Способ изготовления источников диффузии фосфора
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА на основе метафосфата алюминия, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков метафосфата алюминия и наполнителя, нанесение диффузанта на термостойкую подложку и их спекание в инертной или окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы источников на термостойкой подложке из кремния, в диффузанте в качестве наполнителя используют порошок кремния в количестве 15-40 мас.ч., а спекание проводят при 1000-1090°С.
2.Способ по п.1, отличающийся тем, что размер зерен порошка кремния составляет 5-70 мкм.
Описание
Целью изобретения является повышение срока службы источников диффузии фосфора на термостойкой кремниевой подложке из кремния.
Сущность изобретения состоит в том, что при спекании таких источников в области границы раздела диффузант - кремний возникают механические напряжения значительно меньшей величины по сравнению с прототипом. Это обусловлено тем, что спекание диффузанта с кремниевой подложкой и самого диффузанта происходит благодаря образованию фосфорно-силикатного стекла (ФСС), которое при температурах спекания и эксплуатации находится в размягченном состоянии, а также проведению процесса спекания при более низких температурах (1000-1090оС) по сравнению с прототипом. ФСС возникает в процессе спекания по всей зернистой массе диффузанта на поверхности порошка кремния и кремниевой подложки вследствие разложения метафосфата алюминия, выделения Р2О5 и его взаимодействия с порошком кремния и кремниевой пластиной.
Приготовляя диффузант, смешивая 80 мас.ч. порошка метафосфата алюминия с 15 мас.ч. порошка кремния. Приготовляют пасту диффузанта, добавляя к смеси порошков 5%-ный раствор поливинилового спирта. Наносят пасту диффузанта толщиной 0,7 мм на обе стороны пластин кремния диаметром 100 мм методом сеткографии, а затем сушат пластины в течение 30-45 мин при 200оС. Затем пластины загружают вертикально в кварцевую кассету и проводят спекание при 1000оС в течение 35 мин.
Источники, изготовленные по предлагаемому способу, более термостойки и долговечны. Предлагаемый способ обеспечивает возможность нанесения диффузанта по всей поверхности пластины методом сеткографии, что улучшает воспроизводимость удельного поверхностного сопротивления легированных слоев в кремниевых пластинах, при длительном сроке эксплуатации источников.
Заявка
3889874/25, 22.04.1985
Денисюк В. А, Пих В. С
МПК / Метки
МПК: H01L 21/22
Метки: диффузии, источников, фосфора
Опубликовано: 20.03.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1292622-sposob-izgotovleniya-istochnikov-diffuzii-fosfora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления источников диффузии фосфора</a>
Способ изготовления твердых планарных источников для диффузии фосфора
Номер патента: 1591753
Опубликовано: 27.01.1995
Автор: Денисюк
МПК: H01L 21/22
Метки: диффузии, источников, планарных, твердых, фосфора
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДЛЯ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА, включающий приготовление смеси из порошка метафосфата алюминия и порошка кремния в количестве 15 - 40 мас.ч., нанесение на термостойкую положку из кремния, спекание диффузанта с подложкой в инертной или окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы путем снижения выкрашивания частиц диффузанта из источников и повышения термомеханической стойкости источников, перед нанесением диффузанта на термостойкую подложку из кремния проводят отжиг диффузанта в инертной среде при 1000 - 1050oС в течение 15 - 40 мин и его измельчение, а спекание диффузанта с подложкой проводят при 980 - 1040oС.
Способ создания источника диффузии алюминияв кремний
Номер патента: 176989
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Грехов, Лебедева, Линийчук, Тучкевич, Физико, Челноков, Шуман, Якивчик
МПК: H01L 21/34
Метки: алюминияв, диффузии, источника, кремний, создания
...А 40, с окислами каких-либо переходных металлов (Г, Та, Т),), Со н т,д).Прн высоких температурах присутствие паров окислов указанных металлов облегчает восстановление алюминия и несколько повышает его концентрацию.Предложенный способдифф 1 зни алюмння нзслужить для получения цводниковых приборов. Многослойные структуры, ндпрнмер, тнпд р-)г-р н )г-р-)г-р-и с регулируемой поверхностной концентрацией получают следующим путем.Предварительно проводят ннзкотемператур. ную диффузию бооа нлн фосфора нд воздухе, а затем на обе стороны пластины ндносят азотнокислый алюминий и проводят дальнейшую высокотемпературную диффузию на воз духе для создания р-и переходов требуемой 1 луои 1 ы. Дпффузн 51 оора н ал)омннн 51 прн этом идет сдновременно,...
Способ диффузии фосфора из твердого источника при изготовлении полупроводниковых приборов
Номер патента: 1829758
Опубликовано: 10.05.1995
МПК: H01L 21/225
Метки: диффузии, изготовлении, источника, полупроводниковых, приборов, твердого, фосфора
...кассеты устанавливают 100 рабочих кремниевых пластин диаметром 76 мм (в каждую по 50 шт. пластин) с формируемым силовым модулем, представляющим собой тройной транзистор Дарлингтона. В этих кремниевых пластинах имеется эпитаксиальный слой птипа и созданы базовые области р-типа биполярных транзисторов с параметрами базы как в примере 1 (после диффузии галлия), в которых вскрыты эмиттерные области для диффузии фосфора. В испарители на кварцевых кассетах насыпают порошок пирофосфата кремния с дисперсностью 0,5- 100 мкм,Далее процесс производят как в примере 1, с выдержкой на рабочей температуре55 1150 С в течение 3 ч, а затем после выгрузки кремниевых пластин дальнейшие технологические операции для создания силовых модулей; вскрытию...
Способ создания диодного источника света на карбиде кремния
Номер патента: 430797
Опубликовано: 05.07.1976
Авторы: Белоусова, Ефимов, Круглов, Павличенко, Рыжиков, Строганова
МПК: H05B 33/10
Метки: диодного, источника, карбиде, кремния, света, создания
...при постыл дисл Недостат сительно не 100 нит при но, вследств тельных акт с участием Целью из производим источников сти по осн вие, весьма та выхода г Поставле зультате ра бора из газ да кремния бочных ком430797 Формула изобретения Составигель Е. Сафонова Техред Т. Зимина"ака 1 бз; 3 Изд. Ъ. 128 Тпрахк 1029 11 одвпсное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 приборов имели однородную электролюминесценцию, яркость которой составляла 150 - 300 нит при плотности тока 0,45 а/см (ток 10 ма) и 250 - 600 нит при плотности тока 0,9 а/ом (ток 20 ма), Необходимо также гпочеркнуть, что на стандартных кристаллах процент выхода...
Способ формирования изолированных внутренних областей
Номер патента: 1715124
Опубликовано: 15.12.1993
МПК: H01L 21/22
Метки: внутренних, изолированных, областей, формирования
...нецелесообразно брать р80 Ом см, так как 15максимальную толщину формируемой изолированной и-области практически нельзяполучить больше 220 мкм. Максимальнаятемпература 1300 С ограничена при длительной работе возможностями современного диффузионного оборудования, а такжеопределяется тем, что с повышением температуры ухудшаются параметры исходногокремния и увеличивается деформация тонких пластин, а при температуре ниже 251240 С сильно возрастает время термообработки.Для изготовления многослойных структур силовых тиристоров и симисторов с повторяющимся напряжением 800-1200 В 30необходимо изготовить р-и-р-структуру столщиной р-слоя Х) = 60-70 мкм и поверхностной концентрацией примеси Й (1-2) 10см, что соответствует поверхностному...
Предыдущий патент: Источник постоянного тока для питания дуговой печи
Следующий патент: Устройство для метания тел
Случайный патент: Способ радиоиммунологического определения сексстероидсвязывающего глобулина в сыворотке крови человека