Способ определения типа проводимости полупроводникового материала

Номер патента: 150176

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Левинзон

МПК: H01L 21/66

Метки: зонд, полупроводниковых, потенциальный, проводимости, типа

...боковые отверстия в стенках заполняется жидким газом.Включается зонд по обычной схеме потенциального зонда, Через ко такт зонда со слитком 5 пропускается переменный ток от источника регулируемого напряжения,Падение напряжения на контакте и на сопротивлении Р 1, включенм последовательно слитку, подается соответственно на горизонтальный и вертикальный усилители электронного осциллографа 6, на экране которого наблюдается вольтамперная характеристика.Для проведения измерения зонд опускают в сосуд Дюара, где онохлаждается в течение 20 - 30 сек. Затем зонд приводится в контакт сослитком. Хорошая теплопроводность контакта создает в слитке локальную область примесной проводимости, т. е. собственные носители заряда в этой области практически...

Номер патента: 621997

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Гуревич, Лапушков, Романов

МПК: G01N 25/32

Метки: минералов, полупроводниковых, проводимости, типа

...с заданной точкой исследуемого минерала, Сигнал термо-ЭДС регистрируют в установившемся режиме.Особенностями этого метода являетсявысокая экспрессность измерений и низкая точность результатов, позволяющаяс большой степенью достоверности говорить только о знаке термо-ЭДС,звестен способ определения типа прЗаказ 5004/6 Тираж 1 1 12 ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва Ж, Раущская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент," г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Целью изобретения является определение типа проводимости полупроводниковых минералов по знаку их термо-ЭЯС без предварительного нагрева одного иэ зондов.Поставленная цель достигается тем, что в известном способе одним...

Номер патента: 868512

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Лапушков, Романов

МПК: G01N 25/32

Метки: минералов, полупроводниковых, проводимости, типа

...ударе зонда о минерал частьэнергии удара переходит в тепловую и разогревает приконгактную область минервла, Градиент температур, в свою очередь,вызывает появление термо-Экоторой определяется типом проТаким образом, ударно-спускнизм заменяет энергоемкий наобеспечивая градиент температу . ерале только в момент удара,На чертеже схематически изображенопредлагаемое устройство для определенияпроводимости минералов по знатсуМеньщени Составитель Н, наРедактор Т. Мермелштайн Техред С.Мигунова Корректор С. Шекмар 8310/59 0 Подписноенного комитета СССРений и открытий, Раушская наб., д. 4/ Тираж 91Государствелам изобретосква, Ж 3 ВНИИ 1303 илиад ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,з 8685Устройство включает в себя зойды 1 и 2,...

Номер патента: 863010

Опубликовано: 15.09.1981

Автор: Коротков

МПК: B06B 1/02

Метки: волн, волны, гиперзвуковые, электромагнитных

...и объемный щ резонатор 7, например, тороидальный, соединенный посредством фазосдвигающей линии 8, например коаксиальной, и элемента связи 9, например кольцевой щели, соответственно с контр 25 электродом 5 и,модулятором 3. Для расширения области применения предлагаемый преобразователь снабжен раз. мещенным на пьезоэлектрическом элементе 4 поликристаллическим слоем 10 фотоупругого материала, например сернистого кадмия, источником 11 света 12, например некогерентного, и оптической системой 13, например линзовой, фокусирующей источник света 11 на поверхность 14 поликристал- З 5 лического слоя 10 через оптический модулятор 15, связанный, например, электрически, с элементом 16 управления частотой генерации, например, с последовательно...

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...