Патенты с меткой «лития»

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 1605584

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Блистанов, Гераскин, Ермаков, Козлова, Мосиевский, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, йодата, лития, модификации, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ по авт. св. N 1503346, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов, размер грани затравки выбирают равной не менее 2d, где d толщина элемента.

Номер патента: 1824851

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Давыдов, Игнатьев, Курдюмов, Соловьева, Ющенко

МПК: C01F 7/04

Метки: гидроксодиалюмината, лития

...в количестве 5- 15 г/м .Способ осуществляется следующим образом.Смешивают растворы литий- и алюминийсодержащих соединений в щелочной среде, В качестве алюминийсодержащих соединений используют маточные растворы декомпозиции и их смеси с алюминатными растворами с а= 1,5-4,0. Образующуюся пульпу перемешивают при нагревании до окончания химической реакции образования ГДАЛ, перед ее окончанием в пульпу добавляют флокулянт - полидиметилдиачли 3 ламмонийхлорид в количестве 5 - 15 г/м . перемешивают, отстаивают, отделяют маточный раствор от сгущенного продукта с последующей его фильтрацией.Верхний предел расхода флокулянта обосновываегся тем, что увеличение расхода более 15 г/м не ведет к повышению скорости фильтрации.Нижний предел...

Номер патента: 1443496

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида

Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

Номер патента: 1565084

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чернышев, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, фторида

Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в инертную атмосферу при их парциальном давлении 20 - 30 мм рт.ст.

Номер патента: 1575585

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волочек, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристалла, лития, фторида

1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в концентрации 0,1 - 1,0 мас.%, а вытягивание ведут на воздухе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NH4F.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NiF2.

Номер патента: 1593116

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Калачева, Маркеев, Мельниченко, Петрова, Помадчин, Раков, Рейтеров

МПК: C01F 17/00

Метки: комплексных, лития, редкоземельных, фторидов, элементов

Способ получения комплексных фторидов редкоземельных элементов и лития, включающий обработку водных растворов смеси солей редкоземельных элементов и лития реагентом-осадителем и спекание образовавшегося осадка, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса за счет непосредственного выделения фторидов из растворов, в качестве реагента-осадителя используют бифторид аммония или раствор фтористоводородной кислоты, образовавшийся осадок высушивают при 50 - 150oC до влажности 0,2 - 2,0%, а спекание ведут при 350 - 500oC.

Номер патента: 913753

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Кутузов, Мезенцева, Нечепуренко, Шелопут

МПК: C30B 7/00, H01L 41/16

Метки: лития, основе, приборов, пьезоэлектрических, слоев, соединения

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йодата лития при 39 - 41oС и рН 1,9 - 2,1.

Номер патента: 845506

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Баласанян, Вартанян, Габриелян, Казарян

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата

Способ выращивания монокристаллов ниобата лития из расплава шихты, содержащей кислородные соединения ниобия и лития, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности кристаллов при увеличении скорости выращивания, в шихту дополнительно вводят калий и компоненты берут в количестве, определяемом из соотношения окислов пятиокиси ниобия и окиси лития, мол.%, равном (51,0 - 51,4) : (48,6 - 49,0), и окиси калия (4 - 6) % от веса суммы окислов ниобия и лития.

Номер патента: 1290762

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Белов, Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/16, C30B 7/02

Метки: выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.

Номер патента: 1294027

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходный раствор иодата лития, общее содержание микропримеси в котором не превышает 10-5%, регенерацию затравки осуществляют при подъеме температуры со скоростью 10 - 15oC/сутки и рост ведут при степени...

Номер патента: 1407106

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Мазанько, Мулина, Ромашин, Рябов, Сафронова

МПК: C25B 1/46

Метки: гидроксида, лития, хлора

Способ получения хлора и гидроксида лития путем электрлиза раствора хлорида лития в электролизере с разделенными электродными пространствами, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты продукта при сокращении расхода энергии и материалов, процесс ведут с использованием ионообменной мембраны, а концентрацию хлорида лития в очищенном растворе поддерживают на уровне, определяемом выражениемгде Хр - концентрация хлорида лития, мас.;N - водонероницаемость применяемой мембраны, моль/Ф.

Номер патента: 1729088

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Камалутдинова, Рамазанов

МПК: C01D 15/00, C01F 7/04

Метки: вод, литийсодержащих, лития, солей

1. Способ получения солей лития из литийсодержащих вод, включающий обработку их растворимой хлорсодержащей солью алюминия, отделение осадка гидроалюмината лития, разделение соединений лития и алюминия, возврат соли алюминия на стадию обработки литийсодержащих вод, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, разделение соединений лития и алюминия осуществляют путем обработки гидроалюмината лития водой при температуре 50-70oC и давлении 90-230 мм рт. ст. , выделившийся осадок гидроксида алюминия обрабатывают соляной кислотой, взятой в стехиометрическом количестве, необходимом для образования оксихлорида алюминия, и полученный оксихлорид алюминия используют в качестве...

Номер патента: 849844

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Алексеева, Парфианович, Соцердотова

МПК: G01J 1/58, G01T 1/11

Метки: детектора, излучения, лития, подготовки, ультрафиолетового, фториде

Способ подготовки детектора на фториде лития для измерения ультрафиолетового излучения, включающий термообработку, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения доз ультрафиолетового излучения в диапазоне энергий 3-5,5 эВ, детектор из фторида лития нагревают до температуры 100-300°C и при этой температуре облучают ионизирующим излучением дозой 103÷10 4 рентген, после чего облучение прекращают, детектор охлаждают до комнатной температуры.

Номер патента: 1380162

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Исянова, Кудряшов, Лобанов, Максимова, Цирульник

МПК: C01D 15/04

Метки: лития, фтористого

Способ получения фтористого лития, используемого для выращивания монокристаллов, включающий взаимодействие растворов гидроксида лития и фтористоводородной кислоты в присутствии добавки, отличающийся тем, что, с целью получения продукта, обеспечивающего высокую степень поглощения инфракрасного излучения в области спектра m=3720 см-1, в качестве добавки вводят гидроксид натрия в количестве 0,15-0,2% от массы получаемой соли и используют 8%-ные растворы исходных реагентов.

Номер патента: 1261534

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Васильев, Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Овчинников

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных -центров окраски в монокристалле фторида лития, включающий охлаждение и облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения величины поглощения неактивных центров окраски при одновременном упрощении создания -центров окраски, перед охлаждением монокристалл облучают при комнатной температуре в интервале доз 5·108 - 5,1·108 P, затем охлаждают его до температуры -20°С - 0°С, ограничивающей подвижность анионных вакансий, и облучают при этой...

Номер патента: 1245207

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Лобанов, Максимова, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, примесями, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных центров окраски в монокристалле фторида лития с примесями, включающий термическую обработку и последующее облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации -центров окраски и создания -центров окраски, монокристалл перед термической обработкой предварительно облучают ионизирующим излучением в интервале доз 5·107 - 108 P и проводят его термическую обработку в течение 30-60 мин в температурном интервале 220-250°С, затем монокристалл охлаждают...