Элемент памяти

О П И С А Н И Е (и 888207ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоциапистичесиикреспубики(я)м. Кл 6 11 С 11/40 ГасударспкниыЯ кфмитет СССР ло лелем кзебретевиЯ и еткрыткЯ- ( 5 Ц ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использованов статических запоминающих устройствах.Известен 1 элемент памяти стати-,ческого типа, содержащий планарныйтиристор, состоящий из горизонтального р-и-р транзистора и вертикального и-р-и транзистора. Базы тиристора через резисторы подключены кразрядным шинам,Недостатком этого элемента паиятиявляется низкое быстродействие,Наиболее близким решением по тех- .нической сущности и достигаемому ре 15зультату к изобретению является статический элемент памяти 2, содержащий тиристор, транзистор записи,эмиттер которого соединен с разряднойшиной, шину выборки, шину считывания,а также резисторы. Недостатком этого элемента памятиявляется сложность конструкции. Целью изобретения является упрощение элемента памяти,Поставленная цель достигается тем,что в элемент памяти, содержащий ти"ристор, транзистор записи, эмиттеркоторого соединен с шиной записи,шину выборки и шину считывания, введендиод, анод которого подключен к эмиттеру транзистора записи, а катодк управляющему электроду тиристораи коллектору транзистора записи, базакоторого подключена к аноду тиристора и к шине выборки, а шина считывания подключена к катоду тиристора.На чертеже показан предлагаемыйэлемент памяти.Устройство содержит тиристор 1,анод которого подключен к шине 2выборки и к базе транзистора 3 записи, диод 4, соединенный катодом суправляющим входои тиристора и сколлектором транзистора записи. Катод тиристора подключен к шине 5считывания.88820 формула изобретения ВНИИПИ Заказ. 10732/16Тираж 648 Подписное илиал ППП "Патент",,Ужгород,ул.Проектна 3Анод диода 4 подключен к эмиттерутранзистора записи и к шине 6 записи.Элемент памяти работает в трех режимах: хранения, считывания и записи информации,В режиме хранения между шинами 2и 5 устанавливают напряжение достаточное для поддержания бистабильногосостояния тиристора 1, Величина тока 1 охранения, протекающего через включенный тиристор, выбирается минимальнодопустимой (1-3 мкА), Если тиристорвключен (логический "0"), то по цепи. шина 2 - тиристор 1 - шина 5 протекает ток хранения, а транзистор 3и диод 4 закрыты.В режиме считывания повышается потенциал (относительно режима, хране,ния) одновременно на шинах 2 и 6.Если транзистор находился во включен-.ном состоянии, то повышается потенциал на шине 5. Если в режиме хранения тиристор был выключен (логичес-кая "1") , то потенциал на шине 5не изменится. Таким образом, состоя-.ние элемента памяти различается зна"чениями величины напряжения на ши"не 5, Транзистор в этом режиме закрыт. зоПосле считывания информации снижается потенциал на шинах 2 и б, иэлемент памяти возвращается в режимхранения, не изменяя своего состояния,П и записи логической"1" понижар35ют потенциал, на шине 4, а на шине 6повышают. При этом на управляющем входе повышается потенциал и тиристорбыстро выключается,При повышении потенциала на шине. 2юи понижении потенциала на шине бэлемент памяти переходит в режим 74хранения. При записи логического "0" повышают потенциал на шине 2, а. на шине б понижают. Транзистор 3 открывается и током вго коллектора включается тиристор, При возвращении потенциалов к исходным элемент памяти переходит в режим хранения. Информация в элементе памяти может храниться при наличии питания неограниченно долго (в отличие от тиристорных динамических ячеек, требующих регенерации информации). На основе этого элемента памяти при использовании современной технологии и микроэлектроники можно создать оперативные статические ЗУ с большой информационной емкостью. Элемент памяти, содержащий тиристор, транзистор записи, эмиттер которого соединен с шиной записи, шину выборки и шину считывания, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения устройства, в него введен диод, анод которого подключен к эмиттеру транзистора записи, а катодк управляющему электроду тиристора и коллектору транзистора записи, база которого подключена к аноду тиристора и к шине выборки, а шина считывания подключена к катоду тиристора,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Е 1 естгопзсЬе Весбегап 1 ацеп,Нб, М 7 1965,293,2. Зарубежная электронная техника,1974, М 12, с,38 (прототип)