Способ изготовления тонкопленочного конденсатора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
.Е.Дубинин щих плен ю обклад ерхней о ную пров конладки, ящую УДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ ИОТКРЫТ(7 Ц Куйбышевский авиационный институт им. С.П.Королева(56) 1.Авторское свидетельство СССР 9 357607, кл. Н 01 6 13/00, 19712.Матсон Э.А.,Крыжановский Д,В. Справочное пособие по конструированию микросхем. Минск,Высшая школа, 1982, с. 59, рис. 3.11.в (прототип). (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий нанесение на подложк ки с выводом и диэле на поверхность котор нюю обкладку конденс и проводящие пленки, крывающие нижнюю обк дующую подгонку конд л и ч а ю щ и й с я целью расширения диа конденсатора за счет менения его емкости щения и увеличения, под участки проводя перекрывающих нижню денсатора и вывод в наносят дополнитель пленку. нижней обкладтрического слоя го наносят верх тора с выводом частично переадку, и посленсатора, о т тем, что, с азона подгонки возможности изсторону умень- а подложку,ок, не10 эквивалентная схема ТПК.ТПК содержит нижнюю. обкладку 1,диэлектрический слой 2 (контур условно показан пунктирнбй линией), верхнюю обкладку 3, проводящие пленки4-7, Обкладка 1 и пленка 4 расположены в нижнем слое, а обкладка 3 ипленки 5-7 расположены в верхнемслое.Между обкладками 1 и 3 созданаемкость с величиной Сд (нерегулируемая часть ТПК), между обкладкой 1и пленками 5-7.созданы емкости свеличинами С 2, С 4 и С", а между плен.ками 4-7 и прокладкой 3 - с величинами С, С, С и С 1, Суммарная емкость ТПК состоит из последователь. но включенных частичных емкостей свеличинами С 1- С к основной емкости С (фиг. 2) и равная С = С +. ЬС,С + - + 35 С+ С С,+ С- С+ С Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигае- . мому результату является способ изготовления тонкопленочного конденсатора, включающий нанесение на подложку нижней обкладки с выводом диэлектрического слоя, .на поверхность которого наносят верхнюю обкладку конденсатора с выводом и проводящие пленки, частично перекрывающие нижнюю обкладку и подгонку конденсатора (2 .Верхняя обкладка и одни концы узких проводящих пленок расположены на площади нижней обкладки и образуют нерегулируемую и регулируемую части емкости конденсатора. Другие концы узких проводящих пленок выступают за края нижней обкладки. Подсоединяя с помощью навесного проводника каждую проводящую узкую пленку к верхней обкладке, увеличивают величину емкости ТПК.Недостатком данного способа изго" товления ТПК является возможность .изменения номинала только в сторону увеличения.Цель изобретения - расширение диапазона подгонки. конденсатора за счет возможности изменения его емкости в сторону уменьшения и увеличения.Указанная цель достигается тем, что согласно способу изготовления тонкопленочного конденсатора, включающему нанесение на подложку нижней обкладки с выводом и диэлектричесгде д С Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и производстве гибридных интегральных микросхем с тонкопленочными конденсаторами повышенной точности,Тонкопленочный конденсатор (ТПК)повышенной точности .выполняют с дополнительными элементами подгонки,которые представляют собой конденсаторы с малой, площадью, подключенные параллельно к. основной (нерегулируемой) части.Известен способ изготовлениятонкопленочного конденсатора, включающий последовательное нанесЕние наподложку нижней обкладки и диэлектрического слоя, верхней обкладки ивыводов, и подгонку конденсатора (1)Величину емкости ТПК выполняютбольше допустимой и, уменьшая площадь верхней обкладки, уменьшаютемкость до требуемого значения,Уменьшение площади верхней обкладки ТПК осуществляют электрическимпробоем при подаче импульсного напряжения между верхней обкладкой и дополнительным электродом.Однако известный способ изготовления ТПК характеризуется невозможностью подгонки в сторону увеличенияемкости. 40 45 50 55 60 65 кого слоя, на поверхность которогонаносят верхнюю обкладку конденсатора с выводом и проводящие пленки,частично перекрывающие нижнюю обкладку, и последующую подгонку конденсатора, на подложку, под участки проводящих пленок, не перекрывающихнижнюю обкладку конденсатора и выводверхней обкладки, наносят дополнительную проводящую пленку,На фиг. 1 приведен тонкопленочный конденсатор с элементами подгонки величины емкости как в сторону уменьшения, так и увеличения; на фиг. 2 СС С 4 С . С СС+, - ++Сг+ СЗ С 4+ Сб Сб+ С 7Для .увеличения величины емкости Ь С обкладки эквивалентных конденсаторов, полученных из емкостей с величинами С 1, С, С и С поочередно закорачивают. При этом величина емкости Ь С изменяется от номинально" го значения до максимального Ь СС + С 4 +Сь (фиг 2) еЕсли для простоты принять все емкости эквивалентных конденсаторов одинаковыми, то номинальное значение емкости равно Ь С = ф С, а максимальное - ЬС =.ЗС,.Для уменьшения величины емкости Ь С последовательно разрезают по середине пленки 5-7. При разрезании пленки 5 исключаются влияния емкостей с величинами С 1 и С. То же самое происходит и для пленок 6 и 7. Таким образом, величина емкости ЬС. изменяется от максимального значения до нуля.Соедовательно, предлагаемый способ изготовления тонкопленочного конденсатора обладает возможностью подгонки как в сторону уменьшения, так и увеличения величины емкости,1121703 Составитель М.ЩербаковРедактор Н.Горват ТехредМ.Гергель р И.Эрд орр Заказ 7988 9 Тираж б 82ИИПИ Государственного комитета СС по делам изобретений и открытий35, Москва, %-35, Раушская наб. д Подписно илиал ППП фПате г.ужгород, ул. Проектная,Замыкание обкладок конденсаторов производят путем прожигания верхней обкладки и диэлектрического слоя в средней части площади и одновременным соединением их припоем, Для этих целей используют прибор для 5 подгонки пленочных элементов микросхем Генератор факельного разряда с электродом из припоя. Замыкание обкладок конденсаторовосуществляют также методом пайки сприменением навесного проводника. Преимущества предлагаемого способа заключаются в том, что ТПК обладает свойствами подгонки величины емкости как в сторону уменьшения, так и увеличения.
СмотретьЗаявка
3550165, 09.02.1983
КУЙБЫШЕВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ ИМ. С. П. КОРОЛЕВА
ДМИТРИЕВ ВАСИЛИЙ ДМИТРИЕВИЧ, ДУБИНИН АЛЕКСАНДР ЕФИМОВИЧ, ВОЛКОВ АЛЕКСЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01G 4/12
Метки: конденсатора, тонкопленочного
Опубликовано: 30.10.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1121703-sposob-izgotovleniya-tonkoplenochnogo-kondensatora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тонкопленочного конденсатора</a>
Предыдущий патент: Генератор символов
Следующий патент: Материал для нелинейных резисторов
Случайный патент: Распределитель импульсов для многотактового запоминающего устройства на регистрах сдвига