Патенты с меткой «поверхностных»

Номер патента: 1832037

Опубликовано: 07.08.1993

Автор: Акаткин

МПК: A61N 5/00

Метки: облучения, опухолей, поверхностных

...облучения налагают параллельно только в глубине тканей в плоскости 2=2 с шагом ЬЗ, большим характерных размеров, т.е, диаметра поля Оо=2 Во, нз их поверхности, При таком наложении полей при большом шаге ЛЯ точки С и В получают неравные дозы и ткани облучзются неравномерно в пределах субклинической зоны в плоскости 2=2 о, При этом создаются чередующиеся в большей и меньшей степени облученные участки при возможности их регулировки по размерам изменением ьеличины шага ЛЯ и характерных размеров поля облучения при Оо=2 Во, т,е, достигается возможность объемного фрзкционировзния дозы в тканях.Для облучения по предлагаемому способу определяют размеры субклинической зоны опухоли и выбирают технические условия для рабочего пучка, выбирают размер...

Номер патента: 1832189

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Бремер, Брехбюль, Вундерлих, Ефанов, Кемпфе, Кертель, Ценкер

МПК: G01N 23/20

Метки: зон, кристаллических, напряженного, образцов, поверхностных, рентгенодифрактометрического, состояния, частично

...углы поворота составОо + 120 о + 240 оизмеренных при этих углах поворота величин углов отражения формируют среднююарифметическую величину Г=(ир, +юр, + 1 гоо+йро+г 4 оо)/3 (1) Эта величина м,844 О. Величина угла отражения Рсвязана со средней величиной деформации кристаллической решетки 7 соотношением-с 19 о(фф-уо) =е. (2)Сумму нормальных напряжений (011+ огг) теперь можно определить из известного уравнения линейной теории упругости"+ (3)-- зп ф+е 1г2 2где е 1 и а - рентгенографические постоянные упругости, соответственно равные для никеля е 1 - -1,48 10 ммг/Н и - = 13,22 10 мм 2/Н (4). Для описанного случая величина (011+ ог) - -26,4 Н/мм .Во втором случае использован начальный угол поворота уЪ - 60 при том же делении полного...

Номер патента: 1835591

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Груздев, Дегтярев, Усов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, пав, поверхностных, пьезоэлектрический

...возбуждаемой волны, уменьшение ее переотражений электродами гребенок и уменьшение емкости при работе преобразователя предлагаемой конструкции достигается тем, что дае электродные гребеаки выполняются вдвинутыми друг в друга, длины электродов которых сделаны изменяющимися а соответствии с требуемым законом аподизации, контактные площадки делаются в аиде полосок неизменной ширины, 8 сао 5 10 15 20 25 30 35 40 бодные зоны между концами электродов гребенок введены сплошные металлизированные площадки, конфигурация которых обеспечивает равенство пути, проходимого ПАВ под (или над) металлизированными участками поверхности пьезоплаты на протяжении всей решетки и по любой траектории, перпендикулярной электродной гребенке, а зазоры между...

Номер патента: 1835592

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Иванов, Макаров, Орлов, Швец

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, высокочастотный, однонаправленный, поверхностных

...8, 9могут быть выполнены из разомкнутых металлических полосок, например, ширинойЯо/4 (в этом случае Лх=гп Яо/2 - 4/8,(фиг. 1), замкнутых (в этом случае Ах=а ххЯО /2+ Яо /8) или комбинированных металлических полосок (фиг. 2), взвешенных по Средняя частота о преобразователя может быть выбрана совпадающей с частотой любой из ангармоник. С точки зрения эффективности возбуждения ПАВ и следовательно с точки зрения обеспечения минимальных потерь при работе на высоких частотах, предпочтительной является работа на ангармонике п=5.При од ковом числе возбуждаемых электродов в секции, например, трех, в устройстве-прототипе и предлагаемом ОНП для последнего удельные эффективность и направленность излучения (на длину волны) выше, так как в первом...

Номер патента: 1835593

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Болгов, Матвеев, Мордвинов, Никитин, Сорокин

МПК: H03H 7/30, H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая

...задержки состоит (фиг, 1, 2) из звукопровода 1, входного преобразователя 2 электрических сигналов в ПАВ и выходного преобразователя 3 ПАВ в электрический сигнал,На фиг. 1 показаны также микрометрические винты 4 и 5. имеющие разный шаг резьбы и служащие для перемещения подвижных преобразователей 2 и 3 для настройки линии задержки на определенное время задержки. Для визуального контроля за устанавливаемым временем задержки устройство снабжено прокалиброванной в единицах времени задержки шкалой б, неподвижно установленной на пластине 2 и подвижной относительно указательной стрелки закрепленной на пластине 3,На фиг. 2 неподвижная пластина 1, служащая звукопроводом с целью изменения линейных размеров имеет подковообразную форму, а каждый...

Номер патента: 1838877

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Андреев, Белявский, Кмита, Марков

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волн, встречно-штыревого, поверхностных, преобразователя

...каждой пары электродов 14, 15, и 16, 17 соответственно. Пространственный период 50 электродов в каждой секции равен 2(А/2-Ь)++ 2 Ь = А. Покажем, что при изготовлении преобразователя предложенным способом отключения размеров а и Ь от расчетных значений, связанные с трудностью контро ля процесса травления, не приводят к заметному искажению электротехнических характеристик преобразователя. В случае, если подтрав первого слоя металлизации не соответствует расчетному значению Ь, на 1838877пример, превышает ее на величину ЬЬ, электроды 14 и 16 первой и третьей групп, формируемые иэ первого слоя металлизаци, как было описано выше, будет иметь ширину а 1 " ( Л/2 - Ь- Ь Ь). В то же время ширина электродов 15 и 17, формируемых и второго слоя...

Номер патента: 2000655

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Бельский, Домбровский, Русаков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, приемников, промежуточной, телевизионных, тракта, фильтр, частоты

...которым является электрод первой группы, правым - второй группы:4 б, 8 б, 10 б, 12 б, 14 б, 16 б, 18 б, 20 б, 23 б, 29 б - все перекрытия, левым электродом которых является электрод второй группы, правым - первой группы;где б - наименьшее расстояние между серединами эон перекрытия электродов различных групп.На фиг, 1 изображено предложенное устройство; на фиг. 2 - одна из возможных конфигураций предложенного преобразователя; на фиг. 3 - график.Фильтр на ПАВ содержит звукопровод 1, на рабочей поверхности которого расположены вподизованный преобразователь 2 и ВШП, взвешенный при постоянной длине перекрытий 3, Фильтр на ПАВ работает следующим образом. Преобразователь 3 возбуждает в звукопроводе 1 ПАВ, которая распространяется к...

Номер патента: 1436609

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Меркулова

МПК: G01B 5/30

Метки: металлических, напряжений, остаточных, поверхностных, слоях

...полученной кривой для определения ос- Ы таточных напряжений по скорректирован-, ным результатам измерения деформации.На чертеже представлена временная диаграмма измерения деформации при реализации способа на стальном образце, уп рочненном микрошариками. Способ осуществляют следующим образом,Исследуемую металлическую деталь помещают в электролизную ванну с травильным раствором и погруженным в раствор катодом. К детали и катоду по соответствующим шинам подводят напряжение от исФ о р мула. и за бр ете н и яСПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ДТАЛЕЙ, за ключающийся в том, что исследуемую деталь помещают в электролизную ванну с травильным раствором и катодом, к детали и катоду подводят напряжение от...

Номер патента: 2002363

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Абрамов, Берковский, Молотков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, дифференцирования, значений, мгновенных, поверхностных, радиосигналов

...в общем акустическом канале расположены веерные ВШП 2, 3, причемэлектроды преобразователей выполнены изогнутыми наружу по отношению к осямсимметрии преобразователей, причем одинаково в обоих преобразователях,Рассчитана форма электродов ВВШП для устройства дифференцирования мгновенных значений радиосигналов с центральной частотой 1 о = 100 МГц, полосой пропускания Л = 70 МГц, апертурой 5 мм,числом электродов 29 и 23 в первом и втором преобразователях соответственно. Дляформирования АЧХ треугольной формыпространственный период д преобразователей менялся в направлении, перпендикулярном направлению распространения10 ПАВ в соответствии с формулойб -ч. +л 1 у/щ)3где ч - скорость ПАВ;Ь - нижняя граничная частота полосыпропускания;Л 1 -...

Номер патента: 1655279

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Гарова, Григоревский, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/44

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...2, перпендикулярного рабочей поверхности звуко- провода 1,Устройство работает следующим образом. На входной преобразователь 4 подается сигнал, спектр которого содержиг, н частности, все частоты в полосе В = 1 н - п, где 1 в и 1 н - соответственно верхнлл и нижняя частоты полосы пропускания ДЛЗ. Акустическая волна А, излученная входным преобразователем 4, достигая первых 11 и вторых 13 частей наклонных отражательных элементов решетки б, частично проходит че рез решетку 6 н направлении решетки 8 (волны А 1 и А 2), а оставшаяся часть (волны Аз и А 4) отражается под углом, близким к 45 О, в направлении к знукопоглотителю 10. Так как первые части 11 наклонных отражательных элементов решетки 6 сднинуть относительно их вторых частей 13 на...

Номер патента: 1627052

Опубликовано: 15.01.1994

Автор: Молотков

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

.../Под ред. Г.Мэттьюза дио и связь, 1981, с. 319-322,Агпзтгопд .1,А, е а 1 Еп 91 пеег 1 п апд еча 1 цат 1 оп о 1 БАЮ ро 1 ве согп И 11 егэ МФ 1 оа тгпе вснеОЬез.Т 1 е Вабо апг Е 1 ес 1 гопс Еп 91 пе ч.46, йг 5, р,222,кустиче М Ра Оез 19вопг, 197 родов совпадало бы с расстоянием между средними линиями двух соседних электродов первого ВШП 2, середина области пере- крытия которых лежит в данном сечении апертуры акустического канала. Ширина электродов второго ВШП 3 должна быть такой, чтобы в каждом сечении апертуры акустического канала отношение ширины электрода к расстоянию между серединами соседних электродов равнялось коэффициенту металлизации, Угол наклона первого ВШП 2 определяется его протяженностью, апертурой и полосой...

Номер патента: 1228722

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Алейникова, Кислякова, Кондратьев, Сутырин, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H01L 21/306

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий изготовление кристалла с топологией резонатора, монтаж кристалла в корпус и подстройку центральной частоты резонатора путем обработки в ВЧ-плазме, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, за счет улучшения воспроизводимости обработки в плазме и улучшения долговременной стабильности резонаторов, обработку проводят в ВЧ-плазме нейтрального газа.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку проводят в плазме аргона при давлении аргона 13,3 - 26,6 Па, в течение 120 - 600 с, причем в зависимости от требуемой величины подстройки время обработки определяется какt=

Номер патента: 1762727

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ , включающий обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки, нанесение фотоpезиста, фоpмиpование pисунка встpечно-штыpевых пpеобpазователей и отpажательных pешеток и фоpмиpование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения пpоцента выхода годных pезонатоpов, за счет повышения адгезии фотоpезиста к повеpхности подложки, обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки пpоводят путем ионно-химического тpавления на глубину 80 - 120 нм, пpи этом используют в качестве газа - тpавителя фpеон CF4, а фотоpезист наносят не более чем чеpез 2 ч после обpаботки повеpхности тpавителем.

Номер патента: 1130158

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Карпеев, Кондратьев, Речицкий

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

УСТРОЙСТВО НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащее звукопровод и размещенные на нем в общем акустическом канале широкополосный и аподизованный с переменным перекрытием электродов полосозадающий встречно-штыревые преобразователи и расположенные между ними токопроводящий экран, отличающееся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения амплитудно-частотной характеристики путем уменьшения дифракционных искажений, в токопроводящем экране со стороны аподизованного преобразователя вдоль направления распространения акустической волны выполнены прорези, пространственный шаг L которых монотонно возрастает от центра токопроводящего экрана к его периферии, причемai/L

Номер патента: 1713405

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Литвиненко, Молотков

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

ДИСПЕРСИОННАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ по авт. св. N N 1627052, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения вносимого затухания, второй преобразователь смещен на расстояние относительно первого вдоль своей оси симметрии в сторону того края апертуры, где расположены электроды первого преобразователя, наиболее удаленные от второго преобразователя, причем = Xcos 1 + ,где - угол наклона первого преобразователя;K - коэффициент...

Номер патента: 1750407

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, приборов, центральной, частоты

1. СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ ПРИБОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты прибора, сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют обработку поверхности прибора в ВЧ-плазме нейтрального газа, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора, управление величиной подстройки центральной частоты осуществляют путем изменения плотности ВЧ-мощности в плазме, при этом обработку прибора в ВЧ-плазме осуществляют в течение 15 - 20 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при проведении обработки прибора в плазме аргона требуемую плотность ВЧ-мощности в плазме определяют, исходя из...

Номер патента: 1750406

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий обработку в плазме аргона в течение 120 - 600 с, отличающийся тем, что, с целью повышения точности настройки, перед обработкой в плазме аргона проводят предварительную настройку частоты путем отжига кристаллов в атмосфере водорода при 250 - 450oС, а обработку в плазме аргона проводят в течение времениt = ,где t - время обработки/ с;f - частота резонатора перед окончательной подстройкой, Гц;

Номер патента: 1779212

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Кондратьев, Машинин, Науменко, Орлов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, однонаправленный, поверхностных

ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН(ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого расположены периодические структуры с первым и вторым в направлении излучения ПАВ противофазными возбуждающими электродами, объединенными соответствующими суммирующими шинами, замкнутый отражающий электрод, выполненный в виде двух металлических полосок, параллельных возбуждающим электродам и соединенных перпендикулярной металлической перемычкой, и изолированный отражающий электрод, выполненный в виде металлической полоски, параллельной возбуждающим электродам, отличающийся тем, что, с целью повышения направленности излучения ПАВ и технологичности, в каждую периодическую структуру дополнительно введены...

Номер патента: 1790288

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Борисенко, Новиков, Пивен, Соловей

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, поверхностных

...и второй входыпервого 18 и второго 21 счетчиков координат являются соответственно вычитающим и суммирующим, В зависимости от кода знака схема 19 управления выбирает один из этих входов,Состояние счетчика 22 приращений до хождение видеосигнала на выход схемы 4записи в него текущего приращения харак- совпадения, а затем йо сигналу от схемы 20 териэуется как нулевое и нулевой сигнал на сравнения элемент 3 памяти запрещает его втором выходе запрещает схеме 19 уп- прохождение видеосигнала на выход схемы равления прохождение импульсов тактовой 5 4 совпадения, тем самым Формируя локальчастоты на счетчики 18 и 21 координат. Сиг- ное окно.налами со схемы управления разрешается Детектор 5 выделяет бинарные сигназапись приращения из блока 15...

Номер патента: 1225457

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Заличев, Карпеев, Кондратьев, Семенов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН, содержащий пьезоподложку с расположенной на ее рабочей поверхности встречно-штыревой структурой электродов, образованной двумя вложенными друг в друга периодическими решетками однофазных штыревых электродов одинаковой апертуры, одноименные концы которых гальванически соединены с двумя соответствующими коллекторными шинами, расположенными вне апертуры преобразователя и выполненными в виде металлических полос постоянной ширины, одна из которых имеет форму меандра с периодом, равным периоду решетки однофазных электродов, соответствующие концы коллекторных шин гальванически соединены между собой, а их средние выводы соединены с сигнальной и общей клеммами преобразователя, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 1517711

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/00, H03H 9/64

Метки: акустических, волн, поверхностных

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены первая и вторая электродные структуры, каждая из которых содержит контактные площадки и две разнополярные группы параллельных перекрывающихся электродов, причем штыревые электроды первых групп гальванически соединены между собой, а штыревые электроды вторых групп соединены гальванически соответственно с первой и второй контактной площадкой, перекрытие штыревых электродов в первой электродной структуре выполнено неравномерным, а электроды первой группы первой электродной структуры соединены между собой резистивными элементами, а также потенциальную и общую клеммы, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1591729

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

ФИЛЬТР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку с расположенным на ее рабочей грани двунаправленным входным преобразователем ПАВ, по обе стороны от которого размещены первый и второй выходные преобразователи, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вносимых потерь, выходные преобразователи выполнены из полосковых электродов, объединенных с одной стороны контактными площадками, которые электрически соединены между собой через резистор, причем расстояния между продольными осями симметрии соседних электродов в выходных преобразователях и расстояния между вертикальной осью симметрии входного преобразователя и ближайшими к нему электродами первого и второго выходных преобразователей выбраны из...

Номер патента: 1313314

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, кварцевых, поверхностных, подстройки, резонаторов, частоты

СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение частоты резонатора и сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют нагрев резонатора при температуре, превышающей 250oС, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов подстройки частоты и повышения ее точности, нагрев резонатора осуществляют в течение 20 - 40 мин, а температуру нагрева выбирают из выражения500 C > T = 250 C + A ,где Т - температура...

Номер патента: 1335110

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), включающий формирование на рабочей грани пьезоэлектрической подложки системы канавок отражательных решеток, заполненных электропроводящим материалом, и электродов встречно-штыревых преобразователей, формирование защитного покрытия для встречно-штыревых преобразователей, вытравливание электропроводящего материала из системы канавок отражательных решеток, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты, в процессе формирования системы канавок отражательных решеток их дополнительно вытравливают на величину, равную 10 - 15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего...

Номер патента: 1313317

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Кисляков, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонатор

РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку, по крайней мере один встречно-штыревой преобразователь (ВШП) ПАВ, электроды которого расположены в углублениях на рабочей грани пьезоэлектрической подложки, и отражательные структуры, выполненные в виде системы канавок, глубина которых меньше глубины углублений под электродами ВШП ПАВ, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности конструкции резонатора, область пьезоэлектрической подложки с электродами ВШП ПАВ выполнена с выступом над областями пьезоэлектрической подложки с канавками отражательных структур, причем высота выступа выбрана в соответствии с выражениемh = h1-h2 ,где h - высота выступа...

Номер патента: 1419474

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Колковский, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, устройств

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий формирование на пьезоэлектрической подложке токопроводящего слоя электродов и электрических шин встречно-штыревых преобразователей (ВШП), регистрацию амплитудно-частотной характеристики, сравнение ее с заданной по результатам которого осуществляют отбраковку изготавливаемых устройств, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых устройств, одновременно с формированием токопроводящего слоя электродов и электрических шин ВШП формируют между электрическими шинами ВШП токопроводящий слой в виде меандра, измеряют его сопротивление, производят сравнение его значения с заданным; по результатам которого осуществляют дополнительную отбраковку...

Номер патента: 1620022

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Дивногорцев, Кондратьев, Науменко, Орлов, Семенов, Синицина

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, однонаправленный, поверхностных

ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН(ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого расположена встречно - штыревая структура электродов, противофазные возбуждающие электроды которой объединены первой и второй суммирующими шинами, и отражающие электроды, размещенные между соответствующими возбуждающими электродами с расстоянием между центрами возбуждающих и отражающих электродов, равным одной восьмой длины ПАВ на средней частоте однонаправленного преобразователя, и выполненные в виде металлических полосок, попарно соединенных одна с другой перемычками и размещенных на расстоянии между их центрами, равном одной четверти длины ПАВ на средней частоте однонаправленного преобразователя,...

Номер патента: 1783947

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты резонатора, сравнение ее с заданной и плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора в плазме фторсодержащего газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных резонаторов, перед измерением центральной частоты дополнительно проводят обработку резонатора в плазме нейтрального газа в течение 200 - 300 с.

Номер патента: 1517710

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Кондратьев, Кузнецов, Петржик, Синицына

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН (ПАВ), содержащий расположенные на звукопроводе, выполненном из YXI/+127 86o ниобата лития, систему встречно-штыревых противофазных электродов, объединенных электрическими шинами, и группу пассивных электродов, соответствующие края части которых попарно соединены проводящими перемычками, отличающийся тем, что, с целью уменьшения уровня вносимых потерь, проводящие перемычки выполнены в форме равнобедренного треугольника с основанием, перпендикулярным продольной оси симметрии электродов преобразователя, и с боковыми сторонами, образующими с этой осью углы 120

Номер патента: 1258281

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Алексеев, Ермолов, Злоказов, Проклов

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, пав, поверхностных, регулируемая

РЕГУЛИРУЕМАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ (ПАВ), содержащая звукопровод, выполненный из монокристалла редкоземельного молибдата в виде бидоменной пластины, плоскость доменной границы которой перпендикулярна большим граням звукопровода, размещенные на рабочей поверхности звукопровода входной и выходной встречно-штыревые преобразователи (ВШП), акустические оси которых взаимно ортогональны и образуют с плоскостью доменной границы углы /4 и 3 /4 соответственно, управляющие электроды, размещенные на больших гранях звукопровода между входным и выходным ВШП, источник регулируемого...