Патенты с меткой «параметров»

Номер патента: 1493023

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Варданян, Мартиросян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, параметров, полупроводниках

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, основанный на измерении тока через образец, имеющий выпрямляющий контакт при отсутствии и при наличии воздействия на образец магнитным полем, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения Холловской подвижности, дрейфовой подвижности и времени жизни неосновных носителей заряда, образец освещают монохроматическим светом в длинноволновой области спектральной чувствительности, изменяют длину волны света и определяют зависимости коэффициента поглощения и фототока от длины волны света при наличии и отсутствии воздействия на образец магнитным полем, строят графики зависимостей обратного фототока от обратного...

Номер патента: 1538827

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Божевольнов, Яфясов

МПК: H01L 21/66

Метки: границы, межфазовой, параметров, электролит, электрофизических, —полупроводник

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МЕЖФАЗОВОЙ ГРАНИЦЫ ЭЛЕКТРОЛИТ - ПОЛУПРОВОДНИК, включающий пропускание через границу основного импульса тока, измерение приращения напряжения на границе, пропускание дополнительного импульса тока противоположной полярности, длительность и амплитуду которого выбирают из условия обеспечения равенства нулю суммарного заряда, вносимого основным и дополнительным импульсами тока, и определение искомых величин электрофизических параметров по калибровочным зависимостям, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, измерение приращения напряжения на межфазовой границе производят в интервале между началом основного и концом дополнительного импульсов, определяют величину интеграла приращения...

Номер патента: 1807776

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Бобровник, Казанцев, Слуцкий, Соловьев

МПК: G01T 1/29

Метки: заряженных, параметров, пучка, частиц

...выбранной конструкции устройства и известном токе пучка 1 и все.величины, кроме 1, известны, Следовательно, величина максимального падения напряжения на коллекторе будет зависеть только от точки пересечения пучком коллектора, т, е.Омакс = А1 с где А = а1- = сопБС Р макс и БДля описанной в примере конструкции устройства, при диаметре пучка 2 см и значением его тока 100 мА, для величины 1 = 10 см можно ожидать максимальное значение падения напряжения на коллекторе, равное 46 мВ,В качестве регистрирующего устройства можно использовать, например, осциллограф, ЭВМ.. Наличие в устройстве менее трех коллекторов, так как определение радиуса развертки пучка возможно лишь в том случае, если известно не менее трех точек, лежащих на окружности,...

Номер патента: 1835967

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Антонюк, Виноградов, Дьяченко, Ильичев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...раствор соляной кислоты или поваренной соли. С целью повышения точности локальных измерений за счет уменьшения размеров области приложения обедняющего постоянного и переменного напряжений в качестве электролита 2 целесообразно использовать вещество, электрол итическая диссоциация в котором наступает при оптическом облучении, например, лейкоцианиды трифенилметановых красителей. Проводящий канал к исследуемому участку образца создается при облучении вещества в ограниченной области, размеры которой определяются размерами сечения возбуждающего луча, временем жизни неравновесных ионов и их подвижностью в исходном веществе,Предлагаемый способ состоит в следующем: к исследуемому участку образца подводят зондирующее излучение миллиметрового,...

Номер патента: 1831097

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Годлевский, Градов, Ивашин, Кондрусев

МПК: G01M 15/00

Метки: двигателей, малой, параметров, ракетных, тяги

...прибором 6.В процессе работы ракетного двигателя предлагаемый способ на описанном выше ус; ройстве реализуется следующим образом.Истекающие из сопла 7 продукты сгорания 8 расширяются в вакууме и обтекают электроды 1 и 2, Таким образом, продукты сгорания, расположенные между электродами 1 и 2 и представляющие собой переменное электрическое сопротивление, соединены параллельно с известным сопроФормула иэобретения 40СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТ- РОВ РАКЕТНЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ МАЛОЙ ТЯГИ,. основанный на измерении электропроводности продуктбв сгорания меж ду двумя электрически изолированными тивлением 4 (В 2), Электрический сигнал с электродов 1 и 2 поступает в усилитель 5.На фиг.2 приведена схема усилителя.Усилитель собран на микросхеме К...

Номер патента: 1832912

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Василевский, Годлевский, Градов, Ивашин, Нигодюк

МПК: G01M 15/00

Метки: двигателей, малой, параметров, ракетных, реализации, тяги

1. Способ определения параметров ракетных двигателей малой тяги, основанный на измерении разности потенциалов электрического поля зарядов в продуктах сгорания, отличающийся тем, что, с целью расширения экспериментальных возможностей, перед измерением из потока продуктов сгорания удаляют одноименные заряды.2. Устройство для определения параметров ракетных двигателей малой тяги, содержащее два изолированных один от другого электрода, подключенных к входу заземленной измерительной аппаратуры, отличающееся тем, что, с целью расширения экспериментальных возможностей, электроды выполнены в виде дисков с отверстиями и установлены соосно на фиксированном расстоянии один от другого.

Номер патента: 1828257

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Годлевский, Градов, Ивашин, Кондрусев

МПК: G01M 15/00

Метки: двигателей, малой, основных, параметров, ракетных, тяги

...камеры сгорания, и измерить разность потенциалов Лр между этими электродами и стенкой камеры сгорания, то по величине Лр можно судить об основных параметрах ракетного двигателя, Серьезным недостатком такого способа определения разности потенциалов Л р является то,10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 что при измерениях необходимо очень качественное заземление стенда, а при измерениях в условиях космического летательного аппарата его злектоический потенциал вообще че является постоянной величиной, учитывать же изменение электрического потенциалоа космического летательного аппарата достаточно сложно,На фиг,1 изображен вид спереди на устройство, с помощью которого реализуется предлагаемый способ; на фиг,2 - то же, вид сверху.Предлагаемое...

Номер патента: 1037742

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Гарнакерьян, Лобач, Сосунов, Тимонов

МПК: G01C 13/00

Метки: волнения, морского, параметров

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ МОРСКОГО ВОЛНЕНИЯ, содержащее передающий тракт, выполненный в виде последовательно соединенных передатчика, коммутирующего устройства и приемопередающей антенны и приемный тракт, выполненный в виде последовательно соединенных первого фильтра низких частот, блока АРУ, приемного блока, детектора огибающей отраженного сигнала, вычитающего блока, компаратора, преобразователя период напряжение, второго фильтра низких частот, первого умножителя и индикатора, а также квадратора, выход которого соединен с входом третьего фильтра низких частот, а вход с выходом вычитающего блока, второй выход детектора огибающей отраженного сигнала соединен с входом первого фильтра низких частот, отличающееся тем, что, с целью...

Номер патента: 692321

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Гарнакерьян, Лобач, Сосунов, Тимонов

МПК: G01C 13/00, G01S 5/00

Метки: аппарата, волнения, летательного, морского, параметров

Устройство для измерения параметров морского волнения с летательного аппарата, содержащее, антенный коммутатор, передатчик, приемное устройство, включающее последовательное соединенные приемник, детектор огибающей, центрирующее устройство, квадратор, первый фильтр нижних частот, а также индикатор, при этом выход детектора огибающей через второй фильтр нижних частот и блок автоматической регулировки усиления соединен с входом приемника, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения состояния морской поверхности путем одновременного измерения высоты, длины и направления распространения морских волн, в приемное устройство дополнительно введена цепь, состоящая из последовательно соединенных компаратора нулевого уровня,...

Номер патента: 1630591

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Митрофанов, Пескишев, Попова

МПК: H04B 3/04

Метки: амплитудно-временных, импульса, однократного, параметров, электрического

...характеристику ф), свя-,занную с импульсной характеристикой 9(1)сПд,)соотношением 9(1) =Ю. При идентич ности КЛС 1 и КЛС 2 их импульсные характеристики 91(д), 92(1) также идентичны: 91(1) = =92(1) = 9(1). Напряжения на выходах КЛС могут быть записаны следующим образом35ц= Х (к)-(в)к(вмвд (1)= Х(-в)к(вивг (2) 40оКаждый последующий импульс 01(д) и 02(т) имеет меньшую амплитуду и фронт большей длительности; импульс 0(д) имеет амплитуду А, длительность фрбнта тф, и дли тельность на полувысоте 1(0,5); импульс 01(д) имеет амплитуду Ад, длительность фронта дфд и длительность на полувысоте т(0,5)1; импульс 02(т) имеет амплитуду А 2, длительность фронта тф и длительность на полувысоте 50 д(0,5)2В соответствии с предлагаемым способом...

Номер патента: 1632171

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Алексеев, Силантьев

МПК: G01N 27/72

Метки: вещества, параметров, электромагнитных

...интегрирования получим45( Н, с 31 , В ) Ф = (В,Б) + а фор+23где (Во, Н) - скалярное произведение векто ра индукции приложенного магнитного поля Во и вектора Я, равного площади приемной катушки 4 и направленного ортогонально ее ( лоскости.Как известно, СКВИД - магнитометр из меряет только изменение потока. Посколькувнешнее магнитное поле выключается, то полное изменение потока ЛЪм т.е, амплитуда сигнала, будет определяться соотношением (16)(В, сй В )Ьф = (ВЯ)+", афам о у+2 Отсюда после преобразований запи-,; 1ф -(в, в)ам е1 й, кй. В )Эев т.к. поток, пронизывающий катушку 4 при полном затухания поля, созданного образцом, равен нулю.Пеоенесем первое слагаемое, стоящее в правой части (17), в левую часть(18) 10 Таким образом, измеряя...

Номер патента: 1817559

Опубликовано: 10.06.1996

Автор: Питанов

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-фарадной, диода, параметров, полупроводникового, характеристики

...и Ч;,1, и 1 - эффективные значения первой и второй гармоник тока через диод;Ч, - эффективное значение первой гармоники напряжения на диоде;у- показатель степени вольт-фарадной характеристики;Ч, -диффузионный потенциал выпрямляющего контакта диода.Осуществление предлагаемого способа поясняется с помощью устройства, показанного на чертеже и представляющего собой емкостно-омический делитель. Способ определения параметров вольтфарадной характеристики полупроводникового диода, включающий подачу на диод регулируемого обратного смещения и гармонического сигнала и измерение эффективного значения первой гармоники тока через диод, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном повышении его информативности,...

Номер патента: 1405433

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Афанасьев, Гарнакерьян, Лобач, Уваров

МПК: G01C 13/00

Метки: волнения, морского, параметров

Устройство для измерения параметров морского волнения, содержащее последовательно соединенные антенну, антенный переключатель, приемник, первый детектор огибающей, первый фильтр нижних частот, второй делитель напряжений, второй квадратор, третий умножитель и второй индикатор, второй вход антенного переключателя через передатчик соединен с выходом синхронизатора, выход первого фильтра нижних частот через блок автоматической регулировки усиления соединен с вторым входом приемника, второй вход второго делителя напряжений через пятый фильтр нижних частот соединен с выходом второго детектора огибающей, выход первого детектора огибающей через центрирующий блок, компаратор нулевого уровня, преобразователь период напряжение и второй фильтр нижних...

Номер патента: 1736270

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Бикбов, Соловьев, Юнусов

МПК: G05B 23/00

Метки: многоканально-резервированной, параметров, системы

Способ контроля параметров многоканально-резервированной системы управления, в соответствии с которым на входы каждого канала системы одновременно подают одинаковые стимулирующие сигналы, формируют усредненный по всем каналам выходной сигнал, сравнивают усредненный выходной сигнал с соответствующим нормативным значением, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, дополнительно измеряют выходной сигнал каждого канала, сравнивают выходной сигнал каждого канала с соответствующим нормативным значением для этого канала, определяют по величине рассогласования текущих и нормативных значений меру несинхронности работы каналов.

Номер патента: 822705

Опубликовано: 27.08.1996

Автор: Федосов

МПК: H01L 21/70

Метки: параметров, полупроводников, реализации, электрофизических

1. Способ измерения электрофизических параметров полупроводников, основанный на приложении к одной поверхности полупроводникового элемента постоянного и модулированного электрического поля изменяющегося вдоль поверхности, измерении поперечного электрического напряжения имеющего частоту модуляции, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона измерений, поддерживая пространственный период переменного электрического поля постоянным, измеряют зависимость поперечного электрического напряжения от частоты модулированного электрического поля, по которой судят о параметрах поверхности полупроводника.2. Устройство для реализации способа по п.1, содержащее полупроводниковую пластину с диэлектрическим слоем,...

Номер патента: 1080644

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Попов, Самойленко, Чиненов

МПК: G06F 17/00

Метки: адаптивного, многоканальное, параметров

Многоканальное устройство для адаптивного контроля параметров, содержащее группу блоков формирователей сигнала, входы которых соединены с соответствующими группами входов устройства, а выходы через соответствующие группы элементов И с входами соответствующих элементов ИЛИ первой группы, выходы которых через соединенные последовательно первый шифратор, аналого-цифровой преобразователь, логический блок соединены с входом первого приоритетного блока, группа выходов которого соединена с первыми группами входов первой и второй матриц переключателей, входами соответствующих групп элементов И и через второй шифратор со вторым входом логического блока, вторые группы входов первой и второй матриц переключателей соединены соответственно с...

Номер патента: 1825148

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Кирюхин, Минин

МПК: G01R 23/16

Метки: параметров, радиосигналов, спектральных

...устройства) поступает радиосигнал. В результате на выходе блока 1 формируется высокочастотное колебание, огибающая которого соответствует спектру сигналов на входе устройства. На выходе амплитудного детектора 3-2 выделяется огибающая этого колебания, которая поступает на вход 1 компаратора 4-2 (фиг. 3 - 19, представлены два отклика от входных сигналов различной частоты и интенсивности). В компараторе 4-2 производится сравнение сигнала с выходов амплитудного детектора 3-2 и уменьшенного в два раза сигнала с выхода пикового детектора (коэффициент передачи делителя 6 здесь выбран равным 0,5). На выходе компаратора 4-2 формируются прямоугольные импульсы, высокий уровень которых соответствует превышению уровня сигнала на входе 2 над...

Номер патента: 1699233

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Гореликов, Ильичев, Меджитов

МПК: G01C 13/00

Метки: волн, морских, параметров

Способ определения параметров морских волн, при котором размещают в исследуемом районе моря цилиндрическую трубу с датчиком разностного давления, производят измерения и обрабатывают их результаты, отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет уменьшения влияния температурной погрешности и повышения информативности за счет одновременного определения периода и длины волн, при размещении трубы с открытыми торцами первый из них располагают на глубине b1 определения параметров морских волн, при измерении фиксируют период волн Т и разность давлений волн h1 h2 в трубе и вне ее, а при обработке результатов измерений находят длину волны ...

Номер патента: 1818981

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Варданян, Гуюмджян, Рштуни

МПК: G01R 31/26

Метки: базе, заряда, неосновных, носителей, параметров, транзистора, электрофизических

...в зависимости от магнитного поля, а 1, поддерживаетсяпостоянным):в 21. 1гг фВсоя (и В),ст г К(Г)(4)Из отношения выражений (1) и (3)получают подвижность ННЗ1 ви = - агссоя(В В ).гВ ст ст(5)а из выражений (2) и (4) - время жизниННЗ в базе транзисторав вВ В И - Уст ст т ттв вВ -В ы ыст ст т т(6)Имея значения,и и г, рассчитывают диффузионную длину ННЗ по формуле-- итгде 1. - диффузионная длина ННЗ.На чертеже представлена структура контролируемого транзистора в магнитном поле.П р и м е р, Измерения времени жизни, подвижности и диффузионной длины ННЗ в базе проводились для мощных транзисторов ТК-63, ТК-100 и ТК-63, Результаты измерений сведены в таблице. Там же приведены значения ти и Е, рассчитанные по формулам (6),(5) и (7)...

Номер патента: 1311416

Опубликовано: 27.01.1997

Автор: Гатилов

МПК: G01P 3/52

Метки: волны, датчик, параметров, ударной

Датчик для измерения параметров ударной волны, содержащий плоскопараллельную пластину, два коаксиальных электрода, размещенных перпендикулярно пластине и соединенных с ней, не менее двух зондов, включенных в измерительную цепь, размещенных между электродами и соединенных с пластиной, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения скорости ударно-сжатого вещества, пластина выполнена из электропроводного материала, а ее толщина выбрана из условия0 /d< o

Номер патента: 1817301

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Бирюк, Волков, Добрынин, Хадарцев, Хромушин

МПК: A61B 5/091

Метки: дыхания, параметров

...Устройство для измерения параметров дыхания, содержащее датчик дыхания, соединенный через формирователь с блоком обработки, а также первый индикатор, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем Если переключатель 16 режима измерения установлен в правое положение, то происходит следующее. На первый вход элемента И 15 подается напряжение с уровнем логической единицы. При форсированном выдохе под действием воздушного потока начинает вращаться ротор 9, при этом шторка 10 периодически прерывает поток излучателя 11, попадающий на фотоприемник 12, Возникающие при этом импульсы напряжения колоколообразной формы поступают на вход формирователя 2, который формирует на выходе импульсы прямоугольной формы, Фронтом...

Номер патента: 1535141

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Боков, Лобач, Уваров

МПК: G01C 13/00, G01S 13/95

Метки: волнения, морского, параметров

Устройство для измерения параметров морского волнения по авт. св. N 1037742, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем определения средней крутизны морских волн, введены последовательно соединенные второй делитель напряжений, первый компаратор и элемент 2И-НЕ, а также второй компаратор, причем выходы первого компаратора и элемента 2И-НЕ подключены соответственно к третьему и четвертому входам индикатора, выходы первого умножителя и сумматора подключены соответственно к первому входу второго делителя напряжений, выход которого через второй компаратор подключен к второму входу элемента 2И-НЕ и к пятому входу индикатора, причем вторые входы первого и второго компараторов являются соответственно входами...

Номер патента: 1160827

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Окороков, Румянцев, Слободкин

МПК: B24C 1/00, G01P 5/00

Метки: дроби, параметров, потока

Устройство для измерения параметров потока дроби, содержащее первичный преобразователь, усилитель, детектор и индикатор, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей устройства, оно снабжено амплитудным детектором, преобразователем частота-напряжение и схемами деления и умножения, причем выход амплитудного детектора соединен с входом преобразователя частота-напряжение, один из входов каждой схемы деления и умножения связан с выходом амплитудного детектора, а второй вход связан с выходом преобразователя частота-напряжение, при этом выходы амплитудного детектора, преобразователя частота-напряжение, схем деления и умножения соединены с входами индикатора.

Номер патента: 1560042

Опубликовано: 20.07.1997

Авторы: Скибенко, Фомин

МПК: H05H 1/00

Метки: параметров, плазмы

Способ измерения параметров плазмы, помещенной в резонатор, возбуждаемый электромагнитной волной с модулированной частотой, включающий определение плотности плазмы путем измерения сдвига резонансной кривой по шкале частот, отличающийся тем, что, с целью измерения флуктуаций плотности плазмы, период и напряжение модуляции частоты электромагнитной волны изменяют до появления отдельных пиков на резонансной кривой, регистрируют изменение формы резонансной кривой, затем измеряют отношение 1 - ширины резонансной кривой при наличии флуктуаций параметров плазмы и без плазмы, а также отношение 2 -...

Номер патента: 1136620

Опубликовано: 27.11.1998

Авторы: Гладких, Попов

МПК: G01S 7/292

Метки: измеритель, параметров, пассивных, помех

Измеритель параметров пассивных помех, содержащий первый, второй и третий блоки задержки, первый, второй и третий блоки усреднения, первый и второй блоки объединения, первый и второй блоки деления и блок извлечения квадратного корня, при этом вход первого блока задержки и первые входы первого блока объединения и комплексного перемножителя соединены между собой, вход второго блока задержки и вторые входы первого блока объединения и комплексного перемножителя соединены между собой, первый выход комплексного перемножителя через первый блок усреднения соединен с первым входом первого блока деления, второй выход комплексного перемножителя соединен с входом второго блока усреднения, выход первого блока объединения соединен с первым входом...

Номер патента: 1759138

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Журавлев, Мединская

МПК: G01N 21/47

Метки: геометрических, дизельной, качества, определение, параметров, распыливания, струй, топлива, форсунки

Способ контроля качества распыливания топлива и определение геометрических параметров струй дизельной форсунки, заключающийся в том, что формируют изображения от частиц от частиц топлива при распыливании и по изображениям, полученным для разных сечений струй, оценивают качество распыливания топлива и определяют геометрию топливных струй, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности, разрешающей способности и информативности, изображения формируют с помощью двух плоских потоков излучения с толщиной h, определяемой из соотношения h = 1/ r2n, где r и n - средний радиус и концентрация частиц распыленного...

Номер патента: 1669275

Опубликовано: 20.05.1999

Автор: Герник

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитной, образцов, параметров, структуры

Способ определения параметров магнитной структуры образцов материалов, включающий воздействие на образец насыщающим переменным магнитным полем в выбранном направлении и осуществление первого измерительного цикла, включающего намагничивание образца путем одновременного воздействия затухающим переменным и постоянным магнитными полями в выбранном направлении, измерение остаточной намагниченности образца, частичное размагничивание образца в направлении, перпендикулярном выбранному, и повторное измерение остаточной намагниченности, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа за счет дополнительного определения степени магнитной многоосности частиц образца в...

Номер патента: 1552892

Опубликовано: 20.06.1999

Автор: Иванов

МПК: G21C 17/00

Метки: графитовой, защемления, канала, кладке, неразрушающего, параметров, реактора, технологического, трубы, циркониевой

Способ неразрушающего определения параметров защемления циркониевой трубки технологического канала в графитовой кладке реактора, заключающийся в оценке усилия защемления и координаты места защемления циркониевой части технологического канала в графитовой кладке, отличающийся тем, что, с целью уменьшения недоработки ресурса эксплуатации технологического канала путем обеспечения неразрушающего контроля величины защемления циркониевого участка технологического канала в графитовой кладке, производят снятие дилатометрической кривой перемещения низа технологического канала при его нагреве относительно выбранного реперного уровня и по характеру этой кривой по сравнению с расчетным вкладом в общее...

Номер патента: 1584666

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводнике, примеси

Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат дополнительно помещают второй этап с другим уровнем легирования и измеряют ЭДС Холла и ток I2 при тех же условиях, устанавливают температуру Tи из области истощения основной...

Номер патента: 1356716

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Гордеев, Николаенко, Самсонов

МПК: G01N 23/20

Метки: облучения, параметров

Способ измерения параметров облучения, заключающийся в том, что пробу алмазного порошка помещают в зону облучения, выдерживают в течение времени облучения, извлекают и, определив рентгенографически расширение кристаллической решетки алмаза, устанавливают по нему температуру (Т) облучения, отличающийся тем, что, с целью определения одновременно с температурой флюенса нейтронов (F) при снижении трудоемкости способа, часть пробы алмазного порошка предварительно облучают при температуре 70 - 100oC флюенсом нейтронов 5 1019 - 5 1020...