Номер патента: 1164856

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Василенко, Колесник, Коропец, Костенко, Сорокопут

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линией, поверхностных

...получения незатухающих колебаний необходимо выполнить условие баланса амплитуд и у - . ловие баланса фаз.Суммарный фазовый набег в замкнутой петле, образованной уселительным каскадом на транзисторе 1 и инвертором 2 равен2 Зс ине40 где У - суммарный фазовый набег;1,с - фазовый сДвиг, вносимыйусилителем на транзисторе 1,Ун - фазовый сдвиг, вносимый инвертором 2.Если выбрать величину.индуктивности первой катушки индуктивности 3 так, чтобы параллельный колебательный контур, образованный первой ка; тушкой индуктивности 3 и статической 50 емкостью первого ВШП 6 был бы настроен на частоту генерации, тогда Ч =я, Поскольку Чн, =я, то М =Т(+я=2 Г, т.е. выполняется условие баланса фазВ эмиттерной цепи транзистора 1 образуется колебательный...

Номер патента: 1170588

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Кундин, Щукин

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, варианты, волнах, его, поверхностных, фильтр

...к радиоэлектронике и может быть использовано вразличных устройствах селекции высо,кочастотных сигналов.Цель изобретения - повышение избирательности при работе на нечетныхгармониках.а фиг. 1 и 2 представлены два варианта конструктивного выполненияФильтра, на Фиг. 3 - зависимость ин- Отенсивности возбуждения ПАВ на частоте акустического синхронизма 1 иее 3-ей гармонике О от коэффициентаметаллизации ОКаждый фильтр на ПАВ (Фиг. 1) содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, входной и выходной встречноштыревые преобразователи 2 и 3 ПАВ,металлизированное покрытие 4.Фильтр на ПАВ работает следующим 20образом.Амплитуды ПАВ, возбуждаемых илипринимаемых ВШП 2 и 3 зависят отномера возбуждаемой гармоники и отношения ширины электрода ВШП к...

Номер патента: 1172988

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Буткус, Якелайтис

МПК: E02B 11/00

Метки: вод, водоприемник, поверхностных

...д, 4/5Заказ 5004(27 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 1 1172Изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к мелиорации земель,Цель изобретения - повышение надежности в эксплуатации.На чертеже изображен водоприемник повер хностных вод, разрез.Водоприемник поверхностных вод содержит заглубленный в пахотный, слой 1 корпус, сос. тоящий из верхней части 2, размещенной на уровне пахотного слОя 1 и. нижней части 3. Приемное отверстие 4, выполненное в вер. хней части 2 корпуса, перекрывается клапа.ном 5, который соединен через шток 6 с поплавком 7, Верхняя часть 8 клапана 5 выполнена из водопроницаемого материала. В нижней 5 части 3 корпуса помещен сифонный водовы. пуск 9 (конец трубки в нижней части 3 корпуса выше конца...

Номер патента: 1173262

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Билый, Кисиль, Малько, Сельский

МПК: G01N 13/02

Метки: веществ, поверхностных, свойств

...накидной гайки 14 добывается герметичность.На крьппку устанавливают шайбу 11, нашайбу 11 - любой твердый материал12 (например, стекло ) с плоской поверхностью, покрытой предварительнотонким слоем исследуемой жидкостисо стороны ножевого капилляра. Нажатием кнопки В через блок 16 фиксации момента спада сигнала включаютэлектродвигатель 7. При этом автоматически устанавливается нулевое значение выходного сигнала бпока 17запоминания максимума. Вращение дви- .гателя 7 приводит к перемещениюплунжера 4 вовнутрь измерительнойкамеры 2, что вызывает рост капли 20на торце капилляра 9. В результатепроисходит увеличение давления Р вкапле на уровне ее основания и,соответственно сигнала на выходеизмерительного усилителя 15 ( фиг,2).В момент...

Номер патента: 1175476

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Грохольский, Данилевский, Демидов, Дунский, Подлесный, Романика

МПК: A61F 7/00

Метки: воспалительных, лечения, поверхностных, процессов, хронических

...(фиг. 2 в) управляет, регулятором 5 тока таким образом,-что на термоэлектрическую батарею 6 подается ток, изменяющий температуру рабочей части устройства и уменьшающий разностныи сигнал. Таким образом, температура рабочей части устройства через время переходного процесса ее установления автоматически подерживается на уровне значения, заданного задатчиком 1, т. е. температуры охлаждения 5 С. При достижении разницей значения температуры рабочей части устройства и значения, установленного задатчикомтемпературы охлаждения значения максимально допустимой ошибки статирования температуры, установленного соответствующим задатчиком 9, на выходе компараратора 8 появляется сигнал (фиг. 2 г), разрешающий работу генератора 10 временных интервалов...

Номер патента: 1180199

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Белогловский, Вейс, Дайкер, Катаевский, Кирсанов, Лузин, Рыбин

МПК: B23K 7/06

Метки: дефектов, кислородно-флюсовый, поверхностных, резак, удаления

...кислородной струи формируется греющее пламя. Флюс вместе с флюсо-, несущим воздухом подают во флюсовое сопло 3 через патрубки 7. После удара 50 о поверхности 6 флюсовые струи деформируются, и флюс распределяется по окружности флюсового сопла 3 таким образом, что в реакционной зоне его распределение носит также параболи ческий характер. Благодаря пропорциональному распределению кислорода и флюса в произвольной точке реакционной зоны поддерживается постоянное соотношение между количеством флюса и кислорода. Это позволяет снизить общий расход флюса до оптимального, не опасаясь появления участков реакционной зоны с заниженным расходом флюса и, соответственно, ухудшением качества защищенной поверхности.Для получения пропорциональности эпюры...

Номер патента: 1182114

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Дидковский, Розенблат, Соковнин

МПК: E02B 9/04

Метки: водоприемник, воды, забора, источников, поверхностных

...5плуатаццонных расходов за счет уменьшения количества подвижных элементов.На длг, 1 изображен водопрцемнук,вертикальный разрез; на фиг., 2 - видЛ на фиг.1; на фиг, 3 - сечение Б-Бна д.иг, 1.Водоприемник для забора воды изповерхностных источников содержит камеру 1 с приемными окнами 2. Прием 15ные окна 2 перекрыты Ьильтрующимиплитами 3. За фильтрующими плитами 3установлена система 4 промывки, соединенная с коллектором 5 промывной воды.20 Система 4 промывки выполнена ввиде пакета вертикальных трубок 6с изменяемой геометрией поперечногосечения, в которых выполнена направ-:25ленная в сторону фильтрующих плит 3перфорация 7. Трубки 6 выполнены изскрепленных между собой вертикальных скрепленных между собой полос дугообразного проАиля из...

Номер патента: 1190454

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Василенко, Колесник, Коропец, Сорокопут

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линией, поверхностных

...кото.,рые поступают через цепочку, состоящую иэ последовательно соединенных ЗОпервой катушки индуктивности 6, истатической емкости входного встреч-.но-штыревого преобразователя 13, назатвор этого транзистора. Напряжениепадающее на входной встречно-штыревой преобразователь 13, возбуждаетповерхностную акустическую волну, которая вызывает появление напряженияна выходном встречно-штыревом преобразователе 14 которое прикладывается между затвором второго транзистора 2 и шиной питания. Это приводитк тому, что ток, протекающий через .второй транзистор 2,иэменяется всоответствии с изменением напряжения 45на его затворе, что в свою очередь,вызывает падение напряжения на втором резисторе 4, компенсирующем напряжение на этом же резисторе...

Номер патента: 1196971

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Красная, Носенко, Остер, Ясколко

МПК: H01J 9/42

Метки: дефектов, поверхностных, твердых

...в . расширениефункциональных воэможностей засчет увеличения числа материалов,подлежащих контролю.На фиг.1 и 2 приведены результаты измерения ФСЭСущность способа заключается втом, что поверхность покрываютпредварительно возбужденными веществами (эмиттерами), обладающимихорошей проникающей способностьюили хорошейадгезией с дефектнымиместами и значительной фотостимулированной экзоэмиссией, излишеквещества удаляют, после чего измеряют ФСЭ, которая идет с декорированных таким образом дефектныхмест исследуемого материала.Заметная ФСЭ сульфатов при возбуждении фотонами проявляется принаименьшей энергии, равной 9 эВ.Воэбужцение ФСЭ можно производить такжевысокоэнергетичными электронами (например, а -частицами) сэнергией 2,3 10 эВ,...

Номер патента: 1201438

Опубликовано: 30.12.1985

Автор: Шилейка

МПК: E03F 5/02

Метки: вод, водоприемник, поверхностных

...1 с отверстиями нарастающегопротив течения воды поперечного сечения, крыши 2, второстепенных коллекторов дренажных систем 3, поверхности земли 4, выемки 5 вокруг водоприемника, засыпки из материалавысокой водопропускной способностиб, кольца 7 с отверстиями для подключения второстепенных коллекторовдренажных систем 3, решетки 8 и основания 9 поглотителя, установленного на транзитном трубопроводе 10.Отверстия поглотителя 1 установленыопод углом 45 . Основание 9 имеетвертикальное 11 и горизонтальное 12отверстия, причем горизонтальноеотверстие 12 основания 9 выполненос диаметром, равным внутреннему диаметру транзитного трубопровода 10,а решетка 8 и кольцо 7 установленынад вертикальным отверстием 11 основания 9.Транзитный трубопровод...

Номер патента: 1201687

Опубликовано: 30.12.1985

Автор: Севастьянов

МПК: G01H 5/00

Метки: акустических, волн, затухания, изменения, поверхностных, скорости

...которой приемник 4 поверхностныхакустических волн регистрирует минимальное значение амплитуды акустичес"кого сигнала, Регулируя рабочую час тоту излучения излучателей 2 и 3,можно компенсировать все изменения,происходящие в звукопроводящей среде, связанные с изменением скоростии затухания звука.20 По изменению рабочей частоты Ь Йможно произвести оценку величины изменения скорости и затухания звука.При проведении измерений измененияскорости поверхностных волн удобно 25 пользоваться измерением изменениярабочей частоты, так как эти величины взаимосвязаныаЧЧэгде 1 - частота излучения излучате- .лей 2 и 3, которую устанавли"вают перед проведением измерений путем фиксации минимального сигнала на выходеприемника 4 поверхностныхакустических...

Номер патента: 1202012

Опубликовано: 30.12.1985

Автор: Реут

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линии, поверхностных

...и может быть использовано в автономных хранителях времени.Целью изобретения является повышение стабильности частоты путем расширения температурного диапазона термокомпенсации.На чертеже представлена структурная электрическая схема предложенного генератора на линии задержки на поверхностных акустических волнах,, Генератор на линии задержки на поверхностных акустических волнах 1,ПАВ) содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, первый входнои встречно-штыревой преобразователь (ВШП) 2, первый выходной ВШП 3, второй входной ВШП 4, второй выходной ВШП 5, первый усилитель 6, первый регулируемый фазовращатель 7, второй усилитель 8, второй регулируемый фазовращатель 9, смеситель 10, полосовой фильтр 11.Генератор на линии задержки наПАВ...

Номер патента: 1206677

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Лухвич, Рудницкий, Шукевич

МПК: G01N 27/72

Метки: магнитных, поверхностных, слоев, толщины

...4 2 О может служить хром, нанесенный гальваническим путем. Ее толщина выбирается из следующих условий;25 0 усом 2 мм лщину ни Постоянный магни ать ет контролиро покрытий с в е 2-300 мк позвол келевь очностьюолщине с 0,05(сЕПетсисим зон00 в диапсвышение от тклонети силы на акс)ф ( инеиности за ия - толщина а показания шарового сегмента радиу мм- толщи- намаг посто тяж яжения в а оболочки, мм;иченность материаланного магнита, кАм параметро:.ективно итно чесме яниягнитного магнита покрыт ичивание лем. Кр аняет отя, что обеспечива покрытия более од ме того, оболочка т намагородным редохизноса по эксплуат ы немагни овия отст тоянныиции. Нижной обол агнитий прев про дел толщи ран из ус шероховат чки вы влиян ти...

Номер патента: 1210851

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Вощенко, Золотуев, Соловьев, Чугаев

МПК: A61N 1/42

Метки: гнойно-воспалительных, заболеваний, лечения, поверхностных

...после двух бессонных ночей, Оказалось, что праваякисть отечна, третий палец синюшнобагрового цвета, на уровне средней(Ъалацги с волярной поверхности имеется черно-бурая корочка. Диагноз:подкожный панариций третьего и:".,: цаправой кисти. Поц местным обезболиванием 27,-ным раствором новокаина 1 Опроизводят широкое вскрытие гнойникас последующим наложением дренажнойрезиновой полоски, контапертуры иповязки, Через сутки повязку и дренажную резинку удаляют и выполняют туалет раны ЗБ-ной перекисью водорода. Затем проводят сеанс магнитно-кислородно-ультраФиолетлучевой камерной терапии с экспозицией 10 мин, который в дальнейшем выполняют ежедневно. 1( 18-м суткам рана эпителизировалась практически полностью,П р и м е р 2. Больная Б 31...

Номер патента: 1224276

Опубликовано: 15.04.1986

Автор: Карнаухов

МПК: C02F 3/32

Метки: биологической, вод, поверхностных

...может питаться планктоном, неизбежно появляющимся в новом водоеме По мере роста окуня его пищевая база расширяется за счет личинок насекомых, постепенно заселяющих водоем.Нижний предел плотности вселенияй окуня в количестве 0,1 экз. на 1 м определяется минимально необходимым количественным соотношением моллюски рыбы для обеспечения воспроизводства моллюсков. Верхний предел плотности вселения окуня в количестве 0,5 экз. на 1 м определяется минимальной продуктивностью водоема-накопителя с относительно чистой водой.Способ осуществляют следующим образом.Искусственно выращенных или отловленных в природных биоценозах особей окуня длиной 3-4 см вселяют в водоеты-накопители, содержащие моллюсков родов Аподопа и п 1 о. Количество вселяемых...

Номер патента: 1224601

Опубликовано: 15.04.1986

Автор: Балданов

МПК: G01H 5/00

Метки: акустических, волн, наклонными, поверхностных, преобразователями, скорости

...волны в электрический импульс, который поступает ца 1 т 01 оп вуОд измерителя 7 ца первый вход которого поступил импульс с вьгхода генератора 75 зон дцруеоших имцуьсов. Изееерггезе 7 измеряет временной интервал Т между моментом иэлучеция ультразвука и.01 ецтО 1 пр 1 ем. дл 51 пер 1 Ого располо жеция излучаощего наклонного преобразователей 1 и 2 ца первом зьукопроводе 3. 1-асполагаеот излучающийи приемный 2 цаклонцые цреобразонатеЛ 1 Нс 1 ВТОРОМ Расст 051 РИ лРУГ ОТ друга путем перемещения вто 1 ого цаклоиого преооразоватеепя 2 ца расстояП 1 е ь 1 огределяемое г;ыражениемЬ 1. =- 1, - 1. (1) где 1., - второе расстояеие Кеж-ту цзлусаоЕпи пиемцьг 2 1 аклоцПЬ" Че 1 рЕОблаэоВЕТЕЛяМпервое расстояеп 1 е ежду излучаощими приемным 2 цаклопцы...

Номер патента: 1224775

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Васильев, Копп, Румянцев

МПК: G02F 1/11, G06G 9/00

Метки: акустических, акустооптический, волнах, модулятор, поверхностных

...215 2В описываемом АОМ на ПАВ выполнение планарного волновода в виде цилиндрической поверхности обеспечивает увеличение длины взаимодействиясвета со звуком, что позволяет уменьшить акустическую мощность, необходимую для получения высокой дифракционной эффективности. Длина взаимодействия при взаимодействии света с расходящимися акустическими волнамипрямо пропорциональна апертуре электроакустического преобразователя ПАВи обратно пропорциональна расходимости акустических волн, Полоса чвс.дотот дГ в таком АОМ прямо пропорциональна расходимости акустическихволн.На фиг.2 на призму ввода света 3входной оптический луч 5 падает так,что фронт расходящихся ПАВ он пересекает под углом. Причем, при движении луча света от призмы ввода допризмы вывода...

Номер патента: 1226301

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Гуменюк, Красиков, Лукин, Яковлев

МПК: G01N 29/04

Метки: глубины, поверхностных, трещин

...между моментами ихприхода и по предлагаемой формулеопределяют глубину трещины. Этотспособ позволяет расширить технологические воэможности контроля, по"скольку контроль можно проводить вслучае одностороннего доступа к;тол рощины импульс рэлеевской, кой о.)ь.Отсжень 1 О 1 олижпеи Й, ,::Вской олнь, О"1)аженный Отрсщп )ь: 4=с рвет я итерза:с 1 "1 М "1,1 О 0) УЛ 1 ЬСОВ - 1 1 ос.)О,и)( Вот)н биу "реН 1ь. - Интервал Времени между импупьсом, отраженным от ближней кромки трещины, и импульсом, отраженным от ееЕРЩИНЫ,.Субину тре)1 ины определяют непосредственно на экране дефектоскопа,:ал 1:а (оторый поступает с ультра:вуковэго прео разователя 1.ля этого пред-,:-рите,ьно дефектоског. настраивают с этаным образцам так, чторасстояние на е: о экране...

Номер патента: 1234765

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Килин, Малышев

МПК: G01N 27/90

Метки: объектов, поверхностных, слоев, ферромагнитных

...5, который подключает выход амплитудного детектора 4 к входу блока 6 памяти. Сигнал с выхода блока 6 подается на первый вход решающего блока 7, после этого О 15 20 25 30 35 блок 8 программ включает нагревательный элемент 11. При достижении контролируемой деталью заданной температуры, которая контролируется преоб" разователем 9 температуры, блок 1 О управления нагревом отключает нагревательный элемент 11, а блок 8 программы дает команду на коммутатор 5 и выход амплитудного детектора 4 подключается к третьему входу решающего блока 7. Здесь происходит сравнение этого сигнала с сигналом, который запомнился блоком 6 памяти. Разница этих сигналов после того, как блок 8 программ дает команду разрешения на второй вход решающего блока 7, подается...

Номер патента: 1245937

Опубликовано: 23.07.1986

Авторы: Ляшенко, Мищук

МПК: G01N 3/56

Метки: пар, поверхностных, слоев, состояния, трения

...елью изобретения является повышение точности за счет уменьшениярассеивания электромагнитной энергии.На чертеже приведена схема устройства, реализующего способ,Исследуемая пара трения, образо Ованная образцами 1, выполненными ввиде роликов, размещенных в держателях 2 устройства для испытания материалов на трение и износ, установлена в объемном резонаторе 3, внут-15ренняя поверхность которого имеетформу двух параллельно расположенныхсоприкасающихся цилиндров.Резонатор 3 снабжен волноводами4, а в его корпусе в месте соедине Ония с волноводом 4 выполнена щель 5.Способ осуществляют следующим.образомОбразцы 1 вводят в контакт, нагружают заданной силой и сообщают Бзаданную относительную скорость сколь-.жения при заданных условиях трения.В...

Номер патента: 1250858

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Колешко, Мешков

МПК: G01L 11/00

Метки: акустических, волнах, давления, датчика, поверхностных, чувствительный, элемент

...частот генерации 11 и Ь генераторов на соответствующих ПАВ-структурах 4 и 5 в противоположных направлениях вследствие противоположного характера деформаций в центре и на периферии мембраны 3, В результате смещения частот в смесителе 8 получается разностная частота М=- Я, выделяемая ФНЧ 9. Частота Л 1 пропорциональная измеряемому давлению Р, причем температурный дрейф уменьшен вследствие включения ПАВ-структур 4 и 5 по дифференциальной схеме.Формирование мембранного УЭ проводят путем химического травления двухслойной структуры со стороны стекла 11 с большей скоростью растворения Ч 2 (фиг. 2 в). Процесс травления обычно ведут в смеси НГ и и Нй 04, причем Н 2504 служит для исклюО 5 20 25 30 .5 чения отложения на поверхности стекла...

Номер патента: 1255067

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Владислав, Ежи, Славомир, Ян

МПК: F23J 1/02

Метки: заполнения, одновременным, отходами, площадок, поверхностных, складских, теплоцентралей, теплоэлектростанций, уплотнением, электрои

...20 сроков эатвердевания смеси подачу суслензии эолы с водой осуществляюг с добавлением вяжущих веществ в холичестве 3-6 Ж от ее массы, выбранных иэ группы, содержащей негашенную из весть, гашеную известь, известь-душонку, гидратированный сульфат алюминия, гидратированный нитрат кальция, нитрат калия, сульфат калия, гидгидратированный хлорид кальция и 30 смесь этих веществ, При этом массо" вое содержание шлака, подаваемого с суспензией, выбирают равным 10-207. от ее массы. 810 45,70Мп,О, 0,05МяО 0,97Р О 0,11Еп 0,18А 1 О 23,18Т 1,0 0,85Ба 0 0,161,07РЬ 0,01Ре,Оа 19,29СаО . 2,47К О 1,51ЕпО 0,29РЬО 0,01,(потери при обжиге 4,153 ).перемешивают с водой в соотношении 1:1 ( кг зол на 1 кг производственной воды) с 55 образованием суспензии сухих...

Номер патента: 1255986

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Акпамбетов, Боженко, Гурьев, Тимошенков

МПК: G04F 10/06

Метки: акустических, волнах, времени, задержки, поверхностных, фильтров

...минимальной.Время задержки определяют по следующей формуле:т = +Ошибка измерения определяется восновном точностью фиксации момента3 12559 1 О Устройство позволяет проводитьизмерения времени задержки фильтровна ПАВ с точностью +0,01 нс. Динамический диапазон достигает 120 дБ.Введение супергетеродинного приемни.ка позволяет селективно выделять интересующую часть спектра, например,измерять корреляционную функцию импульсной характеристики фильтров наПАВ на третьей гармонике, уменьшивуровень помех. Это позволяет повысить точность и применять корреляторв промьппленных условиях для автоматизации технологического процесса,Использование устройства при производстве изделий на ПАВ позволяетболее качественно произвести из разбраковку по...

Номер патента: 1260697

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Мардежов, Хасанов

МПК: G01J 4/04

Метки: образцов, оптических, поверхностных, свойств, слоев, толщины, эллипсометр

...изотропных и анизотропных однослойных и многослойных отражающих систем,Целью изобретения является расширение области применения на проведение иммерсионных измерений при больших углах падения света.На чертеже изображена принципиальная схема эллипсометра.Эллипсометр содержит тубуспадающего света и тубус 2 отраженного света, крышки 3 и 4, полые трубки 5 и 6, вставленные в направляющие втулки 7 и 8 каждого из тубусов, оптические окна 9 и 10 из плавленного кварца, прикрепленные к торцу каждого тубуса, мягко гофрированную кювету 11 с дном 12 для размещения образца 13. Кювета расположена на предметном столике 14 и жестко с ним соединена. На дне кюветы имеется отверстие со .дтуцером, который соединен с резиновым резервуаром 15 с помощью...

Номер патента: 1260751

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Матвеев, Сергеев, Шебзухов

МПК: G01N 13/02

Метки: жидкостей, поверхностных, свойств

...алюминиевые прокладки пристыковываются калиброванная трубка 2 из нержавеющей стали и стеклянная часть прибора (через коваровый переходник), Манометрические капилляры 3 и 4, резервуар 1 для исследуемсго металл, и лейка для сбора жидкости 11 изготовлены из молибденового стекда. Устройство может раО, ботать при температурах до 500 С и давлении до 15 МПа. Верхний предел рабочих температур прибора определяется термостойкостью выбранногосорта стекла, Кроме того, максимально возможная температура исследований зависит от температуры началавзаимодействия между материалом капилляра и исследуемым металлом. Верхний предел рабочих давлений определяется прочностью камеры и не зави сит от прибора.Разборная конструкция устройствапозволяет расширить...

Номер патента: 1263993

Опубликовано: 15.10.1986

Автор: Михайлов

МПК: G01B 5/30

Метки: варианты, его, напряжений, остаточных, поверхностных, слоях, тела

...способу определения остаточных напряжений, заключающемусяв том, что на поверхности тела закрепляют датчики деформации, выполняют между ними прямолинейный надрез так, что датчики располагаютсявдоль одной оси, перпендикулярнойнадрезу, и симметрично относительнонего, измеряют деформации тела и поним определяют остаточные напряжения, датчики закрепляют на разноудаленных от надреза расстояниях,надрез углубляют напрерывно, одновременно измеряют его глубину и деформации, и учитывают или компенсируют влияние нагрева стенок надрезана показания датчиков.При этом для компенсации влияниянагрева стенок надреза на показаниядатчиков на недеформируемой частитела выполняют второй надрез, подобный первому, закрепляют на поверхности тела рядом с этим...

Номер патента: 1265580

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Венгринович, Леготин

МПК: G01N 27/83

Метки: геометрических, зон, локально-упрочненных, неразрушающего, параметров, поверхностных, слоев, структурных, ферромагнитных

...11перемагничивают изделие 4.Первоначально в процессе перемагничиванйя производят измерение интенсивности шума Ч в обмоткеменьшего 51диаметра, установленной на изделие вупрочненной зоне 5 шириной 1 Глубину информативного слоя Ь, данногопреобразователя и интенсивность шума7, при измерении на неупрочненном 10образце определяют предварительноперед контролем. Зная , по формуле(5) вычисляют приближенно глубинуупрочненного слоя Ь. Затем измеряютсигнал 7 , в обмотке 2, диаметр кото рой заведомо превышает ширину зоныупрочнения 2 . Зная Ь и Ч , по формуле (4) вычисляют приближенно ширину упрочненной зоны. Измерение интенсивности шума в обмотках 1 и 2 в 20данном примере производится с помо-.,щью последовательно соединенных ключа6,...

Номер патента: 1272198

Опубликовано: 23.11.1986

Автор: Дегтярев

МПК: G01N 23/227

Метки: анализа, зернограничных, количественной, межфазных, оже-спектроскопии, поверхностных, сегрегаций, состава, электронной

...химическим (или другим,но не с помощью электронной 15 оже-спектроскопии, и болееточным, чем последний) методом анализа, ат.7,;1 - интенсивность пика ожеэлектронов для одного из20 химических элементов (входящих в состав объекта) отвнутренней области объекта,отн. ед,П р и м е р. Определяют концентра 25 цию фосфора в области зернограничнойсегрегации стали после закалки при1200 С из соляной ванны в маслеи отпуска при 550 С 1 ч. Непосредственно перед проведением анализа обра 30 зец стали диаметром 3 мм с Ч-образным кольцевым надрезом разрушаютстатическим изгибом в камере спектрометра при комнатной температуре в вакууме 5 ф 10 Па. Поверхность изломаоблучают электронным пучком диаметром около 3 мкм с ускоряющим напряжением 5 кВ. Регистрируют...

Номер патента: 1283672

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Грищенко, Науменко

МПК: G01R 29/12, G01R 29/24

Метки: датчик, зарядов, поверхностных, потенциалов

...между образующей электродаи боковой поверхностью экрана, причем отношение высоты конуса к полуширине его основания лежит в интерваНле 0,5 ( - ( 2, Диэлектрическая про -ниц,замость вставки должна быть- 1-3,НПрецелы изменения - и значениеЕ выбраны экспериментально. При определении метрологических характеристик бесконтактных электростатическихиндукционных систем обычно пользуются представлениями о зондирующемполе Потенциал зондирующего поля определяется как лапласовское поле, 45возникающее в зондовой системе, еслина измерительном электроде задан единичный потенциал, а остальные проводники и экраны заземлены. ПриН 50( 0,5 коэффициент передачи постоянной составляющей, определяющий чувствительность системы, равенК = -- % К1 Ь55где Ь...