Патенты с меткой «поверхностных»

Номер патента: 864104

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Брон, Мужицкий

МПК: G01N 27/87

Метки: глубины, дефектов, поверхностных, ферромагнитных

...со входом амплитудного дискриминатора 7 с индикатором 8. Контролируемая поверхность 4 и преобразователь-градиентометр 3 перемещаются относительно друг друга со скоростью М . Иэмере864104 формула изобретения Заказ 7771/6Подписное ВНИИП Тираж ние сигнала производится измерителем9 амплитуды, в качестве которого может быть использован, например, импульсный вольтметр.Способ осуществляется следующимобразом. 5Преобразователь-градиентометр 3перемещают относительно поверхности4 с минимальным зазором Ф до техпор, пока не будет обнаружен дефект5. При этом база а должна быть минимальной и соответствовать зазоруФ,После обнаружения дефекта 5 устанавливают зонд с большим зазором уа полуэонды 1 и 2 с большей базойа;, соответствующей этому зазору,...

Номер патента: 866465

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Баранова, Белов, Щипцов

МПК: G01N 27/20

Метки: глубины, материалах, немагнитных, поверхностных, трещин

...и с входом блока измерения добротности, выход которого соединен с входом Функционального преобразователя, выход которого соединен с управляющим входом усилителя.На фиг. 1 представлена функциональная схема устройства; на фиг. 2 приведен график зависимости добротности катушки О. от проводимостиматериала (Яо соответствует материалу с наиболее высокой проводимостью, в данном случае меди); на фиг. 3 - график зависимости напряжения на потенциальных электродах ЬЧ от проводимости Я; на Фиг., 4 - Функция, реализуемая Функциональным преобразователем.Устройство содержит генератор 1 переменного тока, токовые электроды 2 и потенциальные электроды 3, ко.торые подсоединяются к исследуемому материалу 4, усилитель 5, регистрирующий прибор 6,...

Номер патента: 868618

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Карпов, Харлампиев

МПК: G01R 23/16

Метки: акустических, анализатор, волнах, поверхностных, спектра

...од.- нолепестковой диаграммы излучения ПАВ на выходе пространственного спектрального разветвителя прямоугольные замедляющие электроды размещают ступенчато относительно направления Фронта распространения ПАВ от входного преобразователя (Фиг.4).Работа анализатора осуществляется следующим образом.Входной высокочастотный сигнал, спектр которого подлежит измерению или разделению, поступает на входной йреобразователь 3, где он преобразуется в ПАВ, распространяющуюся через прямоугольные замедляющие электроды 7 пространственного спектрального разветвителя 4. Пространственный спектральный разветвитель 4 для ПАВ 15 26 25 ЗО 35 4 О 45 50 еО представляет фазовую дифракционную решетку, на выходе которой в ее дальней зоне образуются...

Номер патента: 869790

Опубликовано: 07.10.1981

Автор: Буткус

МПК: B01D 21/02

Метки: вод, водоприемник, поверхностных

...изменякщиися коэффициентом откоса, а верхняя часть корпуса размещена на уровне пахотного слоя.На фиг, 1 представлен водоприемник, разрез, на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.Водоприемник поверхностных вод содержит заглубленный в пахотный слой 1 корпус, состоящий из верхней части 2, размещенной на уровне пахотного слоя 1, и нижней части 3.Верхняя часть 2 корпуса имеет крышку 4 с отверстиями 5 для приема воды, а ее боковые стенки 6 выполнены пологими с изменякщимся коэффициен" том откаса. В нижней части 3 корпуса выполнен патрубок 7 для отвода воды в дренажную сеть.Работает водоприемник след 1 рсщим образом.. Поверхностная вода через отверстия 5 попадает в нижнюю часть 3корпуса, иэ которой по патрубку 7 отводится в дренажную сеть,ФВ связи с...

Номер патента: 871301

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Акпамбеков, Карпеев, Речицкий

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...структур по и электродов в каждой.В871301 формула изобретения Составитель В.Банков актор Н.Ахмедова Техред М. Голинка Корректор С,ЩомаЗа 54/28 Тираж 991 ВНИИПИ Государственно по делам изобретЕн 113035, Москва, Ж, Подписноекомитета СССРи открытийушская наб., д. 5 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 общем случае электродная структура преобразователя 2 представляет собой периодическую решетку, в частном случае - разреженную решетку.Расстояние между группами возрастает в направлении распространения поверхностной акустической волны пропорционально номеру группы (1 - М) и предельному разрешению фотошаблона ЬТ, причем это расстояние кратноьТ .1 Числа элементов в группепропорционально, а в случае периодической решетки равно...

Номер патента: 875589

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Банков, Карапетьян, Стремовский

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр

...- задаваемая функция огибающей импульсного отклика;Х - координата центра И -го штыря;Ь = полупериод расположения штырей(расстояние между центрами штырей);Цу - переменная интегрирования;К-со .Ж Йи2 ЬНа чертсже изображен предлагаемый полосовой фильтр на ПАВ.Фильтр содержит первый ВШП 1 с перемен.ным отношением 6 Ь и второй ВШП 2 спостоянным отношением с нанесенные напьезоэлектрическую подложку 3, Для устраненияотражений ПАВ от краев подложки используется акустический поглотитель 4,При подаче на ВШП 1 гармонического сигнала в подложке 3 генерируется ПАВ, амплитудакоторой равна2.(Н) - функция распределения электрическо.го поля под штырями ВШП, котораяпри постоянной ширине штырей имеет вид- полный нормальный эллипт - )ческий интеграл 1-го...

Номер патента: 875591

Опубликовано: 23.10.1981

Автор: Глушков

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, перестраиваемый, поверхностных, фильтр

...5-8 расположены так, что выполняется условие расстояние между дополнительным преобразователем иближайшей к нему дополнительной отражательной структурой;Ч - скорость распространенияПАВ на участке свободнойповерхности пьезоэлектрической подложки между отражательными структурами; Ч - скорость распространенияПАВ на участке свободнойповерхности пьезоэлектрической подложки между входными преобразователями иближними к ним отражательными структурами. Протяженность фотопроводящего слоя 10 х, на пути распространения ПАВ от любой частотной составляющей Й, спектра сигнала выбрана из условия компенсации соответствующих частотных составляющих, которое может быть определено соотношениемЯ дЧ(1 )И,дЧ Чгде дЧ - изменение скорости распространения...

Номер патента: 881980

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Пирогов, Чалабян

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волн, поверхностных, преобразователя

...стравливание незащищенных контактной маской участков облученной поверхности пластины 1 с использованием процесса ионного травления;удаляют контактную маску. Оставшийся35 участок 7 ограничен в плоскости.плас" тины 1 контурными линиями 8, при этом характер изменения контура участка соответствует функции аподизации импульсного отклика преобразователя ПАВ;, 40 производят металлизацию рабочей поверхности пластины 1 (например, термовакуумным напылением алюминия) .При этом на поверхности пластины 1 и на участке создается. слой металла 9;снова применяют фотолитографический процесс для формирования электродов 10 и шин 11 преобразователя ПАВ,Обработка рабочей поверхности пластины 1 ионизирующим излучением и последующее формирование из...

Номер патента: 885912

Опубликовано: 30.11.1981

Автор: Карапетьян

МПК: G01R 23/00

Метки: акустических, анализатор, волнах, поверхностных, спектра

...не может быть сделана меньше нескольких длин поверхностных акустических волн.Цель изобретения - увеличение разрешающей способности.Поставленная цель достигается тем, что анализатор спектра, содержащий пьезоподложку с акустическими поглотителями на концах, на полированной поверхности которой расположены первый и второй встречно-штыревые преобразователи с изменяющимся вдоль апертуры периодом, снабжен генератором коротких видеоимпульсов, соединенным.Тыкей Техред Е.Харитончик орректор А.Д Редакто з 10536/66ВНИИПИ 1"опо Тираж 735 Подписи ударственного комитета СССР елам изобретений и открытий ква, )(-35, Раушская наб д, е 1 о иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная,составляющими исследуемого сигнала, которые еще могут быть разрешены,...

Номер патента: 886214

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Анисимов, Лагунов

МПК: H03H 9/72

Метки: акустических, волнах, поверхностных, регулируемый, фазовращатель

...в регулируемом фазовращателе на ПАВ на рабочейповерхности пластины между преобразователями под управляющим электродом размещен слой жидкого кристалла, имеющегопланарную ориентацию,На чертеже показана конструкщи предложенного фазовращателя.Он содержит пьезоэлектрическую пластину 1, входной 2 и выходной 3 встреч-.но-штыревые преобразователи, управляющие электроды 4 и 5, подключенные кисточнику 6 регулирующего напряжения,и слой жидкого кристалла 7. Слой жидкого8862кристалла 7 имеет планарную ориентацию и расположен в электрическом поле, соэ даваемом электродами 4 и 8, и может быть выполнен на основе метоксибенэилиден-бутиланилина5При изменении величины регулирующего напряжения происходит переориентация молекул в слое жидкого кристалла,...

Номер патента: 887470

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Гарцман, Герштейн, Кузнецов, Матаруев

МПК: C02F 1/52

Метки: дождевых, поверхностных, разделения, стоков, талых, удаления

...крупных плавающих взвесей.Подъем корзины осуществляется при помощи тали 15. Кроме того, устройство дляразделения и удаления поверхпостных дождевых и талых стоков снабжено шламовыми насосами 16 для периодической откачкивзвеси, выпавшей во второй камере, а впервой и второй камерах установлены датчики 1 и 18 автоматического регулирования затворов 5 и 9.Устройство, работает следующим образом.По коллектору 2 в первую камеру 1 направляется весь расход поверхностныхлаков .и через выходной коллектор 4 наочистные сооружения отводится лостоянный расход.Остальная часть расхода стоков, определяется степенью открытня,затвора 5, через боковое отверстие поступает во вторуюкамеру 6 (истечение осущвствляется из-подщитового затвора 5, а сетка 11...

Номер патента: 892659

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Биргер, Дашенков, Синица

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...4, а для снижения вносимых преобразователем потерь расстояние между штыревыми электродами 4 и П-образными элементами 7 должно выполняться минимальным. Для устранения искажений фазового фронта волн, возникающих при прохождении ПАВ, под металлизированными и неметаллизированными участками поверхности введены холостые штыревые электроды 8, которые соединены с П-образными элементами 7.Для снижения уровня отраженных ПАВ от границы электрод-звукопровод расстояние между краями штыревых, электродов и внешними краями П-образных элементов выбирается по возможности близким к/4.фильтр работает следующим образом.При подаче на преобразователь 2 сигнала на штыревых электродах 4 возникают разнополярные электрические заряды. Дополнительные...

Номер патента: 896534

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Аликин, Горлицына, Карамышев, Килин, Коннов

МПК: G01N 27/90

Метки: объектов, поверхностных, слоев, ферромагнитных

...элемента 11, блоком 12 программы, соединенным своим входом с выходом блока 10 управления нагревом, своим первым выходом - со вторым входом коммутатора 5, вторым входом - с третьим входом решающего блока 7, соединенного своим вторым входом со вторым выходом коммутатора 5, и своим третьим выходом со вторым входом нагревательного элемента 11,Устройство работает следующим образом.Вихретоковый преобразователь 1, включенный в цепь обратной связи генератора 2, взаимодействует с контролируемым ферромагнитным объектом и вырабатывает напряжение, подаваемое на вход селективного усилителя 3, настроенного на одну из высших гармоник генератора. С выхода усилителя 3 сигнал проходит через амплитудный детектор 4 и подается через коммутатор...

Номер патента: 898591

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Банков, Карапетьян, Орлова, Перевощикова, Стремовский

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...преобразователя 2. Часть ПАВ отражает- З .ся от рабочих электродов, т.е. элект. родов секций 5, преобразователя 2, Отраженные ПАВ от каждого из злект" . родов складываются в фазе, так как расстояние между ближайшими электро 3 дами равно половине длины ПАВ на центральной частоте фильтра. Достигая преобразователя 2, эта часть ПАВ частично отражается от него, вновь попадая на преобразователь 2. Эта46 часть ПАВ, как и основные ПАВ, преобразуется преобразователем 2 в электрический сигнал. Однако из-за наличия между еекциями 5 дополнитель 1 ных групп электродов 6 отраженные от них ПАВ складываются в противо-43 ,фазе с ПАВ, отраженными от электродов секций 5, что приводит к значи" тельному снижению величины сигнала на ВШП 2,...

Номер патента: 900409

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Дятлов, Клименко, Макаров, Мирошниченко

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...дисперсионную линию 5 задержки, генератор б тактовых импульсов, ключ 7,генератор 8 строба (ждущий мультивибратор строба сигнала), смеситель9, гетеродин 10 инвертора, спектра.Устройство работает следующим образом.Входной сигнал подают на модуля -тор 1, одновременно, при помощи детектора 4 огибающей запускается генератор б тактовых импульсов, который управляет моментом запускаперестраиваемого гетеродина 2, ждущего мулътивибратора 8 строба сигнала и гетеродина 1 О инвертора спектра, с выхода модулятора усиленныйсигнал усилителем 3 подают на дисперсионную линию 5 задержки, времязадержки выходного сигнала которойзависит от центральной частоты 40преобразованного модулятором 1 входного сигнала, таким образом на выходе дисперсионной...

Номер патента: 911324

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Нечаев

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектов, неразрушающего, поверхностных

...поверхностью изделия и по параметрам акустических сигналов определяют наличие поверхностных трещин. Причем в качестве параметра акустическихсигналов используют их спектральную харак.теристнку,На чертеже представлена схема реализацииспособа,Она содержит соединенные последовательнобаллон 1 со сжатым воздухом, редуктор 2,вентиль 3, калиброванное сопло 4, а такжесоединенные последовательно электроакустический преобразователь 5, усилитель б, анализатор 7 спектра.Способ .осуществляется следующим образом.Составитель К. Хилковедактор В. Лазаренко Техред М.Рейвес рректор С. Ком Тираж 883 ПодписноеИ Государственного комитета СССРделам изобретений и открытийМосква, Ж - 35, Раушская наб., д. 4(5 1111/3 И 1130 лиал ППП "1 атент", г., ул, Проектная,...

Номер патента: 805918

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита, Федорец

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, поверхностных

...11 через емкость, которая образована соответствующим электродом 6 электродной структуры 4 совместно со смежными электродами 5 и при.легающим к ним участком контактной площадки 11. Контактные площадки 10 и 11 могут быть соединены проводниками 12 с источником электрического сигнала или с натрузкой.Звукопровод 1 может быть выполнен из керамики, участки 2 и 3 состоят из не- поляризованной и поляризованной керамики соответственно.Преобразователь работает следующим образом. При поступлении высокочастотного сигнала от генератора через проводники 12 на первую 10 и вторую 11 контактные площадки между смежными электродами 8 и 9 электродной структуры 7 возникает знакопеременная разность потенциалов. Величина ее зависит от величины емкости между...

Номер патента: 919051

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Гвоздев, Джонсон, Зибров, Петров

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, амплитудно-частотной, волнах, поверхностных, устройств, формирования, характеристики

...длины акустической волны взвукопроводе 3. Преобразователи 2 покрыты зацитной диэлектрической пленкой 5. Злектропроводяшая пленка (металлический экран) 6 с отверстием 7,контуры которого имеют форму кривойаподизацци, расположена параллельнопреобразователям 2 на рассгоянци отцих, меньшем длины ПАВ. Для уменьшения статической емкости между электродами поеобразователя и металлическимэкраном 8 последний выполнен в видесетки с размерами ячеек, меньшимидлины акустической волны в звукопроводе. При подведении электрического сигнала к встречнс-штыревому преобразователю 2 между электродами возникаетэлектрическое поле фцг. 3), Час тьсиновых линий поля проникает в пьезоэлектрический звукопровод, вызывая внем упругие деформации с пространственным...

Номер патента: 928199

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Залазинский, Захарова, Попель, Симонов

МПК: G01N 13/02

Метки: исследования, поверхностных, расплавов, свойств

...чивается исследуемыми расплавами.В устройство входит упорное кольцо 33,3 закрепленное в рабочей зоне на.верхней водоохлаждаемой перегородке с помощью местких подвесок 34. Внутри ка меры для размещения капельниц установлены призмы 35 оптической системы для измерения параметров капли в плане. Камера для размещения капельниц закреплена на вращающейся консоли 36 зф подъемного механизма 37. Вращающийся столик 29 (см. Фиг. 2) установлен в опорном подшипнике 38 водоохламдаемой перегородки Чб. Столик содержит ячейки 39 для капельниц, чередующи еся со сквозными отверстиями 40. В рабочем полоиении столик прижат к опоре штоком 28. Усилие прииатия столика Б и вращающий момент М р передаются от специального механизма 4 о известной конструкции (не...

Номер патента: 930279

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Болотов, Иконников

МПК: G05D 3/10

Метки: акустических, аподизации, волнах, поверхностных, устройств

...элемента индикатора, положения устройства использована имею 45щая .штриховую структуру поверхностьаподизируемого устройства.На чертеже изображена оптическая схема установки,Схема содержит осветитель 1, конденсатор 2, координатный стол 3, аподизируе 50мое устройство 4 (фотодатчик), обьектив5, зеркало б оптическую систему 7, диафрагму 8 (затвор), лазер 9, фотодетектор10, окуляр 12, зеркало 11, блок программного управления 13 и привод координвтного стола. Зеркала 6 и 11, осветитель1, конденсатор 2, обьектив 5 составляютцвекци онную систему. 79 4Излучение лазера 9, оградиченное диафрагмой 8 и сформированное оптическойсистемой 7, фокусируется обьективом 5на поверхность изделия 4, установленногона координатном столе 3. Последний...

Номер патента: 930587

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Василина, Левчук, Смеркло

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...преобразователи.Диэлектрическое. основание 2 выполнено из клея, например, типа ЗЛос наполнителем иэ соответствующегопорошка.Может быть применен клей следую"щего состава, вес.ч,:Смола эпоксиднодиановая неотверженная ЭД100Смола низкомолекулярная полиамиднаямарки Л60 20Еварц молотыйпылевидный маркиКП 1,или порошокдругого материала) 160Фильтр работает следующим обраэомвПоверхностная акустическая волнавозбуждается при помощи входноговстречно-штыревого преобразователя3 на поверхности пластины 1 и при"нимается выходным встречно-штыревымпреобразователем 4. Одновременно споверхностной волной возбуждаютсяобьемные акустические волны, которые уходят вглубь звукопровода, от 35ражаются от его обратной стороны ипринимаются выходным...

Номер патента: 932004

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Кравченко, Кузнецов

МПК: F16F 9/02

Метки: демпфирования, жидкостей, колебаний, низкокипящих, поверхностных

...вещество 3 подают по газопроводу 2 в емкость 1, содержа щую низкокипящую жидкость ч. Вследствие того, что температура перехода в твердое состояние подаваемого газообразного вещества 3 выше температуры, при которой находится содер жащаяся в емкости 1 жидкость ч она переходит, конденсируясь, сначала в жидкое, а затем, затвердевая, в твер. дое состояние, Так как плотность подаваемого газообразного вещества в 20 твердом состоянии меньше плотности демпфируемой жидкости, то при этом на поверхности жидкости образуется плавающее твердое ледяное поле 5 в виде твердого компонента, обладающе го положительной плавучестью, из переходящего в твердое состояние подаваемого газообразного вещества 3.Толщина плавающего на поверхности жидкости ледяного...

Номер патента: 935860

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Асан-Джалалов, Циммерман, Шагинян, Шаповалов

МПК: G01V 13/00

Метки: исполнительных, источников, механизмов, поверхностных, сейсмических, сигналов, стенд, характеристик

...фундаменте кронштейнов,снабженных зажимными винтами, соединенными с пневмоопорами.На фиг. 1 схематично представ" лен предлагаемый стенд для контроля характеристик исполнительных механизмов поверхностных источников сейсмических сигналов; на фиг 2- имитатор. Устройство содержит фундамент 1, имитатор 2 грунта, выполненный в виде многослойного пакета, устройство крепления, состоящее из кронштейнов 3, прижимных винтов 4 и пневмоопор 5, с помощью которых к имитатору 2 грунта прижимается опорная плита 6 контролируемого исполнительного механизма, например гидравлического, выполненного в виде гидроцилиндра, обраэовайного реактивной массой 7 и штоком 8, жестко связанным с рамой 9, оканчивающейся опорной плитой 6.Кроме того, стенД содержит...

Номер патента: 936387

Опубликовано: 15.06.1982

Автор: Шелухин

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, отражающими, поверхностных, решетками, устройств

...фотошаблона и ионного травления преобразователей.Напыление регулирующего слоя в области расположения отражаюищх решеток, обесп,чиваюшего необходимую глубинУ 25 канавок при одновременном изготовлении преобразователей и отражающих решеток, позволяет производить формирование защитной фоторезистивной маски одновременно для преобразователей и отражаюшихрешеток, что повышает точность их взаимного расположения,Толшина регулирующего слоя выбирается такой, чтобы суммарная длительность ионного травления регулирующего слоя и канавок отражающих решеток в подлож 35 ке равнялась длительности травления преобразователей. Толщина регулирующего слоя определяется по формуле40 Ь =Ч )пр ПодлРЕг РЕГ Члр Члодл где ЧрЕ,ЧР иЧПО - скорости...

Номер патента: 938366

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных

...и второй площадкой и состоящий из третьей группы электродов, электрически связанных с второй площадкой, и четвертой группы электродов, перекрывающихся с электродами третьей группы и гальванически соединенных с соответствующими электродами второй группы неаподизованного ряда, электродынеаподизованного ряда расположены веерообразно, а длина перекрывающихся участков, электродов третьей и четвертой групп аподизованного ряда изменяется вдоль преобразователя прямо пропорционально закону изменения весового множителя импульсного отклика преобразователя.На фиг. 1 и 2 представлены схематические конструкции преобразователей.В первом варианте преобразователя (фиг. 1) на рабочей поверхности звукопровода 1 расположены первая 2 и вто - рая 3...

Номер патента: 941882

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Ерохин, Иванов, Филиппенко

МПК: A61B 10/00, G01N 33/48

Метки: белков, легочной, поверхностных, ткани

...на 1 ч, а после дополнительного измельчения кусочков до 1-2 см еще3 на.30 мин. Материал 10 мин промывают 0,1 М какодилатным буфером рН 7,3-7,4 и разделяют на три части (по 3-4 кусочка в каждой), Одну часть кусочков обрабатывают насыщенным водным раствором тиосемикарбазида 10 мин, другую - 30 мин, третью - 60 мин. Дальнейшую подготовку материала для электронной микроскопии проводят по общей схеме, приведенной в описании способа, При электронно-мнкроскопи" ческом изучении материала установлено, что 10-минутная обработка кусочков тиосемикарбазидом не достаточна так как продукт реакции на срезах выявляется главным образом в: виде следов, Необходимо увеличить время промывания материала в -какодилатном буфере до 1 1,5 ч (3-4 смены по 20-25...

Номер патента: 945519

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Кравченко, Кузнецов

МПК: F16F 9/02

Метки: демпфер, жидкости, колебаний, поверхностных

...каждый демпфирующий элемент снаб" жен четным количеством постоянных магнитов, равномерно установленных на его поверхности с чередованиемполюсов. На фиг. 1 прекостью; на фиг.мент.Демпфер поверхножидкости,заполняющнен в виде плавающиности демпфирующихдый из которых снабо чеством постоянныхномерно установленнностиДемпфер работает следующзом.94 Я 19 4 да его в жидкость и установка его внутри бака. формула изобретения Составитель О. МальцевРедактор А. Шандор Техред М,Рейвес Корректор Ю. Макаренко каз 5297/51 Тираж 990 ВНИИПИ Государственного по делам изобретений113035, Москва, 1-35, Раув Подписноекомитета СССРи открытийкая наб., д. 1 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3Возмущения, действующие на подвижный обьект (не показан),...

Номер патента: 945951

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...электродов 13, 14 и 16, 17 (простран" ственный период) равны пространственному периоду электродов основной структуры 6. входного преобразователя 2 и электродов выходного преобразователя 3 и выбраны из условия акустического синхронизма. Наряду с этим, пространственные периоды первой 12 и второй структур 15 рядов электродов 13, 14 и 16, 17 могут быть выбраны из условия акустического синхронизма на нечетных гармониках. Кроме того, расстояния между продольными осями смежных электродов 13, 14 и 16, 17 могут изменяться вдоль ряда по заданному закону, как в дисперсионных элементах связи.5 945951 бВ этом. случае эти .величины определя- Высокочастотный сигнал от генераются по центральной частоте фильтра тора 4 поступает на входной преобра. в...

Номер патента: 949440

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Сарычев, Тихонов, Ульянов

МПК: G01N 23/20

Метки: поверхностных, прижогов

...в исследовании поверхности методомрентгеноструктурного анализа, в состав шлифовапьного материала вводятэлемент, температура плавления кото рого меньше нли равна температуреобразования прижога, и по наличиюэтого элемента в обработанной поверхности определяют место прижога.Способ реализуют при рентгенограФическом исследовании прижогов на стали, обработанной шлифовальным кругом,в состав связки которого введенаалюминиевая пудра. В местах прижогов,контролируемых также металлографическими Методами, обнаруживают следыокиспов алюминия. Дифрактограммыснимают на аппарате Дрон. В местах, свободных от прижогов,. окислыалюьвния не наблюдаются.Фтемпература плавления алюминия658 С, что соответствует температуре образования прижогов на стали(,около...

Номер патента: 953439

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Михайлов

МПК: G01B 5/30

Метки: варианты, двухосных, его, напряжений, остаточных, поверхностных, слоях, тела

...определения величины и направ ления главных растоцных напряжений в поверхностном слое тела 1, на по" верхности тела 1 закрепляют датчики 2-4 деформации, располагая их группами на разноудаленных от намеченного центра углубления окружностях. Для датчиков с активной базой равной 9 мм расстояния от центра до этих 9 4окружностей составляет; 3,5 мм длядатчиков 2-ой группы, 24 мм - для3-й группы и 36 мм - для 4-ой группы.В каждую группу вклюцают одинаковоечисло датчиков, например шесть. Приэтом углы между осями датчиков будутравны 0; 60; 120; 180; 240; 300 и3600(фиг. 1),Измеряют начальные показания датчиков, Затем в намеченном центре выполняют цилиндрическое углубление 5диаметром 10 мм на глубину 12 мм втри этапа, равных 2,5; 5,8 и 12...