Дудуева

Номер патента: 1708097

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Дудуева, Кальнова, Лобков, Митрофанов, Неелова, Сальников, Сергиенко, Шубин

МПК: H01J 21/36

Метки: p-n-переходов, высоковольтного, защиты, композиция, полупроводникового, прибора

Композиция для защиты р n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора, содержащая низкомолекулярный кремнийорганический каучук, кремнийорганическое этоксисоединение и гетеросилоксан, отличающаяся тем, что, с целью создания однокомпонентного состава, повышения электрической прочности и снижения тангенса угла диэлектрических потерь, в качестве кремнийорганического этоксисоединения вводят триэтоксисилан, а в качестве гетеросилоксана продукт взаимодействия линейного , - - дигидроксиполидиметилсилоксана с борной кислотой и ацетилацетонатом циркония, взятых в соотношении, мас.ч. 100 16,8 0,65 при следующем...