Ибаев

Номер патента: 1820806

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Горелик, Доев, Ибаев, Коледов, Куклин, Разумов

МПК: H01S 3/096

Метки: излучением, лазера, полупроводникового

...резонатором, Ширина линии генерации отдельной моды в случае одного внешнего резонатора определяется следующей формулой:Ьо г / го (1-К )ч 1+а ) гЬо В то где Лво - ширинаизолированного лазера;Лв - ширина отдельной моды излучениялазера с внешним резонатором;то 2 п 1/с - пролетное время внутреннегодиодного резонатора;т=21./с - пролетное время внешнегорезонатора;а - коэффициент амплитудно-фазовойсвязи.В случае многозеркального внешнегорезонатораЬоо ( 1-В ) Ч 1+аг Г гЬо Вф тохг т соз(то)(7)где т - пролетное время 1-го резонатора;г - коэффициент отражения по амплитуде1-го внешнего отражательного элемента,Сравнивая формулы (6) и (7), видим,что в случае с многозеркальным внешнимрезонатором сужение линии происходит неаддитивно, а значительно...