Архив за 1993 год

Номер патента: 1828560

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Йоханнес, Роланд, Хенрикус

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

...остальные легированные паликристаллические кремниевые участки 41, 42 акисляют лишь частично, в результате чего, как показано на фиг, 10, остаются легированные поликриал, в данном примере фоточувствительный реэист, которому затем придают канфигурацио при помощи традиционных методов фотолитографии и травления, в результате чего формируют маскирующий слой 28, оставляющий открытым легированный кремниевый участок 5. Затем вытравливают легирооанный поликристаллический кремниевый участок 5, После удаления маскируащего слоя 28 традиционными средствами получают структуру, изабраженнуо на фиг.2, а затем можно выполнить, например. операции, описанные выше в связи с фиг. 3-5, в результате чего получается транзисторная структура, изображенная на...

Номер патента: 1828561

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Алиев, Ахмедов, Джафаров, Магеррамов, Садыхов

МПК: H01L 41/26

Метки: композиционных, пьезоматериалов

...ГЬЕЗОЧуВСтВИ- тельность 933 определяли по формуле033933 = в . . . где ео - диэлектрическаякЕопостоянная, ек - диэлектрическая проницаемость образца. я, определялась при частоте 1 кГц.П р и м е р 1, Из смеси порошков сополимера поливинилиденфторида с тетрафторэтиленом (Ф 2 МЗ) и пьезокерамики ПКРМ (РЬТоз - РЬКгоз - РЬйЬг/3 - Еп 1/303 - РЬЙЬ 2/ЗОЗМ 91/303 - МПО 2) изго тавливались образцы путем горячего прессования этих компонентов при температуре Тпрес=483 Кидавлении Рпр=.15 МПа. Время выдержки расплава составляло 1 О мин, За.тем расплав охлаждали до температуры кристаллизации Ткр = 443 К, а давление увеличивали до 50 МПа, выдерживали в этих условиях в течение времени бакр = 15 мин, а затем охлаждали до комнатной температуры, После...

Номер патента: 1828562

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Акулов, Геров, Левкина, Чернышев

МПК: H01G 13/00

Метки: антенна, рупорная

...при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 45 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при разработке рупорных антенн, устанавливаемых на летательных аппаратах,Целью изобретения является обеспечение автоматического разделения рупора и волноводэ,На чертеже изображена рупорная антенна,Рупорная антенна содержит рупор 1, выполненный с фланцем 2, волновод 3 с фланцем 4. Во фланце 4 волновода 3 соосно ему выполнена кольцевая полость 5, соединенная гаэоходом 6 с источником давления 7, В кольцевой полости 5 установлен поршень 8, подпружиненный относительно фланца 4 волнавода 3 пружинами 9 (например, 3 шт, равномерно расположенные по...

Номер патента: 1828563

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Эрих

МПК: H01R 13/00

Метки: защитный, колодки, распределительной, телекоммуникационной, установки, штекер

...проходящими в направлении встзвлвния. Эти пзэы50 55 контактирующими с противоконтактамираспределительной колодки, и при этом корпус между разрядниками защиты от перенапряжений и пружинящими контактами снабжен разделительной перегородкой, через которую могут быть. просунуты присоединительные штифты, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения конструкции имонтажа, пружинящие контакты выполнены в виде вилочных контактов, боковые концы вилки которых выполнены свободными реоткрыты в сторону камер 5 для разрядников 6 и в сторону вставления и направления в сторону пружинящих контактов 9. Присоединительные штифты 7 своим дугообраз ным отрезком входят в пазы 15 иудерживаются здесь в требуемом положении. Таким образом, при вставлении...

Номер патента: 1828564

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Карл, Лотар, Фреди

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: относительного, перемещения

...в осевом направлении стержня 8 и по всей его длине, Как упоминалось ранее, предварительное напряжение необходимо для того, чтобы стержень, после того как он подвергался влиянию магнитных полей, возвращался к его первоначальным размерам. Однако это предварительное напряжение может достигаться многими различными способами (фиг. 3 иллюстрирует только один пример такого предварительного напряжения).Как явствует из сказанного выше, важный признак, согласно этому изобретению, состоит в том, что стержень 1, 8 состоит из магнитострикционного материала. Предпочтительно, стержень 1, 8 делается из так называемого макромолекулярного магнитострикционного материала, например, сплава между редкоземельными металлами, такими как самарий (Зе), тербий...

Номер патента: 1828565

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...полученной суммы или разности. ЗТР отличается тем, что в устройстве каждая пара системы разомкнутых электродов заменяется двумя парами разомкнутых электродов так, чтаЬ- Ь - д. - ц. -О.-О. - +(3)где и - номер второй пары разомкнутыхэлектродов, если первая пара помечена номером и, 18285651 - натуральное число,при этом равенство (3) может нарушаться в местах смены амплитуды импульсного отклика системы разомкнутых электродов.На фиг.изображено устройство на ПАВ. Здесь 1 - пьезоэлектрическая подложка, 2, 3 - первый и второй входные преобразователи ПАВ, 4 - выходной преобразователь ПАВ, 5 - ось симметрии или ось, которую можно принять эа ось симметрии с точки зрения возбуждения ПАВ для преобразователя - 2, 6 - ось симметрии или ось,...

Номер патента: 1828566

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бурштейн, Рахман

МПК: H04L 7/04

Метки: ошибки, сигнала, синхронизации, формирования, цикловой

...ожидания импульса цикловой синхронизации в состояние "лог, 0" на выходе второго элемента ИЛИ-НЕ 12 или на выходе третьего элемента ИЛИ - НЕ 13 в зависимости от информации, записанной в первом триггере 1. формируется уровень "лог. 1", который поступает на вход установки "1" или вход установки "0" первого триггера 1 и будет подтверждать состояние последнего до следующего появления уровня "лог. 1" на входе 19 сигнала ожидания импульса цикловой синхронизации.В режиме слежения за синхронизмом второй триггер 15 находится в состоянии "лог. 1", а конденсатор 2 заряжен. Если на ожидаемой позиции циклового синхронизма вместо посылки "лог. 1", будет принята посылка "лог. 0", то первый триггер 1 установится в состояние "лог, 0" и начнется разряд...

Номер патента: 1828567

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бондарева, Никулин, Шапошников, Шпита, Юрченко

МПК: H04M 1/57

Метки: абонента, аппарате, вызываемого, вызывающего, индикации, номера, телефонном

...по снятию телефонной трубки или нажатию кнопки индикации срабатывает ключ 1. С генератора 2 через счетчик 3, управляющий блок, ключ и линию связи 5 на АТС поступают потенциальный и тональный сигналы частотой 500 Гц, АТС выдает кодированную двухчастотным кодом информацию о номере и категории вызывающего абонента, Эта информация через ключ 1, блок АРУ 6, где усиливается и ограничивается, поступает на блок фильтров 7, который выделяет из данного кода б раздельных частот ( - ) Гц, 700 Гц, 900 Гц, 1100 Гц, 1300 Гц, 1500 Гц, 1700 Гц, которые затем. поступают через формирователь импульсов 8 на дешифратор 9, формирователь импульсов 8 преобразует выходные сигналы блока фильтров 7 в логические цифровые сигналы, обеспечивающие дальнейшую совместную...

Номер патента: 1160895

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, полупроводниковых, структур

...воздухом. Следующей после нддрездния чисткой5 11удаляют продукты надрезания и буртикс поверхности подложки, а также удаляют поверхностный дефектный и загрязненный слой маскирующего диэлектрического покрытия двуокиси кремния,Отсутствие специальной операциинанесения защитной маски, а такжеочистки подложки от продуктов скрайбирования маскирующего диэлектрического покрытия и мгталлизированной разводки в одном технологическомцикле упрощает способ и сокращаетвремя его проведенияП р и м е р, Полупроводниковуюподложку кремния толщиной 250 мкми-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическомуокислению при температуре 1150 С втечение 3 ч, Процесс проводят в ком"Ьинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода...

Номер патента: 965266

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...устройство угловых перемещений,содержащее магнитострикционный элемент, выполненный в виде трубки, цилиндрическую обмотку и замыкающиймагнитопровод,Для обеспечения углового перемещения путем создания винтового магнитного поля в теле магнитострикционногоэлемента устройство содержит дополнительную торовую обмотку,Недостатком устройства я сясложность и нетехнологичность кон965266 Редактор Г,Берсенева Техред И,Моргентал Корректор А.КозоризР Заказ 2036 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, й, Раушская наб д. Й/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 струкции, обусловленная указаннойторовой обмоткой.1 елью изобретения...

Номер патента: 965267

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционный, перемещений, привод, угловых

...также магнитострикционный привод угловых перемещений, со- (Л держащий магнитострикционный элемент, М выполненный в виде диска, и цилиндри- (,Ь ческий сердечник с кольцевой выточкой, в которой размещена намагничивающая катушка.В известном приводе имеется дополнительная катушка возбуждения, охватывающая магнитострикционный элемент, для создания циркулярной составляющей спирального магнитного поля.Наличие этой катушки существенно усложняет конструкцию, приводит к нетехнологичности привода, в частности к затрудненной сборке и разборке.Уб 26 У Целью изобретения является упрощение конструкции и повышение ее технологичности. СоставительРедактор Г,Берсенева Техред М.Моргентал Коррект ла тиражго комитета по и35 Москва, ЖПодписноебретениям и...

Номер патента: 1163763

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Котов

МПК: H01L 21/331

Метки: мощных, свч, транзисторов

...кон11637 60 55 центрацией тока на периферии амит"терногп перехода.В данном способе устойчивость квторичному пробою зависит от велицинц общего сопротивления цели пассив-ной базы транзистора. Поскольку этосопротивление мало, ему соответствует малая максимальная мощность рассеяния, ограниченная шнурованием 10тока. Устойчивость транзистора квторичному пробою из-за отсутствияпадений напряжения на пассивной базеи на эмиттерном переходе также минимально 151 елью изобретения является улучшение электрических параметров транзисторов за счет повышения устойчивости транзистора к вторичному пробоюпри прямом смещении эмиттерного перехода.Поставленная цель достигается тем,цто в способе изготовления мощныхВЦ и СВЧ транзисторных структур,...

Номер патента: 1111651

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 11/00

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...соединять пружинный элемент с биметаллической пластиной вблизи ее свободного конца с целью создания напряжений растяжения и сжатия в слоях пластины на всей ее длине, а следовательно, с целью максимального использоаания активного материала биметаллической пластины для ростикения эййекта увеличения ее прогиба при намагничивании г Редактор Г,Берсенева техред М,Иоргентал (орректор И.шмакова аказ 283 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при П(НТ СССР113035, Иосква, Ж, Раушская наб д, /5 Производственно-издательский комбинатПатент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101 микроперемещений, содержащее магнитострикционный элемент - биметаллическую пластину, выполненную из материалов с различными по знаку...

Номер патента: 774478

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...же режимах процесса селективность травления Я 10 г/Я лучше, чем 12:1. По мере истощения используемого раствора фтористого водорода его концентрация уменьшается до концентрации,соответствующей азеотропному составу,т.е. 38,3 масс. Опри нормальном атмосферном давлении.Использование 38,3-ного растворафтористого водорода в воде, соответствующего азеотропному составу при нормальном атмосферном давлении, при испаренииего в условиях повышенного давления врезервуаре приводит к тому, что, в соответствии со вторым законом Вревского, составнераздельно кипящей смеси при увеличении общего давления изменяется в сторонууменьшения содержания компоненты сменьшей дифференциальной теплотой парообразования, т,е. НГ, и составляет в исходном молекулярном...

Номер патента: 1114242

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...нитрида кремния; на Фиг,2 показаны полупроводниковая подложка,высокоомный п-слой, маскирующее поверхность покрытие, образующее выступ между высоколегированными областями противоположного подложке типапроводимости, составляющей 0,2-1,0от максимальной толщины разогнаннойвнешней базы; на Фиг.3 показаны подложка, высокоомный слой, маскирующеепокрытие, разогнанные внешние базовыеобласти с маскирующим диэлектрическим покрытием и активная база, созданная разгонкой примеси из легированных областей до.их смыкания; нафиг. 1 - показаны подложка, высокоом 1ный слой, внешняя база, активная базаи эмиттерная область; на Фиг,5 - показана завершенная высокочастотнаятранзисторная структура, включающаявысоколегированную полупроводниковуюлсподложку и...

Номер патента: 303899

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Бучас

МПК: E04H 3/12, E04H 3/22

Метки: трибуна

...причем задняя стенка каждой последующей кабины прикреплена к козырьку предыдущей кабины, а основание последующей кабины отстоит от основания предыдущей, образуя смотровую щель.На фиг. 1 показана предлагаемая трибуна, поперечный разрез; на фиг. 2 - то же, общий вид, в аксонометрической проекции.)5 Е 04 Н 3/12, Е 04 Н 3/22 я с я тем, что, с целью уве мости, каждая ступень три перечном сечении-обр снабжена козырьком, прич каждой последующей каби к козырьку предыдущей ка ние последующей кабины вания предыдущей каб смотровую щель. Трибуна состоит из несущей части 1 со ступенчатой системой поперечных зрительных рядов 2, расположенных с уклоном в сторону просмотра. Каждая ступень трибуны имеет в поперечном сечении -образную форму и...

Номер патента: 1018543

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, мощных, транзисторов

...с образованиемокисного покрытия 11 в условиях глубокого окисления поверхности кремния в области активной базы 10, изменившей свой профиль вслерствие эФ"йекта сегрегации примеси на границераярела двуокиси кремния - кремний,при этом область контакта 7 сомкнулась с областью базы 10, йиг, чподложка 1 после удаления окисногопокрытия 11 с области активной базы10 и проведения в то же окно диФФузии ронорной примеси в змиттернуюобласть 12, Фиг,5 - подложка 1 после вскрытия контактных окон к области змиттера и базы и создания двухслойной токопроводящей разводки кзмиттеру и однослойной к базе наоснове высоколегированного поликристаллического кремния 13 и слояалюминия 14,Контакт к области коллектора осуществляют с рругой стороны подложки.При этом...

Номер патента: 1173741

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Самусь, Шигорин, Юрна

МПК: C08L 63/02, C09D 163/02, C09D 5/08 ...

Метки: защитных, композиция, покрытий

...в соотношении 1:1;) Сиесь растворителей (нетиленхлорил, тридтортрихлорэтдн и моноэтилоеый эеир этилснгликаля е соотношении 1;1:1) Условнаявязкость по03-4, сп Раста"каемость11737) 1 Пгтатоляенме таСлмцы Стойкость покрытий в агрессивных срелахпри 240 С (сутки ро начала разрушения) Примечание Примеры композиции (мас Ьь) 1 ОЬ-мыйраствор НС 1 3 Ь-мый раствор ИаС 1 10 Ь-ныйраствор ВаОН Пример 1 Эпоксипмая смоля ЭЧ Сланцевое наело 33,0 13,7 Т(лс ИЛИ СУРИК КЕЛЕЗный 16,0э,э1,7 более 120 Покрытие пплумятовое, ровное безпотеков и пругнхлефектпв ТалькЯэрпсил более 120 более 120 26,25,4 Полиэтиленполиямин илн аминспенольный отеерлнтель Рфбьэ Пример 2 Э 4,5 15,9 Эпоксилная смола ЭЧ Сланцевое масло Т(пт или сурик хелеэный Покрытие полуматп апе,...

Номер патента: 1119393

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ахундов, Гусейнов, Кулиев, Султанов

МПК: F24F 1/02

Метки: кондиционер

...а основная размещена в дру и обе решетки кинематическ ны между собой. етка, вози возлу".решетку,тем, что,ности исощности иВозможноснтилятораегорорка,ека каасположеная решетка,гом канале,и соединеПоставленная цель ростигается что в отсеке на выходе вентилятора установлена продольная перегородка, со стенками отсека каналы, в одном из которых расположена дополнительная регулирующая решетка, а основная размещена в другом канале, и обе .решетки кинематически соеринены менщу собой.На чертеже приведена одна из возможных конструкций кондиционера в поперечном разрезе.Кондиционер сорержит воздухоохладительный отсек 1, в котором последовательно по ходу воздуха размещены воздухозаборная решетка 2, воздухоохладитель 3, вентилятор 4, и...

Номер патента: 1295971

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем

...и выращивают подзатворныйокисел 6 кремния толщиной 0,07 мкмопри 950 С в среде увлажненного кислорода с добавлением хлористого водорода.Фотолитографическим способомвскрывают, контактные окна 7 в слое 6,наносят поликремний толщиной 0,5 мкм,проводят его легирования фосфоромпри 900 С до Кз = 15-40 Ом/ст и формируют затворы 8 иэ поликремния имежсоедицения 9 (поликремниевьтешины),После травления поликремния удаляют с активных областей открытый слойподзатворного диэлектрика 6 и окисел10 на поликремнии путем травленияв буферном растворе на основе фтористоводородной кислоты. После химобработки на всю поверхность структурынаносят пиролитическим разложениемодихлорсилана в аммиаке при 800 Сслой 11 нитрида кремния толщиной0,2 мкм.Затем...

Номер патента: 1070804

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Петрушин, Руденко, Тимченко, Токарев, Тришечкин, Шер

МПК: B21J 5/00, B23Q 41/00

Метки: автоматическая, линия, объемной, штамповки

...цилиндра 5 выступы 10 и 11 планки 9 то поднимаются, то опускаются.При этом изделие то получает возможность поступать на обрубку, то удерживается на транспортере,Яа транспортером 4 размещен лоток12, установленный с ним соосно, покоторому изделие скатывается с помощью специально на нем установленных направляющих 13 на обрезной штамп14 строго по оси лотка 12, Для удержания изделия на плите штампа при еедвижении с лотка над ним установленоустройство, содержащее ось 15, планку 16 с балансиром 17, удерживающееизделие на плите штампа в определенном месте,,Посылка изделия в ручей обрезногоштампа 14 производится с помощью устройства, установленного под лотком,соосно с ним содержащего силовой цилиндр 18, на штоке 19 которого смонтирована вилка...

Номер патента: 1124821

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Затолокин, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...расположенных по направлениямлегкого намагничивания слоев биметал" 25лической пластины, а обмотка намагничивания выполнена из двух электрически несвязанных частей, ка нрая изкоторых размещена на одной из полоскожуха, при этом биметаллическая 3пластина одним из углов скреплена скожухом, а к противоположному углуподсоединен перемещаемый объект,Выполнение слоев биметаллическойпластины из одного магнитострикцион"ного материала, но со взаимно перпендикулярной текстуровкой исключаетвозникновение ложного перемещенияпри изменении температуры, что иобеспечивает достижение поставленной 40цели,На Фиг 1 схематически изображеноустройство микроперемещений, наФиг,2 - сечение устройства по А-А;на Фиг. 3 - устройство со снятой би...

Номер патента: 980568

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...на общей полупроводниковой подложке структур друг от друга.П р и м е р, Полупроводниковую подложку кремния 1 и-типа проводи" мости, служащую коллектором, подвер" гают термическому окислению при тем" пературе 1150 С в течение 3 ч. Процесс проводят в комбинированной среде сухого и. увлажненного водяными парами кислорода, выращивая маскирующее дизлектрицеское покрытие 2 двуокиси. кремния БхО. 8 результате получают пленку толщиной 0,8 мкм, достаточной для маскирования подложки 1 от последующих операций диффузии и селективного травления кремния. Через вскрытое Фотогравировкой окно в покрытии 2 Формируют базовую область. 3; например, термической загонкой бора из борного ангидрида ВОз с последующей его разгонкой при температуре 1150 С...

Номер патента: 845678

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Аноприенко, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: транзисторов

...слой бтолщиной 0,4 мкм, Далее фотогравировкойв маскирующем слое б вскрывают окно 7через которое формируют и -область подла 0гированной пассивной базы 8 с целью сжения последовательного сопротивле:имежду эмиттерным и базовым котактомДиффузию осуществляют из греххлористоО Фостора РС 1, в две стадии, загон куфооа ведут при температуре 9800 Гизкотемпературная разгон ка ,Т,":сухОЙ и уэлд)кненной вОдяными парами среде со следующими дйффузионьк 1 и параметрами: Й. 15 омlг и Х=2 м,.толщиной окисла 9- 0,35 мкм. Далее в "зокисла б с помощью фотогравировки вскрывают окно 10. через которое диффузией бора и формируют эмиттернуО Обэсть 11.45Диффузию осуществляют из борного ангидрида В 20 з в две стадии, Первая стадия - загонка проводится при...

Номер патента: 1542337

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Алексенко, Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/441

Метки: полупроводниковых, структур

...размеры и плотность бугорков9, на Фиг, 3 - указаннал структурапосле стравливанил (планаризации)бугорков, на Фиг. 4 - структура- . 25Фиг, 3 после окисления алюминиевойразводки 6 в порах 8 диэлектрическогопокрытия (9 " окись алюминия),П р и и е р конкретного осуществления способа. 30На полупроводниковую подложку сосформированными элементами структур1-11 вакуумным осанденем на установке УВН-П 2 наносят алюминийтолщиной 12 икм. Затем Формируют металлизированную разводку 6 полупроводниковых структур, наносят диэлектрическое покрьтие 7 например двуокиськремния, толщиной 0,2. мкм методомокисления ионосилана в кислороде при 4050 С. Перед нанесением диэлектрикавозможна пассивацил поверхности ме.тагла, например,...

Номер патента: 1028230

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Пьянков, Шерешков, Шмырев

МПК: H05B 3/52

Метки: заполнения, наполнителем, трубчатого, электронагревателя

...сус 1 г:овленным в зазоре между оболочкорезистивным элементом направляюще 1, снабженной приводом переме"щения и Фиксатор для закрепления оболочки и оковыводяцего стержня установленный ча одном конце электронагревателяаправляющая выполненав виде поло о шнека, заглубленногоодним концом внутрь бункера и установленного перпендикулярно к еговходному и соосно с его выходным от"верстием, к которому прикреплен штуцер для присоединения к оболочке ТЗН,и устройство снабн ено узлом взаимного горизонтального перемещения направляющей и Фиксатора, выполненногов виде передвижной платФормы с механизмом регулируемого нагружения,Подвижная платФорма в зависимостиот размеров ТЭН может быть соединеналибо с Фиксатором, либо с приводомперемещения полого...

Номер патента: 1365622

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Глек, Григорьев

МПК: G01N 29/24

Метки: электромагнитно-акустический

...сердечниках 6 до оптимального. Итак, подмагничивающие катушки 2, 3 и 8 служат для создания оптимального магнитного потока в исследуемом образце 11 и сердечниках 6.При контроле магиитострикциоьч.-о матерцала образца 11 катушки 2 и 3 включены так, что создают магнитный поток.одцого направления с магнитным потоком магнита 1, а катушки 8 первого столбца и второго столбца матрицы сердечников (третьего и четвертого столбцов, пятого и шестого столбцов и т.д,),создают дополнительный магнитный поток В сердечниках б, направление которого встречно магнит" ному потоку магнита 1. лагнитный поток, создаваемый в первом и втором столбцах сердечников 6, устанавливается оптимальным, а в следуюшх парах столбцов сердечников 6 - немного отличаюш.йся от...

Номер патента: 1249913

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Буланкин, Грузднева, Кихляп, Колчин, Курц, Нестеренко, Славашевич

МПК: C07F 9/113

Метки: диметилвинилфосфатов, замещенных

...дО КОМНатНОй. Д 1 с 1 ФЛ ОтГОНяЮтв вакууме, добавляют бенэол, отфильтровывают хлорид калия, бенэол упаривают, остаток т 1 ерегоняют в вакууме.Получают 11,7 г целевого продукта,Выход 90,97. (содержанне Е-изомера более 957), т,кип. 124-128 С/0,5 мм рт.ст.П р и м е р 4. Получение дэпэетил(молярное соотноптение соедттгт.ттиэт1: 11: 111=1: 2: 2 25), По окотттгттттэн прибавления реакционную масс.у Рбтэлбдтьтвают водой, циодрин экстрагпр Рютбензолом, промывают водой, белзолудаляют, остаток вьщержитэсэ РР в тэакууме 1 Оммрт.ст, при тсгстт"смтурсэбани 100 С. Получакэт 14,6 г ГР.левого продукта (цисэдрнгта), ВР,хс,Р ст 3 ж,СОдЕржаНИЕ Е-ИЗОМЕра 82,0". (с Ррг.ЦЕЛЕэтсг методом ИК-стэектрсэсксэтстстэ,П р и м е р 6, Пслуч. РРГ Р....

Номер патента: 1549190

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Вертинский

МПК: F04F 1/16

Метки: насос, электрогидравлический

...насос содержит прямой трубчатый корпус 1, блокпитания (не показан), разрядные устройства 2 с формирователями 3 разрядов, установленные по осн корпуса )последовательно и соединенные с блоком питания, причем формировательразрядов первого по ходу потока раз"рядного устройства 2 установлен запоследними разрядным устройством, а,разрядные устройства 2 и формирователи 3 разрядов установлены друг отдруга и от первого на расстояниине менее радиуса трубчатого корпуса1, прячем насос снабжен трубчатымстержнем 4, закрепленным в корпусекоаксиально последнему, разрядныеустройства 2 размещены равномернопо окружности по три в плоскостях,перпендикулярных оси корпуса 1, аформирователи 3 разрядов эакрелленынастержне 4.Насос работает...

Номер патента: 1250028

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Васкович

МПК: G01K 17/12

Метки: вынужденной, газах, жидкостях, конвекции, коэффициентов, теплоотдачи, теплопередачи

...). 11; 11 пйе,1.В .общем случае на построенномграфике различают три участка, соответствующие ламинарному,переходному и турбулентному:режимам течения, каждый из которых аппроксимируется уравнением вида20 1 п(Жег), = й. 1 пКе, + Ст где С. и д - постоянные для даннойповерхност 11 величины на нервомучастке С и Й на втором С, и Й, 23 и на третьем С и ЙПо найденным таким образом величинам С, .и 4; подсчитывают критерии. Буссельта и коэффициент теплоотдачипо следующим формулам30 где 1 т; " коэФфициент теплопроводности среды на участке ламинарного режима движения среды 0,153 ЗЬ 5 С,д )гЯ0,0056 Ее0,15 Г 1%1 112" СфСе 1 1 С1250028 на участке переходного режима двн."ження среды(О,О+О,2 З з)-З,Мт . Г1, 12 ка участке турбулентного режима движения...