Шихта для изготовления сегнетокерамического материала
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 654580
Авторы: Иванова, Кускова, Продавцова
Текст
О П И С А Н И Е 1111654580ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ бова Советских Саоиалнстических Ресоублик45) Дата опубликовани исания 30.03.79. В. Кускова, Э,вцова и М. П. Ивано 1) Заявит ИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА2 соотношении компонент оста оказатели 12100 1350 Диэлектрическая проницае,00 049 Тангенс угла диэлектрическихх потерь 1 д о при частоте 1 кГц и температуре 20 С емпература Изобретение относится к электроннойтехнике, а именно к керамическим материалам, и может быть использовано в производстве радиотехнических изделий.Высокая диэлектрическая проницаемостьи минимальные диэлектрические потери -одни из основных требований, предъявляемых к диэлектрикам, предназначенным дляконденсатора. В частности, сегнетокерамичсские материалы на основе титаната бария (ВаТ 10 а), обладающие диэлектрической проницаемостью (е/ео) порядка 1000 -14000, что позволяет получать из них низкочастотные конденсаторы с высокойудельной емкостью, имеют большие диэлектрические потери 1 д б= (50 в 2) 10-41Наиболее близким к изобретению техническим решением является сегнетокерамический материал Т12. 20Однако такой керамический материалимеет повышенные диэлектрические потери(70 - 100) 10 - 4 на частоте 1 кГц,Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь в керамике. 25Поставленная цель достигается тем, чтошихта для изготовления сегнетокерамического материала на основе титаната бария,включающая ВаТ 10 з, Са(1 пОв, МпСО, иглину, дополнительно содержит 1 чЬ 20 в при 30 следующем ов, вес, %:ВаТ 10, 87,75 - 88,95 СаЯпО, 10,15 - 11,35 МпСОв 0,05 - 0,15 Глина 0,2 - 0,4 1 л 11,О, 0,4 - 0,6В качестве исходных компонентов используют спеки ВаТ 1 Ов, обожженного при 1200 - 1250 С, и СаЯпО обожженного при 1340 в 13 С.Керамический материал изготавливают по обычной керамической технологии - смешением компонентов, оформлением заготовок нужного вида и спеканием их при 1350 в 14 С.Влияние составов шихты на свойства керамики, обожженной при 1390 С в течение 2 ч, показано в таблице,654580 10 Формула изобретен ия Составитель Н. Фельдман Редактор Т. Кузьмина Техред Н. Строганова Корректор Л. БрахнинаЗаказ 312/5 Изд, Юо 231 Тираж 705 Подписное НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3Для испытаний брали три состава предлагаемой шихты.Состав 1, вес. %. ВаТ 10 з 88,95; СаЯп 03 10,15; МпСО, 0,08; глина 0,32 и КЬ 20 з 0,5.Состав 2, вес. /о: ВаТ 10 з 88,00; Са 5 п 03 11,00; МпСО, 0,12; глина 0,28 и ИЬзОз 0,6.Состав 3, вес. %; ВаТ 10 з 83,3; Са 5 пОз 10,9; МпСОз 0,1; глина 0,3 и Ю,Оз 0,4. Шихта для изготовления сегнетокерамического материала на основе титаната бария, включающая ВаТ 1 Оз, СаЯпОз, МпСОз и глину, отличающаяся тем, что, с целью снижения диэлектрических потерь в керамике, она дополнительно содержит МЬ,Оз при следующем соотношении компонентов, вес. о/,:5 ВаТ 1 ОзСаЯпОзМпСОГлина 87,75 - 88,95 10,15 - 11,35 0,05 - 0,15 0,2 - 0,4 0,4 - 0,6 Источники информации принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США Мв 3359133, кл. 117 в 2,опублик, 1968. 15 2. ГОСТ 5458-75,
СмотретьЗаявка
2508962, 21.07.1977
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5425
КУСКОВА ЛЮДМИЛА ВАСИЛЬЕВНА, ПРОДАВЦОВА ЭЛЕОНОРА ИВАНОВНА, ИВАНОВА МАРИЯ ПЕТРОВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: сегнетокерамического, шихта
Опубликовано: 30.03.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-654580-shikhta-dlya-izgotovleniya-segnetokeramicheskogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта для изготовления сегнетокерамического материала</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления керамзита
Следующий патент: Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью
Случайный патент: Способ определения времени нарастания и спада фронтов импульсных сигналов и устройство для его осуществления