Способ измерения параметров облучения

Номер патента: 57511

Опубликовано: 01.01.1940

Автор: Носков

МПК: B01D 21/00, B03D 3/00

Метки: алмазных, отмучивания, порошков

...среде. Отмучивание всех тонких порошков основано на различии скоростей падения тел в жидкой среде. Болеекрупные зерна падают с большей скоростью и быстрее достигают дна в сосуде, более мелкие зерна падают медленнее и в виду этого могут быть с помощью сифона слиты в другой сосуд и таким образом отделены от более крупных. Основанием всякого отмучивания является формула Стокса: о, - удельный вес жидкости р - вязкость жидкости в ед. С 65 т - диаметр твердой частицыв ся.Крупность частиц обычно задается условиями производства.В практике отмучивания алмаза нашли применение густые масла, в частности, прованское (оливковое) и репейное. Наибольшим распространением, однако, пользуется прованское масло. Отмучивание в прованском масле надо...

Номер патента: 1547946

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Беликов, Маркман, Фазылов

МПК: B22F 1/00

Метки: алмазных, металлизации, порошков

...снимают. Из-за отсутствия прилипания поверхности поддона к сформиро, ванному слою не наблюдается нарушенийцелостности последнего. 20Сформированный слой связующегорастворяют со стороны ориентированныхграней алмазов до их вскрытия путемпротирки тампоном, смоченным в воде.После этого поверхность вскрытых граней алмазов подвергают металлизации наустановке ионно-плазменного напыленияПуск 79-1", для чего приспособлениес сформированнйм слоем связующего,помещают в рабочую камеру установкии устанавливают технологический режим вакуумирования - 510 мм рт.ст.Напыление никеля на вскрытие граниалмазов проводят при следующих режимах: сила тока 70 А; анодное напряжение 0; температура подложки 25 -30 С; время наплавления 20 мин;толщина покрытия 3-4...

Номер патента: 1616309

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Вангонен, Гринбург, Золотарев, Клюев, Колчеманов, Непша, Феофанова

МПК: G01N 1/28

Метки: алмазного, образца, подготовки, порошка

СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦА ИЗ АЛМАЗНОГО ПОРОШКА для исследования с помощью ИК-спектрофотометрии, заключающийся в том, что образец готовят в виде таблетки из зерен алмаза и порошка стекла с показателем преломления, близким или равным показателю преломления алмаза, отличающийся тем, что, с целью расширения номенклатуры исследуемых порошков за счет уменьшения потерь на рассеяние на границах зерен, при приготовлении таблетки берут 10 - 40 об. % зерен алмаза, а таблетку готовят толщинойH = ,где hэф = q l;Cалv - объемная концентрация алмазных зерен в образце;q...

Номер патента: 1702264

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Бурханов, Ганелин, Ермолаев, Князев, Медведев, Петрунин, Трусов

МПК: G01N 23/20

Метки: мелко-и, порошков, размеров, ультрадисперсных, частиц

...кассета подвергается облучению монохроматическим пучком нейтронов, выбранной длины волны и измеряется участок нейтронограммы в том же диапазоне углов Брэгга, в котором измерялись порошки с известным размером частиц. Иэ полученной нейтронограммы определяется составляющая фона 1, обусловленная рассеянием нейтронов на материале кассеты, радиотехническим шумом аппаратуры и радиационным фоном.Иэ полученных нейтронограмм находят1 ьвотношение ( для каждого из по 1 ф 1рошков, состоящих из частиц известных размеров Вь Полученный набор экспериментальных значений ( ( ), В) анп 1 ья1 ф - 1роксимируется функцией видаГ(В) -Ь В1=2)Значения постоянных коэффициентов Ь и число членов и в аппраксимирующей функции определяется по методу наименьших...

Номер патента: 1708523

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Горошко, Кот

МПК: B22F 3/08, B22F 7/04, B22F 7/08

Метки: алмазного, внутренние, нанесения, поверхности, порошка, трубчатых, цилиндрических

...об 45разом,Наружную поверхность элемента 4 покрывают слоем алмазного порошка 2,. после чего элемент устанавливают соос-но в полости тонкостенной трубчатой заготовки 2. Заготовку 3 с элементом 1 0 1 располагают,в полости матрицы 4 с внутренним диаметром Р, Радиальный зазор между наружной поверхностью заготовки 3 (диаметр с) и внутренней поверхностью матрицы составляет55 Э - й2Диметр матрицы выбирают таким образом, чтобы выполнялось условие 1,230П1,ОЙДО, где д - диаметр заготовки, Далее, элемент подключают к высоковольтному емкостному накопителю 5,.после чего матрицу закрывают торцовыми крышками (не показаны) и осуществляют разряд накопителя 5 через элемент 1 с обеспечением его электрического взрыва,В результате взрыва продукты...